SrTiO_3基压敏陶瓷低压化途径

以固相法合成 Sr Ti O3+Nb2 O5 +Mn O2 作为基本系统 ,分别采用草酸盐热分解法制备 Sr Ti O3主晶相及L i2 CO3代替 Mn O2 作受主掺杂等手段来修正基本系统 ,以降低压敏电压。结果表明 ,以上措施可有效地降低压敏电压 ,改善压敏 -介电性能。     

Bi4Ti3O12掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

Bi4Ti3O12在低压氧化锌压敏电阻器的烧结过程中起着重要作用。通过使用扫描电子显微镜(SEM)研究了添加Bi4Ti3O12粉体的陶瓷烧结过程。结果表明,使用纳米Bi4Ti3O12粉体的压敏电阻所获得的电压梯度更低,Zn2TiO4相的形态和分布影响压敏电压的分散性。     

射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜

采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度曲线表明制备的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3铁电薄膜的居里温度在室温附近 ,约 3 0°C处。     

TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。     

正温度系数SrTiO_3环形压敏电阻器研制成功

SrTiO3压敏电阻器是一种广泛用于微电机灭弧消噪的EMC对策元件,温度特性是SrTiO3压敏电阻器的重要性能指标,通常是用压敏电压随温度的变化系数来表示的,如下式所示: k = 2550100)()()(251025105010--EEE(%1) 式中:(E10)50和(E10)25分别表示50及25时的压敏电压值。k值越小越好,当k值为正值时,压敏电阻承受瞬态浪涌和静态功率的能力显著提高,元件的工作稳定性和可靠性进一步改善,因此温度系数最好为正值。 据报道,20世纪80年代日本SrTiO3压敏电阻的电压温度系数约为0.5%1,1990年日本太阳诱电和TDK的产品标准中规定为0.3%1,实际产…     

电子元件、组件

TN6 02020520新型片式元器件在电子信息技术领域的应用/向勇,谢道华(天津大学)11电子元件与材料一2001,20(3)一16一18综述了片式元器件的最新发展动态.重点讨论了现代电子信息产业全面促进新型片式元器件在体积微型化、结构复合化;以及在高频段、精密微调等高性能化应用方面的新进展.表1参8(刚)的优点.尽管ZnO的电容量不及SrTIO3,但由于ZnO压敏电阻的制备属常规工艺月成本低廉,在要求价格低的直流微电机应用领域,只要提高2 no环形压敏电阻器的压敏特性,它仍具有较高的实用价值.图4表1参4(刚)〕’N60 02020521电子元件参数漂移的M中Ito…     

低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究

为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870~950℃的温度范围内研制出压敏场强为210~260 V/mm,漏电流小于1 mA,非线性系数大于40的压敏电阻器。本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响。用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论。     

ZnO压敏电阻器性能的改进

采用溶胶一凝胶(Sol-Gel)法制备了ZnO压敏电阻器的复合纳米添加剂.用该添加剂与ZnO、Sb2O3混合球磨后按传统工艺制备出氧化锌压敏电阻器,对其电性能进行了测试,并对其结果进行了分析.实验结果表明,用Sol-Gel法制备的复合纳米添加剂制成的元件具有粉体掺杂均匀,晶粒粒径小且分布均匀的特点,其电性能也较固相合成工艺有了很大提高.     

非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器

鉴于气氛炉设备昂贵,笔者提出用非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器。并研制了与之相匹配的SrTiO3基环形压敏电阻器双功能(电容–压敏)瓷料。采用电子陶瓷常规设备(箱式炉或隧道炉)与工艺技术,制备了电性能符合标准要求的SrTiO3基环形压敏电阻器产品:V10mA=3.0~30.0V,α=3~9,C=15.0~140nF。结果表明:非气氛炉烧结技术,具有成本低、易操作、效率高的优点。     

TiO2-V2O5陶瓷的复合特性研究

报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备，并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性，即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2—V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。     

集成电路过压保护用ZnO压敏电阻的研制

为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻,以中压ZnO压敏电阻的配方为基础,通过研究与实验,确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5,低温烧结等途径,研制出了低压ZnO压敏电阻。测试结果表明,该ZnO压敏电阻的压敏电压为15~25V,漏电流小(<2μA),非线性特性好(α>29)。     

