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微弧氧化过程中电流和电压变化规律的探讨 总被引:21,自引:3,他引:18
根据微弧氧化过程中的一些现象,研究和分析了微弧氧化过程中电压和电流的变化规律以及微弧产生的机理。结果表明,微弧氧化过程中,电压是影响微弧氧化的主要因素之一,电压不能过高,否则将造成陶瓷膜的破坏。电流值在微弧氧化过程中的各个阶段相异,微弧氧化过程具有明显的阶段性。它可以初步分为始氧化膜形成阶段、微弧诱发阶段和平衡氧化阶段。 相似文献
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在优化的铝酸钠-磷酸钠复合电解液体系中,以ZK60镁合金为研究对象进行微弧氧化实验,并结合电压-时间曲线和微弧氧化各个阶段膜层的微观形貌以及物相分析等方面对复合电解液体系中微弧氧化过程及成膜机理进行了探讨。结果表明,该体系下微弧氧化过程分为了氧化膜生成阶段、微弧氧化膜层快速生长阶段和电压微小下降过程以及微弧氧化膜层的修整阶段。膜层的物相分析表明微弧氧化初期膜层主要成分为MgO,Mg和MgZn2,中后期膜层中的主体相为尖晶石结构的MgAl2O4和方镁石结构的MgO,微弧氧化的最后阶段对膜层的物相组成没有影响。 相似文献
3.
在硅酸钠-磷酸钠复合电解液体系中,以ZK60镁合金为研究对象进行微弧氧化,利用电压-时间曲线,扫描电镜,X射线衍射分析等研究复合电解液的微弧氧化过程,膜层微观形貌及物相组成,并通过全浸实验和划痕实验等测试手段,研究微弧氧化膜层的耐蚀性能和膜基结合力。结果表明,该体系下微弧氧化过程分为阳极氧化膜生成阶段、微弧氧化膜快速生长阶段和电压微小下降过程,以及微弧氧化膜修整阶段;Mg O和Mg2Si O4为膜层主要构成相;膜层表面平整光滑,与基体相比,微弧氧化膜层的腐蚀速率为0.3229 g/(m2·h),耐蚀性显著提高;且具有较高的膜基结合力,其高临界载荷8.49 N。 相似文献
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《金属学报》2016,(6)
对含有不同类型第二相的镁基材料进行微弧氧化处理,研究基体材料第二相对其微弧氧化行为的影响规律及其影响机制.利用SEM观察第二相在微弧氧化初期阶段的存在状态,并结合EDS分析第二相的成分及状态变化;通过不同镁基材料在微弧氧化过程中的电压演变趋势分析第二相对微弧氧化行为的影响.根据微弧氧化膜的生长原理,将膜层的生长过程简化等效为一个电容器的反复击穿-重构过程,并依此讨论了微弧氧化膜的形成过程及第二相的影响机理.结果表明,第二相对镁基材料微弧氧化行为的影响与其自身特性密切相关;在微弧氧化的初期阶段,第二相是否具备阀金属特性及其导电特性是影响微弧氧化行为的重要因素.对于具备阀金属特性的第二相,由于其表面能够形成火花放电所必须的阻挡层,因此第二相的存在不会对微弧氧化行为产生明显影响.对于不具备阀金属特性的第二相,其导电特性决定了镁基材料在微弧氧化初期阶段能否正常发生火花放电并顺利进入膜层生长阶段. 相似文献
6.
