电化学沉积太阳电池用CuInSe2和Cu(In,Ga)Se2薄膜的研究进展

综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Sez(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况.回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势.     

晶体硅太阳电池工艺技术新进展

晶体硅太阳电池是目前技术最成熟、应用最广泛的太阳电池.以晶体硅太阳电池的生产流程为基础,主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果,并对各种制备工艺进行了评价.     

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

微合金化在晶体硅太阳电池中应用的研究进展

在硅晶体中利用微合金化来获取性能优良的晶硅电池是其未来发展的重要方向。微合金化过程中,在硅中加入其它元素,带来硅晶体晶格畸变而易捕获空位,增加氧沉淀浓度、减少间隙氧含量,能抑制B-O复合体形成,从而改善硅晶体机械强度、提高少子寿命以及提高晶硅电池光电转化效率、抑制光致衰减效应。重点分析了Si-Ge、Si-Ga、Si-Sn、Si-Al和Si-In微合金化在晶体硅太阳能电池中的应用,通过微合金化能够满足人们对高质量晶硅电池的要求。掌握微合金化对晶硅电池性能影响的机理,并将其运用于实际生产中是目前急需解决的问题。     

n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估

n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池.结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决p型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题.最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景.     

太阳电池研究进展

晶体硅太阳电池主要朝高效方向发展,薄膜太阳电池特别是多晶硅薄膜太阳电池,由于其廉价,高效,是当前太阳电池研究的热点,也是未来太阳电池发展的方向.分别介绍了第一代、二代太阳电池的发展历程,着重介绍了第三代太阳电池的最新研究进展.     

晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达

从实际的晶体硅太阳电池电路基本方程出发，推导出晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达。与传统的电工电路不同，太阳电池电路最大功率点下的负载大于太阳电池内阻，并随着温度的升高，其比值逐渐降低。实验结果与理论吻合。     

背面点接触结构在晶体硅太阳电池中的应用

背面点接触结构晶体硅太阳电池是实验室高效电池的一种。介绍了目前研究较多的两种背面点接触晶体硅太阳电池,比较了几种背部结构的设计方法和制造工艺,包括背面钝化层的材料选择、背反射层的光学性能、去背结技术以及点电极结构的设计等。并展望了背面点接触太阳电池在工业生产上的前景。     

电沉积CIGS薄膜太阳电池的研究进展及现状

CIGS薄膜太阳电池以其优异的光电性能倍受研究者关注。简要介绍了CIGS薄膜的结构及其优异性能,着重阐述了电化学沉积法制备CIGS薄膜的反应原理与目前国内外电沉积法制备CIGS薄膜太阳电池研究的最新进展,并展望了CIGS太阳电池发展所面临的难题及将来研究的方向。     

决定晶体硅太阳电池工作状态的独立参量的确定

从晶体硅太阳电池功率全微分方程出发,结合开路电压和功率随温度、日照变化的实验事实,研究 影响晶体硅太阳电池工作状态的各参量的独立性。从数学上确定出其独立变量为日照强度、电池温度和负载, 并得出了串联内阻是温度的函数的结论。串联内阻的实验数据验证了理论分析结果的正确性。     

晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展

晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注.综合评述了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展.介绍了硼氧缺陷、铁硼对以及铜相关的缺陷导致光衰减的基本机制,着重阐述了硼氧缺陷的产生率、钝化率以及相应的激活能大小与硼氧含量的关系.最后介绍了减弱或避免光衰减的一些措施.     

氧化物薄膜电化学沉积的研究进展

综述了氧化物薄膜电化学沉积的工艺条件与参数及其影响，给出了氧化物薄膜沉积的对象，描述了氧化物薄膜的作用和用途。     

太阳电池用CuInS2薄膜电沉积工艺的研究进展

介绍了太阳电池用CuInS2薄膜一步共沉积法和分步电沉积法的工艺特点,重点讨论了一步法共沉积CuInS2薄膜的工艺因素,包括电解液的组成(如主盐浓度、络合剂、添加剂和附加盐等)、电沉积工艺规范(如沉积电位、温度、热处理等)等方面.并详细地分析了这些因素对电沉积CuInS2薄膜性能的影响,据此提出了目前实验室研究中存在的...     

