TQFP器件的分层开裂和PECVDSiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响

研究了薄型扁平四面封装（TQFP）器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和PECVD SiNx薄膜对器件防水性能的影响。实验发现,水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因;银浆与塑封料,芯片衬垫与塑封料之间的结合面是TQFP器件的薄弱环节,分层现象是由这此培位产生和扩展的。PECVD SiNx薄膜能有效降低进入TQFP器件中的水汽含量,在一定程度上消除开裂和分层现象,并且薄膜越厚,防水效果越好,消除开裂和分层现象的作用也越明显。     

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.     

泰科天润半导体科技(北京)有限公司

<正>泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology(Beijing)Co.,Ltd.,简称泰科天润,是中国SiC功率器件产业化的先行者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4-6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。     

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<正>泰科天润半导体科技(北京)有限公司(Global Power Technology(Beijing)Co.,Ltd.,简称泰科天润,是中国SiC功率器件产业化的先行者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4-6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。拥有商业化碳膜溅射机,高温离子注入机以及量产型高温退火炉等。     

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具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究

提出了一种具有穿通基区的Ｓｉ双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于１５０,００;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正比,即－／ｉｎ＾２＝２ｑＩｃ△ｆ。     

微型螺旋转子的光驱动计算

利用光学力来驱动微型器件是一种新型 MEMS 驱动方式。在几何光学模型近似下,对用TEM00 高斯激光束驱动微型螺旋桨结构的光驱动力和力矩进行了理论计算。光驱动力矩与激光功率成正比,和微器件的结构尺寸以及微器件与工作介质的相对折射率等因素有关,设计微器件时必须同时考虑这三个因素。计算得出激光功率 10mW 时,作用在螺旋转子上的光学驱动力矩为7.4×10-17 N?m,和文献中实验结果基本一致。该方法可以应用在复杂三维微结构的光驱动计算中,对微型转子进行优化设计。     

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半导体制冷器在弱散热条件下的制冷性能分析

利用ANSYS Workbench中的热电耦合模块对3款型号半导体制冷器进行建模与数值模拟,并将模拟结果与文献进行对比。基于此模型分析了在热端散热条件受到限制的情况下3款型号半导体制冷器制冷性能的变化规律。研究表明:热端散热条件对功率越大的器件影响越显著,在冷端温度为10℃时大功率器件的散热量较小功率器件高出13. 8%,热端温度高出7. 7℃,其制冷量与制冷系数仅为后者的25. 7%和19. 7%。将输入电压由12 V减小为9 V后,在相同的散热条件下大功率器件的制冷量增加了2. 1 W,增幅达211%,制冷系数增幅达142%。但其性能依然不及其余两款小功率器件。因此,在热端散热条件受到限制时,适当减小器件的输入功率反而可以得到更好的制冷性能,且小功率器件更适合在该场合下使用。在器件的冷端温度高于室温时,大功率器件的热端温度容易过高,影响器件使用寿命甚至烧毁器件。将输入电压由12 V减小为9 V后,大功率器件的制冷量较小功率器件高6. 9%。因此,在适当减小输入功率后,大功率器件会更适合冷端温度高于室温的制冷工况。     

大功率电源MOS管的特性及应用

引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时,主开关功率器件一般都使用功率MOS器件。所以深入了解功率MOS器件的内部结构和工作特性对开关电源工程师来说至关重要。开关电源电路中MOS管的结构,寄生参数,散热条件等都会对功率MOS的工作性能产生影响;为了使开关电源设计师存使用功率MOS管时有的放矢,本文将对功率MOS管的备项基本参数和性能进行论述。