低压ZnO压敏陶瓷晶界特性的研究

借助 HP4192 A低频阻抗分析仪 ,分析了低压 Zn O压敏陶瓷的 C- V特性及介电和损耗特性、添加物对Zn O压敏瓷晶界电学特性的影响。探讨了热处理气氛对 Zn O晶粒边界电性能的作用机理。实验结果表明 :Na+ 掺杂量增加时 ,施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度、界面态密度和耗尽层宽度增加 ;在空气中退火 ,样品的施主浓度减少 ,势垒高度降低 ;在 Ar气中退火样品的施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度下降较大 ;在音频范围内 ,Zn O压敏瓷具有很高的介电常数 (εr约 130 0 ) ;在 10 5～ 10 6 Hz范围内 ,εr下降较明显 ,与此对应 ,介质损耗角正切 tgδ在 10 5～ 10 6 Hz范围内出现一个峰值 ,该峰具有扩展的德拜驰豫峰特征     

低温烧结铁氧体粉料的最新进展

以国家“86 3”计划重大项目和第八届国际铁氧体会议重要论文为据 ,综合分析、论述了低温烧结铁氧体粉料的进展状况。重点介绍了固相反应法 Ni Cu Zn铁氧体、Mg Cu Zn铁氧体和六角晶系 Co2 Z铁氧体。同时报道了具有世界领先水平的软化学法 Ni Cu Zn铁氧体和六角晶系 Co2 Z铁氧体成果     

低压压敏电阻器的研究进展

综述了目前国内外研究最多的低压压敏电阻器(ZnO系)、电容–压敏双功能压敏电阻器(SrTiO3系、TiO2系)及新型压敏电阻器(WO3系)的基本组分、掺杂种类、制备工艺、性能及主要应用的研究进展。讨论了在低压压敏电阻器研究和生产方面存在的问题,并对其发展方向进行了展望。     

Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响

研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。     

sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。     

SnO2与ZnO压敏电阻特性比较分析

采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好;在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在...     

高电压梯度的ZnO变阻器

通过超细粉碎和低温烧结工艺.制造成了具有高电压梯度的ZnO变阻器.本文简要报告高电压梯度的ZnO变阻器的制造工艺和性能.     

Mechanism and Development of TiO_2-Doped ZnO-Bi_2O_3-Based Varistors

This paper reviews the history of ZnO varistor,discribes its properties and recenttechnological status and forecasts its evolution.The future development trend is to produce the low-voltage high-energy multi-layer ZnO varistors.After the two additives are classified by their functions,the effect mechanism of Bi_2O_3 and TiO_2 additives are researched theoretically.TiO_2 will make ZnO graingrow bigger and V_ImA/mm be depressed down.Especially the colloid TiO_2 additive in the scale ofnanometer brings about a new method to realize the low voltage of ZnO varistor,which resolves theproblem of how to disturb nanometer powder evenly.Moreover the sintering temperature has prominenteffect on the electrical properties of ZnO varistors.Generally,the appropriate sintering temperature forlow-voltage ZnO varistor ceramics should not be more than 1 250℃.These provide an effective methodand rationale for studying low-voltage ZnO varistors.     

Mechanism and Development of TiO2-Doped ZnO-Bi2O3-Based Varistors

This paper reviews the history of ZnO varistor, discribes its properties and recent technological status and forecasts its evolution. The future development trend is to produce the low-voltage high-energy multi-layer ZnO varistors. After the two additives are classified by their functions, the effect mechanism of Bi2O3 and TiO2 additives are researched theoretically. TiO2 will make ZnO grain grow bigger and V1mA/mm be depressed down. Especially the colloid TiO2 additive in the scale of nanometer brings about a new method to realize the low voltage of ZnO varistor, which resolves the problem of how to disturb nanometer powder evenly. Moreover the sintering temperature has prominent effect on the electrical properties of ZnO varistors. Generally, the appropriate sintering temperature for low-voltage ZnO varistor ceramics should not be more than 1 250℃. These provide an effective method and rationale for studying low-voltage ZnO varistors.