超声波对电化学沉积技术影响的研究进展

从电极过程液相传质特性、电沉积行为特性和电沉积工艺特性3方面综述了超声波对电沉积过程的影响:在一定条件下,超声波能加速扩散传质过程,减薄扩散层,提高阴极极限电流密度和电沉积速度,改善沉积层的表面形貌和综合性能,并且改变微观织构及粒子与合金的含量。当前,开展的超声电化学沉积研究主要集中于宏观沉积层和低深宽比微米级尺度结构层面,今后高深宽比微米级特征尺度结构及纳米尺度结构的实现乃至优质制造或将成为新的研究热点。     

电化学沉积法修复混凝土裂缝的研究进展

从电沉积法修复混凝土裂缝的机理、电沉积溶液的选择、电沉积效果的表征及其影响因素、电沉积方法修复后混凝土性能的改善4个方面论述了电化学沉积法修复混凝土裂缝的研究进展.探讨了对电沉积法修复混凝土裂缝的机理,分析了电沉积溶液的选择要求,对比了不同学者关于电沉积效果的表征方法及其影响因素,并归纳了电沉积方法修复后混凝土性能的改善,最后提出电沉积方法对混凝土裂缝的修复机制、愈合效果评价、电沉积层与钢筋混凝土结构基体材料界面结合机制等方面还有待进一步的研究.     

基于电化学金属化机制的电子突触电导可控性研究进展

随着数据信息的爆炸性增长和微电子加工工艺逼近物理极限,互补金属氧化物半导体(CMOS)器件难以应用于大规模神经形态器件的构建。采用非CMOS器件实现突触可塑性模拟被认为是后摩尔时代构造人工神经网络的关键。在众多的非CMOS器件中,忆阻器具有电导可调、结构简单等优点,被认为是再现神经突触功能、实现计算存储一体化的基础元件。在众多类型的忆阻器中,基于电化学金属化机制(ECM)的忆阻器具有机理明确、可超高密度集成、对材料属性不敏感等优点,特别适合应用于电子突触的构建。但ECM电子突触存在着电导可控性不足的问题,制约着高性能神经形态器件的实现。国内外研究人员针对ECM电子突触的电导可控性展开了大量研究。本综述从器件结构和材料角度梳理了ECM电子突触电导可控性的优化方法。     

功能薄膜电化学沉积技术的新进展

电化学技术被广泛用于新型材料和结构的制备研究中。本文结合作者正在开展的研究工作，综述近年来电化学技术在半导体薄膜、氧化物超导薄膜、导电聚合物以及复合功能材料制备中的应用。该技术及其所制备的材料在光电转换、光开关和量子激光器等方面将获得广泛的应用。     

离子液体在电化学沉积中的研究进展

室温离子液体是由有机阳离子和有机或无机阴离子组成的一类新型液体,利用离子液体电沉积金属、半导体金属等有着重大意义.介绍了离子液体的性能,综述了离子液体在单质金属、合金、半导体电化学沉积中的应用.并展望了离子液体用于金属沉积的发展前景.     

电化学沉积法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜电池

采用简单的两电极电化学沉积金属薄膜技术,在镀钼的钠钙玻璃衬底上共沉积Cu-Sn层后,再沉积Zn金属层,制备出Cu-Sn-Zn金属预制层。在不同的温度下进行低温退火后,以硫粉作为硫源高温硫化金属预制层,制备出晶体质量较好的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)对薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征,发现共沉积Cu-Sn层,再沉积Zn金属层得到的CZT预制层表面平整但晶粒尺寸较小,经过退火处理后晶粒尺寸得到改善,且硫化后所得到的CZTS薄膜不易从Mo衬底上脱落,粘附性较强。用其制备的CZTS薄膜太阳电池的开路电压Voc=569mV,短路电流密度Jsc=8.58mA/cm2,光电转换效率为1.40%。     

超临界电化学沉积技术的研究进展

分析了超临界流体特性及其电化学沉积新方法,综述了二氧化碳超临界电化学沉积过程中,表面活性剂的特性、二氧化碳的含量以及对温度、压力等过程参数对所形成的超临界导电乳化液影响的研究进展.阐述开展该项电沉积技术在制备高性能纳米镀层材料等方面的研究成果,并对今后的发展方向进行了展望.