砷化镓液相外和廷片均匀性的研究

介绍了在ＧａＡｓ液相外廷过程中，通过改变源溶液的配比及处理方法、外廷生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件，制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的ＧａＡｓ外廷片，并确定了比较好的生长工艺条件。这对生长高质量的ＧａＡｓ外廷片制做参数一致性好，可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义。     

高迁移率GaAs外延片制备的研究

提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法．     

分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．     

MOVPE生长Siδ掺杂GaAs／Al0.3Ga0.7As异质结构及其霍耳测量

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构,其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ,二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２,均比相同结构的生长体掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构样品有很大提高,证实了使用δ掺杂技术取代体掺杂技术可以获得电学性能更佳的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结构．     

高功率GaAlAs／GaAs SQW激光器

利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料,利用该材料制作的激光二极管,室温连续工作,功率为１Ｗ,斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。     

MOVPE生长Znδ掺杂GaAs结构的霍耳测量

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构．结果表明,改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０１３／ｃｍ２的室温二维空穴浓度．在１５～８０Ｋ低温下发现高浓度Ｚｎδ掺杂ＧａＡｓ样品中出现反常霍耳导电行为．     

分子束外延GaAs／AlGaAs量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工艺过程．     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ双异质结激光器。脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率的１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ。较详细地介绍了器件制作的后工艺过程。     

适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs／GaAsBH激光器

本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器。其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成，目前条宽６－８μｍ，腔长２５０μｍ的ＨＢ激光器已实现了室温连续工作，典型阀值电流为４０－５０ｍＡ，最低阀值电流为２８ｍＡ。     

量子阱红外探测器光敏元参数测试

针对量子阱红外探测器(QWIP)光敏元灵敏度低,参数测试条件苛刻的局限,在充分研究其工作原理的前提下,构建了其工作环境,设计了多个参数的测试方案.在液氮制冷条件下测试了8～9 m GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的电阻温度特性、电流温度特性,利用电流前放和锁相放大依次对QWIP的输出电流信号进行选频放大,测试其光电流,得到了QWIP光敏元电阻与温度的对应关系,验证了器件的负电阻温度特性,进而可以快速判断探测器光敏元的有效性.测试采用LabVIEW8.0进行数据处理、分析及显示.通过对实验数据的分析,QWIP的阻抗随温度的降低呈指数上升,暗电流随着工作温度的降低而减小,光电流随着温度的降低而增大,表明探测器的性能随工作温度的降低而逐步增强.     

Quantum efficiency and temperature coefficients of GaInP/GaAs dual-junction solar cell

GaInP/GaAs dual-junction solar cell with a conversion efficiency of 25.2% has been fabricated using metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) technique.Quantum efficiencies of the solar cell were measured within a temperature range from 25 to 160 ℃.The results indicate that the quantum ef-ficiencies of the subcells increase slightly with the increasing temperature.And red-shift phenomena of absorption limit for all subcells are observed by increasing the cell's work temperature,which are consistent with...     

通讯波段低密度InAs量子点的研究

1.3和1.5μm波长低密度自组织双层量子点被期望首先用在在单个光子光纤传输中,这种结构是基于由一薄层GaAs隔离的双层InAs量子点实现的,由于应变场的存在,第一层量子点为第二层量子点提供了一个成核区,低温生长的双层InAs量子点发光主要来自于顶层量子点,顶层量子点发光波长会向长波长移动。在本论文中,利用低密度InAs量子点作为获得长波长双层InAs的种子层,实验制备的双层InAs量子点,波长约为1.4μm。     

基于单片机的温室温湿度自动控制系统设计

根据温室大棚对温湿度控制的需要,设计了基于于单片机的温度湿度自动控制硬件和软件系统。本设计可以有效控制温室大棚的生长环境,提高了植物的生长质量。此控制方法经稍加改动便可以灵活地运用到其他温湿度变化的控制场合,具有较好的可移植性。     

发电机转子温度的光电测量

根据砷化镓半导体的光吸收特性 ,设计了一种新型的发电转子温度测量系统 .利用模拟装置 ,在实时、动态、非接触的情况下 ,实现了发电机转子温度检测 ,取得了圆满的实验效果     

GaAs中碳受主局域振动模光吸收特性

在ＧａＡｓ中碳受主局域振动模光吸收主带的低能侧发现一个吸收边带。研究了该边带的起因及其对主吸收带积分面积测定和主吸收带积分面积温主关系的影响。     

齐平式端板连接组合节点温度场分布研究

通过有限元方法分析了平端板组合节点连接在升温过程中的温度场分布情况,总结了端板组合节点在高温下温度分布特性,并且结合理论方法给出了此类组合节点温度场实用计算公式,为组合节点抗火性能研究奠定基础。     

分离式热管换热器与低压省煤器的性能分析

根据火电厂热系统节能理论,对低压省煤器(low pressure economizer, LPE)系统利用电站锅炉排烟余热加热凝结水进行了节能定量分析,同时分析了分离式热管换热器的工作原理与传热机理。结合某320 MW凝汽机组参数,应用等效焓降法,对分离式热管换热器与低压省煤器进行了经济性与可靠性分析比较。结果表明,分离式热管换热器具有等壁温防低温腐蚀的优点,但结构布置的特点导致其更易积灰。分离式热管换热器加热的凝结水温度受热管工质饱和温度的限制,排挤抽汽的能级低,回收相同的烟气热量,低压省煤器的节能量约为相同换热面积分离式热管换热器的2倍。     

提高微型柴油机冷启动性能的研究

本文介绍了用自制的电阻丝温度传感器及压力传感器对小型柴油机缸内气体瞬时压缩温度和压力的测量,总结了各种因素对瞬时压缩温度和压力的影响规律,指出了提高小型柴油机冷启动性能的根本性措施:在主燃烧室内设计一个局部集中的高温区域,让油束能部分进入该高温区域;指出了每一台机均有一最佳启动转速和最佳启动供油量;良好的润滑有利于有效启动;提出了用可燃温度的温—时面积值,判断启动性能的好坏及有效启动的可能性.     

关于光纤温度传感器的研究

本文首先从理论上较系统的描述了GaAs半导体光纤温度传感器的构成原理,并据此建立了有关的设计计算方法和技术。提出用LED耦合双尾纤的方法构成光纤温度传感系统,可有效解决长时间实时温度遥测的问题。文章还介绍了利用单板机实现数据采集的硬件和软件技术。这一研究成果使这种传感器具有多路智能化温度实时监测能力,向实用化阶段前进了一步。