存储器市场发展趋势

技术发展趋势 存储器技术是一种不断进步的技术,随着各种专门应用不断提出新的要求,新的存储器技术也层出不穷,每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史,因为开发新技术的初衷就是为了弥补某种特定存储器产品的不足之处。例如,闪存技术脱胎于EEPROM,它的一个主要用途就是为了取代用于PC机BIOS的EEPROM芯片,以便方便地对这种计算机中最基本的代码进行更新。尽管目前非挥发性存储器中最先进的就是闪存,但技术并未就此停步。生产商们正在开发多种新技术,以便使闪存     

可应用于手机的AMD低压快擦写可编程只读存储器

AMD从事快擦写可编程只读存储器(以下简称闪存)的制造已有10年的历史,到目前,AMD具有专门的世界级闪存生产线,能够提供功能最全面的闪存产品。实际上,闪存已成为AMD的主要存储器业务。AMD不仅因获得100多项闪存技术专利而被公认为闪存产品及技术上的领袖,而且为闪存工业建立了质量标准。AMD的负栅擦除闪存结构已为全球85％以上的闪存供应商所接受,在世界范围内,销售的超过60％的闪存产品可与AMD的兼容。图1反映的是20世纪90年代的全球闪存市场情况,从中可以看出AMD的重要贡献。除了市场的牵引,AMD所推行的产品增值解     

新型512Mb NOR闪存＋PSRAM／LPSDRAM子系统芯片

ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统。这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器（PSRAM）或低功耗同步动态随机存取存储器（LPSDRAM）。采用ST的现代90nm工艺技术制造，新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和更好的性价比。     

意法半导体（ST）非易失性存储器开发取得进展

意法半导体(STMicroelectronics)官布新型存储器开发取得重大进展，新产品被称为换相存储器(PCM)，其潜在性能优于闪存，优点包括更快的读写速度、更高的耐用性，以及向单个存储地址写入的能力。据称这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术。     

新闻集锦

近日，来自IBM，旺宏和奇梦达的科学家联合发布，一种新型计算机存储器技术“相变”内存，尺寸非常小，但是存储速度快于闪存，这种技术据称有望取代闪存。     

摩托罗拉展示首个4Mb硅纳米晶体存储器

摩托罗拉公司日前展示了全球首个基于硅纳米晶体的 4 Mb存储器件。这一全功能 4 Mb测试样片的出现 ,标志着半导体工业在开发浮栅式闪存的替代品道路上 ,实现了历史性的突破。据该公司研究人员介绍 ,通过测试他们相信 ,同浮栅式闪存相比 ,硅纳米晶体存储器体积能做得更小、稳定性更高 ,同时也更节能。硅纳米晶体存储器属于先进的“薄膜存储器”中的一种。摩托罗拉已经开发出相关技术以简化这些存储器件的制造。通过采用常规的硅积沉技术设备 ,摩托罗拉 Digital DNA实验室的研究人员在两层氧化物之间积沉了直径为 5纳米的球形硅纳米晶体。…     

相变存储器：基本原理与测量技术

正相变存储器(可缩略表示为PCM、PRAM或PCRAM)是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存,因为它不仅比闪存速度快得多,更容易缩小到较小尺寸,而且复原性更好,能够实现一亿次     

ST和Intel合作开发公用存储器子系统规范

NOR闪存是大众主流手机市场首选的存储器技术。据市场调研公司iSuppli资料显示，NOR闪存出贷量占手机嵌入式闪存出贷量的92．8％。ST和Intel是全球10大手机OEM厂商的闪存供应商，提供的NOR闪存占手机闪存市场的40％。     

基于高密度闪速存储器的研究和应用

主要介绍闪速存储器的技术分类,以及各类技术架构的特点和功能,简要对比了目前市场上各大存储器厂商的主要产品;并结合高分辨率数码相机实例分析了NAND型闪存K9W8G08的优缺点以及解决方案.     

MT29F2G08A／16A：2Gb90nm NAND闪存

美光公司日前推出两种2Gb的90nm闪存存储器MT29F2G08A和MT29F2G16A，目标应用在闪存卡、USB器件、海量存储设备和移动应用。NAND闪存补充了美光存储器系列和CMOS图像传感器解决方案。     

64GB NAND闪存存储器

Toshiba推出64GB嵌入式NAND闪存存储器模块,实现了更高容量。该芯片是6个嵌入式NADN闪存存储器模块新系列中的旗舰产品,完全符合最新e·MMC标准,设计用于各种数字消费电子产品,如智能电话、移动电话、上网本和数码摄像机。     

LSI发布SandForce闪存控制器创新技术

LSI日前宣布,发布最新的LSI SandForce 闪存控制器的创新技术,LSI SandForce 闪存控制器的新技术包括LSISHIELD^TM技术。这是一种高级的纠错方法：即便同时使用出错率较高的廉价闪存存储器也能实现企业级的SSD耐久度和数据完整性。     

大数据中心固态存储技术研究

比较SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)、闪存、磁盘和磁带等存储技术的性能,描述存储器层次结构,分析大数据中心云存储系统部署固态硬盘需克服的限制条件及两种用于遏制写入放大的技术,列举RAMCloud和Memcached两大实例,说明一致性散列算法的原理和应用。     

IBM展示首块集成式赛道存储器

据美国《技术评论》杂志报道，IBM公司在华盛顿举行的国际电子设备大会上展示了首块集成式赛道存储器样本。这款革命性的计算机存储新设备兼具传统硬盘的大容量和闪存的怏速运算以及持久耐用等特点。IBM表示．赛道存储器在存储密度和制造成本方面有望超越闪存。     

技术进步为铁电存储迎来更大市场空间

铁电随机存取存储器即FRAM（Ferroelectric Random Access Memory），是非易失性存储器的一种，由于种种性能优势，FRAM被业界寄望成为继闪存（Flash）之后的新一代存储器产品。[第一段]     

eMMC与SSD搅动未来嵌入式存储市场

随着便携电子产品体积不断缩小,特别是在薄型化趋势的引导下,因而对其中所使用的嵌入式存储器要求也越来越高。目前以平板电脑和智能手机为代表的互联网移动终端产品大行其道,无论是以硬盘为代表的外部存储器,还是以闪存为代表的内部存储器,都必须满足     

非易失性RMA将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，     

IBM、旺宏和奇梦达共同推出新型存储芯片

近日，来自IBM、旺宏和奇梦达的科学家联合发布了他们共同的研究成果——相交内存，这种新型计算机存储器技术将有望取代闪存芯片。     

自施反极化电子注入——MRAM的发展目标是终极高速存储器

2005年底索尼发布了一款高速存储器，它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写人次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列，写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度，可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。     

NAND快闪存储器"三明治"可支持高性能应用

位于美国加州纽华克（Newark）的闪存磁盘制造商——M-Systems公司与日本东芝公司设在该州伊尔文（Irvine）的半导体制造商——东芝美国电子元件公司经过合作，开发出了一项创新性的技术，该技术使得标准的多级单元（MLC）NAND快闪存储器能够在通常被NOR型存储器所主宰的高速、高可靠性系统中得到应用，例如代码数据和局部数据存储器。这项被称为x2的创新技术改进了NAND操作规范，并可使同等的NOR存储器容量增加三倍，或使同等的二进制NAND存储器容量增加一倍。标准NOR允许直接根据存储器的指令执行软件，但操作速度低于NAND，…