氩氧比对RF磁控溅射制备ZnO薄膜的影响

探讨氩氧比对采用ZnO陶瓷靶材磁控溅射制备薄膜的影响.研究发现,不同氩氧比对薄膜的溅射率和电学性能影响较大,而对薄膜的晶体结构和透过率没有产生明显的影响.随着氧气含量的增加,薄膜溅射率下降,并从n型导电变为高阻状态.薄膜呈较强的c轴择优取向的多晶结构,在可见光区域内玻璃衬底上的ZnO薄膜具有优异的透射特性.     

氧氩比对铒镱掺杂氧化锌薄膜的结构和光波导特性的影响

氧化锌作为一种良好的发光材料广泛应用于太阳能电池、气敏传感器、紫外探测器、光电器件、透明电极等诸多领域.文章应用磁控溅射技术制备铒镱掺杂的氧化锌薄膜,利用X射线(XRD)和棱镜耦合技术,分析研究了氧氩比对铒镱掺杂的氧化锌薄膜的结构和光波导特性的影响.结果表明:氧氩比对薄膜的结构和光波导特性有重要影响,当氧氩比为2:16时,薄膜的衍射峰的强度较大,半高宽(FWHM)较窄,有效折射率接近ZnO薄膜的折射率,降低氧氩比有利于增强薄膜的c轴择优取向.     

氧氩比和退火温度对AZO薄膜结构与性能的影响

在通氩气和不同比率氧氩混合气体的条件下,利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备铝(Al)掺杂氧化锌(AZO)薄膜(溅射功率为180W,衬底温度为300℃),并对部分薄膜样品进行400℃或500℃退火处理.采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计对薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行测试研究.结果表明,制备的所有薄膜均呈现(002)晶面择优生长;与氩气溅射相比,当采用氧氩混合气体溅射时,生长的AZO薄膜晶粒尺寸显著增大;退火处理使2类薄膜的表面粗糙度都明显减小,晶粒也有所增大(7%~13%).其中,在氧氩比为1∶2的混合气体中制备的薄膜,经过500℃退火后,晶粒尺寸最大(39.4nm),薄膜表面更平整致密,在可见光区平均透过率接近最大(89.3%).     

有源层厚度对IGZO薄膜晶体管性能的影响

室温下使用射频磁控溅射设备在热氧化SiO2衬底上沉积厚度为33 nm,47 nm和59 nm的InGaZnO(IGZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察IGZO薄膜的表面形貌,研究有源层厚度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.实验结果表明,薄膜厚度为47 nm时,薄...     

AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响

随着信息时代的到来,各种信息类产品飞速发展,对薄膜晶体管(TFT)的性能要求也越来越高.AZTO以其优异的性能被广泛关注并且应用于薄膜晶体管的制备.本文主要研究AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响,采用磁控溅射设备制备了不同厚度的AZTO有源层.结果 表明,随着有源层厚度增加,器件开关比减小,透光率下降,AZTO有...     

IGZO薄膜晶体管的制备及其光电性能

本文采用磁控溅射技术沉积InGaZnO(IGZO)薄膜,制备具有底栅结构的薄膜晶体管(TFT).测试并分析IGZO TFT的电学性能和在不同波长紫外光照条件下的光电响应性能,在VDS为10 V时,得到饱和迁移率为173 cm2/Vs,Ion/Ioff达到108,Von为10.5 V,亚阈值摆幅大约为5 V/decade...     

铝掺杂量对于铝锌氧薄膜晶体管的电学性能的影响

本文利用磁控溅射法在硅片上制备了不同铝掺杂量的铝锌氧薄膜晶体管,并研究了铝掺杂量对铝锌氧薄膜晶体管电学性能的影响,可以看出不同铝掺杂量对于薄膜晶体管电学性能存在影响,当Al掺杂功率为15 W时,薄膜晶体管开关比达到5.7×105,亚阈值摆幅为3 V·dec-1,阈值电压3 V,迁移率1.6 cm2.(V·s)-1.     

溅射功率对MgZnO薄膜晶体管性能的影响

本文通过射频磁控溅射的方法在Si衬底上制备了MgZnO薄膜晶体管,研究不同溅射功率对MgZnO薄膜晶体管电学和薄膜性能的影响,对制备的器件采用Keysight B 1500 A型号的半导体参数仪测试其电学性能,通过公式计算分析电学参数.利用原子力显微镜(AFM)和描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌进行探测.实验结果表...     