采用扫描电镜和金相显微镜系统研究了系列电压下AZ91D镁合金的表面氧化膜形成过程,讨论了微弧氧化膜层形成规律及成膜机制。结果表明:在试验电压范围内,微弧氧化起弧过程可以分为3个阶段:第1阶段为局部腐蚀与氧化相互竞争阶段,在表面缺陷处首先开始腐蚀,形成疏松的氧化膜,同时伴随水的电解过程;第2阶段为微区放电阶段,表面整体被氧化,形成少量孔洞的较致密氧化膜层,水的电解过程加剧;第3阶段为弧光放电阶段,氧化剧烈,膜层在电弧作用下击穿形成连通的孔洞,且孔洞直径和数量增加。 相似文献
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为了解电压在镁合金微弧氧化中的作用,本工作在双极性脉冲电源的恒流加载方式下,通过考察电压对氧化时间、膜层厚度及表面形貌的影响,研究电压对微弧氧化机理的影响。结果发现,当负电压为零,占空比20%和30%时,电压低于380V时所需的氧化时间要短于电压高于380V时的氧化时间。当占空比30%,负电压为零和40V时,电压低于340V的氧化时间和膜层增长速率都小于电压高于340V的;电压低于340V时的膜层表面形貌优于340V以上膜层。可见,微弧氧化过程中存在一个临界电压,微弧氧化过程分成两种情况,两种情况的微弧氧化机理不尽相同。 相似文献
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在不同浓度硅酸盐电解液中,采用交流电源对2A12铝合金试样进行微弧氧化处理试验,通过测量电极间电压和辅助电极间电压,根据电压参数的变化分析研究在交流电微弧氧化过程中氧化膜的生长机理,发现适当增大电解液浓度可降低氧化膜击穿时的电极电压. 相似文献
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《材料热处理学报》2016,(3)
在含有磷酸钠和钼酸钠的电解液中采用恒流模式对5083铝合金进行微弧氧化。研究了电流密度对氧化电压、膜层生长速率的影响;采用扫描电镜和能谱对氧化膜的表面形貌和成分进行了分析;采用电化学极化曲线测试了氧化膜的耐腐蚀性能。结果表明:在恒电流微弧氧化过程中,氧化电压出现直线快速增长和平稳增长两个阶段,且随着电流密度的增加电压逐渐增大;随着电流密度的增大,氧化膜厚度增加,其表面微弧放电产生的微孔数量逐渐减少,而"火山堆积"状形貌特征越来越明显,电流密度过大氧化膜出现局部剥落,其对氧化膜成分影响不明显;微弧氧化陶瓷膜提高了铝合金基体的耐腐蚀性能,当电流密度为7.5 A/dm2时,微弧氧化膜的自腐蚀电流为1.9×10-8A/cm2,比铝合金基体降低了1个数量级,表现出良好的耐腐蚀性能。 相似文献
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利用微弧氧化技术,在碱性硅酸盐电解液中对纯铝进行表面改性处理,制备均匀致密的陶瓷膜。利用扫描电子显微镜(SEM)观察氧化陶瓷膜表面形貌及横截面组织结构,利用纳米压入硬度测试仪测量陶瓷膜的显微硬度和杨氏模量的分布,运用电化学方法测量陶瓷膜的耐腐蚀性能。结果表明,铝合金微弧氧化陶瓷膜的表面硬度高达25.3GPa,纳米硬度和杨氏模量在陶瓷膜的横截面分布相似,从膜基结合处向膜层表面呈下降趋势。从极化曲线中的腐蚀电势和腐蚀电流来看,微弧氧化处理后,纯铝的抗腐蚀能力得到很大的提高。 相似文献
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铝合金表面微弧氧化原位生长Al2O3陶瓷层技术 总被引:7,自引:2,他引:7
等离子微弧氧化技术是一种在金属表面原位生长氧化膜陶瓷层的技术,此类陶瓷层具有耐磨、耐蚀、耐高温热冲击等特性,介绍了铝合金等离子微弧氧化原位生长Al2O3陶瓷层技术的研究现状,基本原理,工艺特点以及膜层性能和应用情况。 相似文献
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为进一步提高纯镁表面微弧氧化陶瓷层的摩擦磨损性能,在硅酸盐体系的电解液中加入不同质量浓度的石墨烯添加剂,对纯镁试样进行微弧氧化处理。利用扫描电子显微镜、电子探针、显微硬度仪和原子力显微镜等分析镁微弧氧化陶瓷层的表面和截面形貌、陶瓷层成分、显微硬度和表面粗糙度,并用MS-T3000球-盘磨损实验机对微弧氧化陶瓷层的摩擦学性能进行研究,台阶仪计算比磨损量。结果表明:在微弧氧化电解液中加入少量石墨烯添加剂后制备的陶瓷层中含有一定量的碳元素,含碳的微弧氧化陶瓷层在干摩擦小滑动距离下的摩擦因数显著减小,最低至0.095,较原始镁试样的0.45减小近50倍,含碳微弧氧化陶瓷层比磨损量是原始试样的1/5。纯镁表面含碳微弧氧化陶瓷层有效提高了纯镁表面的减摩和耐磨性。 相似文献
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