氮化铝多层共烧基板导带浆料的特性分析

陶瓷多层共烧基板在MCM领域得到了广泛的应用,而共烧导带浆料的研制则是其中的重点,本文提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体浆料,在1800℃,4h,N2气氛下进行烧结。得到当SiO2含量在0．45wt%时,导带方阻达到10mΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/500mm,导带的剥离强度大于30MPa.     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

氮化铝（AlN）高温共烧多层基板技术研究

多芯片组件（ＭＣＭ）作为一种新技术正在迅速发展,随着组装的不断提高,ＩＣ集成度的提高,ＭＣＭ的功率密度越来越大,为了改善器件的散热,提高可靠性,要求功率ＭＣＭ所用的多层基板应用具有高导热性。本研究采用ＡｌＮ流延生瓷片与钨高温共烧的方法,成功地制备出高热导率的ＡｌＮ以陶瓷基板的 完全满足高功率ＭＣＭ的使用要求。     

氮化铝共烧多层基板平整性的研究

对影响AIN共烧多层基板平整性的几个因素进行了研究。取得了一定的成果。     

多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究

氮化铝陶瓷因其热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点在许多领域有着广泛的应用。多层共烧氮化铝陶瓷是采用厚膜印厣j的方式将多层的电路金属化做入氮化铝基板并在特定气氛中高温烧结的一种高性能陶瓷。金属化是多层共烧氮化铝陶瓷的一个关键工艺,文章主要介绍了对金属化工艺的研究。重点研究了其中的印刷工艺、叠片层压工艺和烧结工艺。通过对印刷和烧结参数的研究,使得生产陶瓷的热导率大于170W（m·K）^-1,金属化的方阻小于18mΩ／□,金属化的抗拉力大于1．8N（1mm^2焊接面积）,能满足大功率LED封装、大功率功率管封装的性能要求,已经在多种陶瓷外壳和基板中应用。     

氮化铝共烧基板表面焊盘的研究

本文研究了在AlN多层布线共烧基板中，采用Ni作为添加剂的表面焊盘浆料体系中SiO2含量对共烧基板烧结性能的影响。结果表明SiO2的质量分数在0．3％时，AlN多层布线共烧基板的焊接强度达到42MPa，基板的翘曲度小于50μm／50mm。     

低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化

就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。     

银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究

从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶,从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制.结果表明,二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结,获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板.     

氮化铝基板薄膜金属化技术

氮化铝陶瓷由于具有热导率高等一系列综合优势。在电力电子及功率微电子技术中具有巨大的应用潜力，目前ＡｌＮ基板应用的关键是金属化技术。本文介绍了ＡｌＮ薄膜金属化技术的特点及可靠性测试情况。     

氮化铝基板薄膜金属化工艺研究

氮化铝（ＡＩＮ）基板由于其优良的热性能和无毒性，成为一种重要的微电子材料。本文从以下三方面研究了氮化铝基板的薄膜金属化问题：（１）金属薄膜同ＡＩＮ基板的附着力；（２）ＡＩＮ基板上薄膜电阻的温度系数；（３）ＡＩＮ基板上ＮｉＣｒ薄膜电阻的功率密度。研究结果表明，氮化铝上薄膜金属化层的附着强度可以大于ＡＩＮ陶瓷本身。成功地将薄膜金属化氮化铝基板应用于功率混合电路和功率对晶体管模块中。     

CVD金刚石薄膜金属化及其与金属的焊接研究

针对CVD金刚石在微波管中的应用特点,提出一种金刚石膜表面金属化新工艺。该工艺采用Ti/Mo/Ni体系和磁控溅射镀膜方法,与无氧铜焊接获得了良好的接合性能,封接件平均抗拉强度大于113.7 MPa。X射线衍射分析证实：经820℃真空热处理,金刚石与钛膜界面形成Ti8C5和TiO。     

营养治疗对门诊血液透析患者的作用

利用中频磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备氮化铝(AlN)薄膜,并经退火处理.利用X-衍射和原子力显微镜分析了AlN薄膜的结构及表面形貌.结果表明,衬底温度和退火工艺对AlN薄膜的结构和表面形貌有重要影响.研究表明,衬底温度为230 ℃时,AlN薄膜的表面粗糙度最小,退火能减小AlN薄膜表面粗糙度.     

LCP柔性基板的薄膜电阻制作技术

针对液晶聚合物(LCP)柔性基板高频电子封装应用需求,采用一种薄膜溅射工艺直接在LCP柔性基板上制作TaN薄膜电阻,研究不同等离子体预处理方式对LCP表面形貌和LCP表面薄膜金属膜层附着强度的影响,进一步研究溅射气压和氮气体积分数等参数对电阻性能的影响,考察LCP柔性基板上的TaN薄膜电阻精度及电阻温度系数(TCR),...     

以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究

研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。同时对这两种方法的特点与适用范围进行概述     

Laser-Tuned Surface Wettability Modification and Incorporation of Aluminum Nitride (AlN) Ceramics in Thermal Management Devices

Aluminum nitride (AlN), a versatile ceramic with high thermal conductivity, high electrical resistivity, and a coefficient of thermal expansion compatible with silicon, is well-suited for direct-to-chip cooling applications of electronics, implementation in wide bandgap semiconductors, and for high-temperature heat exchangers. Despite multiple advantages, AlN's implementation in liquid-cooling applications is often hindered by surface-degrading effects of working-fluid-induced hydrolysis. Herein, a scalable -but highly tunable- wettability engineering approach is introduced, that allows effective implementation of bulk AlN substrates in enhanced two-phase cooling of electronics. The approach prevents hydrolysis of AlN by aqueous media and establishes control over surface roughness, all the while maintaining bulk integrity and material properties of the underlying substrate. Demonstration of the new approach is presented in spontaneous, pumpless, surface liquid transport, a necessity if such ceramics are to play an integral role as components of sealed, phase-change, wickless thermal-management devices (e.g., vapor chambers or heat pipes) that require rapid working-fluid transport in their multi-phase interior. The novelty of this work lies in establishing a scalable methodology for utilizing and further enhancing the properties of this non-oxide ceramic material for phase-change heat-transfer hermetic devices, thereby paving the way toward the implementation of this intriguing material in next-generation heat spreaders.     

ITO透明导电薄膜的制备工艺研究

采用溶胶-凝胶法以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜.详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件.结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4 离子取代In2O3晶格中的In3 离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600 Ω/□,可见光透过率达到83%.     

溶胶-凝胶法制备ITO薄膜的光电性能研究

采用溶胶-凝胶旋转涂膜工艺,在普通玻璃基片上制备了掺锡氧化铟(ITO)纳米透明导电薄膜。采用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同Sn掺杂量、不同热处理温度和热处理时间以及不同涂层对薄膜光学和电学性能的影响。结果表明薄膜的方块电阻随Sn掺杂量的增大和热处理温度的升高先降低后增加,在适宜的温度范围内薄膜在可见光区平均透过率随热处理温度升高而增加。在一定的温度下,随着热处理时间的延长,ITO薄膜的方块电阻先降低后增加,透射率先增加后降低。在最佳工艺条件下,采用溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜平均可见光透过率达86%,薄膜方阻为322Ω/□。     

硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析

在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°。薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm。薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al—N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比。     

被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备

基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻器。测试结果和仿真结果的对比表明,BeO基片表面的玻璃釉层并不会对电阻器的微波性能造成明显的不良影响。     

多次金属化烧结的初步探讨

通过二/三次金属化烧结实验,对提高陶瓷金属化质量进行初步探讨.