GaAs大面积液相外延载流子均匀性的研究

采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、多次生长的液相外延工艺。同时,为了满足实验的需要,设计了一种新型推拉式石墨舟。实验结果表明此方法是可取的。     

砷化镓液相外和廷片均匀性的研究

介绍了在ＧａＡｓ液相外廷过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外廷生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外廷片，并确定了比较好的生长工艺条件。这对生长高质量的ＧａＡｓ外廷片制做参数一致性好，可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义。     

水平式MOCVD系统生长速度均匀性的研究

本文讨论了影响生长速度的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸气压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了计论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.     

LPE生长外延片超薄有源层结构的SEM研究

通过对液相外延（LPE）生长的外延片不同处理方法的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜（SEM）来观测有源区厚度的有效方法──蒸金法，最优可观察有源区厚度20nm，对设计厚度为18nm结构来说[1]，这是一种便利而有效的观察手段。     

高迁移率GaAs外延片制备的研究

提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法．     

温度均匀性对V形槽面黑体辐射特性的影响

为了解决同心圆V形槽结构面源黑体的温度不均匀性产生原因及其对辐射特性的影响等问题,提出了基于蒙特卡洛全光路跟踪的辐射特性评估方法.首先通过与精密方法的相互比对验证了该方法的正确性及准确程度,而后分析了温度不均匀性的产生原因及变化规律,最后对温度均匀性与辐射特性之间的影响关系进行了研究.结果表明,槽夹角越小、槽深度越深、工作温度与环境温度差异越大,温度均匀性越差;槽夹角和槽深度还会直接或间接的对有效发射率产生影响.作为结论,建议采用45°或60°槽夹角,槽深度不宜超过2 mm,建议附加热管技术以及保护套筒结构.     

计量光栅均匀性误差的研究

本文对计量光栅制造工艺中，易引起均匀性误差的主要因素进行了分析讨论，并提出了相应控制措施。     

基于TEM图像的CNT溶液分散均匀性分形方法

针对传统评价方法的不足,提出了一种以分形理论为数学模型基础的碳纳米管长度分布及分布均匀性的定量评价方法.将碳纳米管溶液TEM图像进行处理,得到简化矩阵,以简化矩阵的第1个元素为原点,提取不同步长及该步长内所有元素的和,在双对数坐标中以拟合直线的斜率作为碳纳米管长度分布参数p1.以TEM图像的中心为圆心做圆,提取不同半径圆内的碳纳米管数量,在双对数坐标中以拟合直线斜率的倒数作为分散均匀性参数p2.将该方法应用于不同方法分散的碳纳米管分散均匀性的描述,结果验证了该方法能正确地评价碳纳米管的长度分布及其分布均匀性.     

不同衬底上低温生长GaN形貌的AFM观察

　Aim　To study the relationship between the substrate temperature and the morphology and properties of GaN. Methods Applying the hydride chemical vapor deposition method, GaN films were deposited on different kinds of substrates, including sapphire, Si(111),Si(100),GaAs and GaP(111) both on the P face and the Ga face. The growth was performed at low temperatures of below 700℃. XRD, Hall measurement, cathodoluminescence (CL) and atomic force microscopy (AFM) were used to characterise the film properties. Results It was found that the temperature and the nature of substrate materials influence the layer morphology. Conclusion The analysis shows that no apparent relationship exists between the optical properties and layer morphology.     

生物预处理官厅水库水源水试验研究

曝气生物滤池具有体积小、处理效率高等特点。在不同温度下,采用两级淹没式曝气生物滤池,对官厅水库水源水顶处理的沿程去除特性进行试验研究。结果表明：①生物滤池所去除的CODMn中的80％在BAFI中完成,即滤柱高的50％;而所去除的氨氮70％发生在BAFⅡ;②在极低温度下(1℃以下),有机物和氨氮的去除受到了低温的严重抑制,亚硝酸盐转化成硝酸盐不再是完全硝化反应的限制步骤。     

甲烷在纳米材料Pt表面吸附的理论研究

采用密度泛函数方法,对甲烷在纳米粒子铂(Pt)表面短桥位的吸附模型进行了结构优化和能量计算,同时对C-H键和C-Pt键的键长进行了研究分析．结果表明,费米能级向右移动．吸附后,C-H键被削弱,键长变长,金属内部的作用亦被削弱;同时在吸附过程中要克服一个能垒．     

EVA／LLDPE共混体系发泡塑料的研究

本研究采用一步法模压发泡工艺，探讨了ＥＶＡ树脂的型号及用量对泡沫塑料性能的影响；观察了泡沫塑料的微以结构；并比较了相同条件下制得的ＬＬＤＰＥ与ＬＤＰＥ泡沫塑料的性能。     

高温空气燃烧回流混合模型研究

从理论方面对高温空气燃烧的回流混合过程进行了简化的模型研究,提出了回流区混合指数的概念,给出了高温燃烧回流区混合指数和混合长度的数学表达式,为深入研究高温燃烧的混合过程及其作用提供 了理论依据。     

威布尔分布特性的定量研究

目的对威布尔分布3个特性进行定量研究. 方法对威布尔三参数方程进行理论分析,并用数学软件进行图解分析. 结果导出17个算式和7幅图. 结论在标准型下,威布尔的概率密度函数(pdf)曲线族出现双峰形,pdf的最大极限点曲线以直线t=0和直线t=1为渐近线. 当β=3.30～3.40时,威布尔分布最接近于正态分布.     

高速偏振态测量方法的研究

介绍了测量偏振态的理论,提出了利用偏振控制器、偏振分束器及双探测器测量偏振态的方法,该方法具有速度快、精度高的优点。最后实际测量了掺铒光纤激光器的偏振态,并对测量结果进行了分析。     

正交试验法研究定形复合相变材料的制备工艺

为制备适用于调温纺织品领域的定形相变材料,用溶胶-凝胶法制备了复合相变材料,其中定形材料为以正硅酸乙酯为前驱体通过溶胶-凝胶法制得的二氧化硅凝胶,以月桂酸/十六醇二元低共熔物为相变材料.采用正交试验法研究了溶胶-凝胶法制备复合相变材料的工艺条件.各因素影响复合相变材料的控温能力次序为:酯PCM比>酯水比>pH>反应温度...