垂直结构ZnO薄膜晶体管制备与工作特性

针对目前发表的氧化物薄膜晶体管的研究成果中,存在着驱动电压高,工作电流小的问题,制备了垂直结构的氧化锌薄膜晶体管.器件制备是以石英玻璃为衬底,采用磁控溅射工艺,以氧化锌薄膜为有源层.测试结果表明,制备的晶体管驱动电压低、工作电流大、载流子迁移率高.在偏压条件VGS为0.2 V,VDS为3 V时,漏源极电流IDS达到9.15 mA,开启电压Vth仅在1.35 V左右,可以作为有机发光二极管的驱动单元,具备了实用化特性.     

氩氧比对常温磁控溅射制备HfO_2薄膜性能的影响

为了得到HfO_2薄膜性能与工艺参数之间的关系,采用直流反应磁控溅射法在室温下沉积HfO_2薄膜.通过正交实验分析了靶功率、靶基距和氩氧比对薄膜性能的影响程度,分析了影响最大的因素氩氧比对薄膜组分、力学性能及光学性能的影响规律.研究结果表明:在纯O_2气氛下沉积的薄膜的O、Hf元素化学计量比为1.90;随着氩氧比的提升,薄膜中缺氧现象逐渐变得明显;在纯O_2状态下制备的薄膜可见光谱范围内峰值透射率为93.23%,在氩氧比为1∶1的气氛下制备的薄膜的纳米硬度为11.70GPa,弹性模量为154.68GPa.     

有机薄膜晶体管的研究进展

介绍有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistors,OTFTs)的结构、制备工艺及其应用,评述该领域的研究进展,并对OTFTs目前存在的问题和未来的发展趋势进行分析,认为OTFTs将成为新一代平板显示的核心技术。     

Ar/CH_4流量比对a-C∶H薄膜沉积速率及性能的影响

为研究气体流量比对非平衡磁控溅射沉积含氢类金刚石薄膜（Diamond-Like Carbon,DLC）沉积速率及性能的影响,在不同Ar/CH4流量比条件下将a-C∶H沉积在单晶硅基底,采用傅里叶红外光谱、椭偏仪、表面轮廓仪对薄膜的沉积速率、光学特性及表面粗糙度进行研究.实验结果表明：引入甲烷气体后,非平衡磁控溅射沉积a-C∶H薄膜沉积速率大幅度提高;在3～5μm波段硅基底上镀制a-C∶H膜具有良好的红外增透特性,薄膜峰值透射率明显受到Ar/CH4流量比的影响,Ar/CH4流量比1∶3时,制备的a-C∶H峰值透过率可达69.24%;a-C∶H薄膜的折射率和消光系数随着CH4流量的增加而增大;a-C薄膜的粗糙度要优于a-C∶H薄膜,a-C∶H薄膜的粗糙度随厚度的增加而变大.     

MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率(μ)的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 μA,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。     

水胶比对混凝土渗透性能的影响研究

配制四组不同混凝土配合比的试件,采用基于离子扩散和电迁移提出的NEL法对饱盐混凝土试件的氯离子扩散系数进行测定.通过对试件渗透试验结果的分析,得出了高强度等级、添加矿物掺合料的、较低水胶比的混凝土抗渗性能好的结论.验证了水胶比对高性能混凝土渗透性也基本存在着线性关系.     

挤压比对6061铝合金耐腐蚀性能的影响

采用失重法、极化曲线探讨了不同挤压比下6061铝合金在不同环境下的耐腐蚀性能,利用光学显微镜、SEM观察铝合金的显微组织。结果表明:随着挤压比(=18、23、25)的增大,6061铝合金晶粒得到明显细化,经过阳极氧化处理后,铝合金表面形成的阳极氧化膜厚度随着挤压比增大而增加。在3%HCl溶液中,未经阳极氧化处理的铝合金,其耐腐蚀性能随着挤压比的增大而提高;而经过阳极氧化处理后,铝合金表面形成的阳极氧化膜在大的挤压比下更容易破损,耐腐蚀性能反而降低。在3.5%NaCl溶液中,未经阳极氧化处理的铝合金,其耐腐蚀性能随着挤压比增大而降低;经过阳极氧化处理后,挤压比越大,形成的阳极氧化膜越厚,对Cl-的阻挡作用就越明显,耐腐蚀性能也越好。     

喷墨打印技术制备氧化物薄膜晶体管

回顾了氧化物薄膜晶体管的优势及其发展应用,介绍氧化物墨水的类型选择、喷墨打印制备过程、薄膜图案退火等工艺过程,以及相关工艺国内外研究情况。总结了喷墨打印技术制备薄膜晶体管工艺的优势。