C_(60)富勒稀分子的电子传输特性

采用扩展的Hückel方法与格林函数方法,分析了双Au电极作用下C60富勒稀分子的电子结构与电子输运特性。结果表明,C60富勒稀分子与Au电极“接触”后,其分子轨道能级发生了较大的变化,HOMO,LUMO间的能隙显著减小;C60与Au电极之间的结合既有共价键的成分,又有离子键的成分;C60富勒稀分子的电压-电导率曲线以及伏安曲线表现出了微妙的量子特性。     

导电聚合物及其在隐身技术中的应用

介绍了导电聚合物的种类和性质,叙述了复合型导电聚合物和电子导电型聚合物的组成结构、导电机理及其制备方法,论述了导电聚合物在隐身技术中的研究和应用情况,简要总结了导电聚合物在隐身技术领域的发展方向．     

光电传感器在电机测速表中的应用研究

在工业测控系统中,经常需要对电动机的转速进行检测和控制。本文介绍了光电传感器实施电机转速测量的方法、基本原理．并用STC12C5A60S2和光电码盘配合M／T测速法来检测电动机转速,完成了一种基于STC12C5A60S2的电机测速表的系统设计。本文系统分析了系统的组成及工作原理,设计了电机测速表的硬件电路和软件编程,硬件系统包括光电传感器、脉冲信号处理和显示等相关模块,并运用汇编与c混合编程进行软件设计。该测速系统方便、稳定、可靠,具有较大的应用价值。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。     

光刻胶在光电产品中的应用及发展简述

进入90年代后，随着微电子信息技术的发展，微电子信息产业愈来愈受到人们的重视，发展速度之快。几乎超过人们的预料。与其相配套的世界电子化学品平均年增长率也保持在8％以上。是传统化工行业中发展最快的部门之一。预计到2005年。世界电子化学品的市场规模将超过300亿美元。     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义.     

光电旋转编码器在导弹模拟器中的应用

本文结合E682-CWZ6C型光电编码器的选型、结构和工作原理，给出了其在导弹模拟器的应用中方向检测电路及计数电路的设计思路和方法，提出了几种抗干扰措施．并分析了姿态角速率测量误差。     

机载光电瞄准系统在惯导系统校正中的应用

提出了一种用机械光电瞄准系统校正飞机惯导系统的方案，讨论了校正实施可能遇到的难点并提出了解决办法。     

火控光电瞄准系统在惯导校正中的应用

充分，合理利用现有机载设备的信息资源来提高导航精度和可靠性是一项非常值得研究的课题，根据某型飞机火控光电瞄准系统中头盔瞄准具的测角原理和激光测距机的斜距信息，提出了用其校正惯导航向和位置坐标和数学模型，并对其应用作了进一步的讨论，此结论对于其它机地航信息的融合也具有一定的借鉴价值。     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭。实验发现非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者的却有明显减小;稍后再次加淬灭光前者的持续光电导无变化,而后者的有明显增加。我们认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭;认为掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。     

立方相GaN的持续光电导

研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .     

Photoconductivity analysis of chromium and oxygen-related levels in semi-insulating GaAs

Semi-insulating GaAs doped with different amounts of Cr and oxygen has been characterized by extrinsic photocon-ductivity spectra at room temperature. The shape of the spectrum depends on the amount of Cr and oxygen dopant. It is interpreted by the two-level model which assumes the lattice relaxation effect at the Cr and oxygen-related levels. The height of the photoconductivity hump around 0.9 eV depends on the concentration ratio of Cr to oxygen; the larger the ratio is, the higher the hump is.     

非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象

研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象.据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道.通过系统的实验分析和理论研究认为,该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果.     

非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象

研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象.据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道.通过系统的实验分析和理论研究认为,该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果.     

非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化

研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况.用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合.这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定,而是由深的陷阱决定的.两个指数函数的衰退分别对应于距导带0.52eV和0.59eV的两个陷阱,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心.光照后,带隙中的复合中心增加,导致电子寿命的减少,从而引起光电导的衰退.     

非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化

研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况.用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合.这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定,而是由深的陷阱决定的.两个指数函数的衰退分别对应于距导带0.52eV和0.59eV的两个陷阱,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心.光照后,带隙中的复合中心增加,导致电子寿命的减少,从而引起光电导的衰退.     

Photoconductivity and photoluminescence studies in copper diffused InP

Cu diffusion was carried out in p-InP at 300°C for one hour followed by 600°C for one minute. High photoconductivity (I_ph/I_d = 2.6 × 10⁵ at 200K) was observed in this sample. Information about Cu related deep levels was obtained from dark conductivity, photoconductivity and its spectral response. A Cu related photoluminescence (PL) band was observed at 1.216 eV and its line-shape and line-width analysis carried out. The configuration coordinate diagram of the band was calculated and showed small lattice relaxation. In n-InP Cu diffusion at 650°C for two hours resulted in two PL bands at 1.20 and 1.01 eV. The former was similar to the 1.216 eV band in p-InP. The PL of the 1.01 eV band was also studied in detail and the corresponding configuration coordinate diagram derived. The parameters of the Cu related bands obtained from the line-shape and line-width analysis are compared with those reported due to Mn and Fe in InP.     

光折变晶体的光电导及陷阱密度

通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体Cu:KNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10A·m-2。实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1。在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大。     

Unraveling the Mechanism of the Persistent Photoconductivity in Organic Phototransistors

Persistent photoconductivity (PPC) in organic phototransistors provides an opportunity and broad prospects to achieve many emerging applications in optoelectronic devices. However, a fundamental understanding of PPC behavior is still a key challenge impeding its practical applications. In this study, for the first time, a mechanism for electron trapping is presented in oxygen‐induced deep levels in organic semiconductors for the clarification of PPC behavior with solid evidence. Both theoretical simulation and experimental investigation unveil that oxygen in air atmosphere plays a decisive role in determining the PPC behavior. Oxygen molecules can induce deep defect levels in the energy bandgap of organic semiconductors, which will act as deep traps for photogenerated electrons. The trapped electrons will be maintained in the traps and undergo a very slow releasing process after light illumination, thus leading to a noticeable PPC behavior for the organic phototransistors. The proposed mechanism shows good universality and can be applicable to a host of organic semiconductors for explaining the PPC behaviors. This work reveals the significant role of oxygen in PPC behavior and also provides guidelines for controlling the unique PPC behavior toward device applications.