织构C60薄膜的生长研究

本文用热管法以氟金云母单晶为衬底生长出了（１１１）织构的Ｃ６０薄膜，用Ｘ射线衍射谱研究了薄膜的织构特性，用扫描电镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）观测了薄膜的表面形貌、晶粒分布、结晶形和晶粒大小。     

C60／Pd多层膜TEM研究

通过蒸发和磁控射镀膜的方法，交替沉积Ｃ６０和金属Ｐｄ膜，制备了不同周期和厚率比的Ｃ６０／Ｐｄ多层膜，利用透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了这些薄膜退火前后的结构。     

飞秒脉冲制备纳米颗粒

研究人员发现了一种利用低功率、稳定飞秒激光脉冲制备大小均匀纳米颗粒的方法，而且只要改变烧蚀时的背景气体就可以制出不同的颗粒结构，如立方体、核一壳结构体。制成的纳米颗粒均匀散落在基质上，而不会出现集聚的情况。研究人员称，这种技术的优点之一就是简单，而且与基质材料无关，不需要加热过程。这意味这纳米颗粒可以沉积在热敏基质上，如玻璃、塑料和聚合物薄膜。     

利用纳米颗粒制成防雾膜

世界各地的研究人员多年来一直在发展防雾技术，但是每种都有缺点。例如，一些店铺出售的能够减少汽车玻璃内雾气的防雾喷剂，这些喷剂需要经常使用以保持效果；在玻璃中掺入二氧化钛也可能减少结雾，但是这只有存在紫外线的情况下才会有效。最近美国麻省理工学院的材料科学家Rubner M和他的同事发明了一项纳米颗粒镀膜技术（通过一项特殊层层自组装技术把微小的玻璃颗粒镀在玻璃表面，最终形成一层亲水的纳米多孔薄膜），     

C60薄膜的制备

本文首先简要叙述了Ｃ＿（６０）分子的结构以及Ｃ＿（６０）固体的结构和物性，然后较详细地讨论了目前采用的几种气相生长Ｃ＿（６０）。薄膜的方法，以及不同的衬底上Ｃ＿（６０）薄膜的生长特性，最后提出了目前Ｃ＿（６０）薄膜生长研究中存在的几个问题。     

CuInSe2纳米颗粒膜的磁控溅射制备和特性分析

采用Cu,In,Se三元扇形复合靶,在玻璃基片上用射频磁控反应溅射技术制备CuInSe2(CIS)纳米颗粒膜.CIS颗粒的大小可通过改变溅射功率、基片温度和膜厚来调节.测量并讨论了所制备的CIS纳米颗粒膜的内部晶相结构、电阻率、导电类型以及光吸收等性质.     

RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒

利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。     

RF磁控溅射和氮化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒

利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si（111）衬底上，然后ZnO／Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化，高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华，而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射（XRD）测量结果表明，利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、傅里叶红外透射谱（FTIR）及选区电子衍射（SAED）观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。     

用ICB法制备C60薄膜

用ＩＣＢ法制备Ｃ＿（６０）薄膜１９９０年以来，对作为新材料的Ｃ＿（６０）展开了广泛的研究工作，特别是利用掺杂碱金属来控制电导率，制作临界温度Ｔ＿ｃ＝１８Ｋ（Ｋ＿３Ｃ＿（６０）），３３Ｋ（ＲｂＣｓ＿２Ｃ＿（６０））的超导体，用它制作新电子器件的希望很大...     

A low voltage and small hysteresis C_(60) thin film transistor

Organic thin film transistors with C_(60) as an n-type semiconductor have been fabricated.A tantalum pentoxide(Ta_2O_5)/poly-methylmethacrylate(PMMA) double-layer structured gate dielectric was used.The Ta_2O_5 layer was prepared by using a simple solution-based and economical anodization technique.Our results demonstrate that double gate insulators can combine the advantage of Ta_2O_5 with high dielectric constant and polymer insulator for a better interface with the organic semiconductor.The performanc...     

C60薄层作为CVD金刚石成核区的研究

本文研究了在微波等离子体ＣＶＤ系统中，金刚石在Ｃ６０蒸发膜表面的成核行为，观察到金刚石晶核聚集现象，并且讨论了这种成核行为的产生机理。     

C60与金刚石薄膜成核关系的研究

采用热丝化学气相沉积法在覆盖C60膜的硅基片上沉积金刚石膜,研究了金刚石膜的成核与生长.实验结果表明,金刚石的成核密度可达1×106Cm-2,利用这种方法可实现衬底无损淀积金刚石膜.C60之所以能够促进金刚石成核,我们认为主要与C60分子本身独特的结构及H原子的激活作用有关.同时,高温下C60分解后残留的石墨等碳碎片以及C原子与衬底Si反应生成的SiC都可作为金刚石的成核位.     

获得金纳米颗粒表面C60 SERS的一种新方法

报道了覆金滤纸和滤膜上的C60表面增强拉曼散射(SERS),增强因子达到10^5以上。分别以吡啶和CS2为溶剂媒质,对C60吡啶金胶溶液、C60(吡啶)金胶滤纸以及C60(CS2)金胶滤膜3种体系进行了SERS研究和比较。由于其避开了溶剂和金胶中水的影响,这为金纳米颗粒表面C60 SERS研究提供了一套新的思路。通过群论计算分析,并与C60固体拉曼谱相比较,得到了大量的C60分子信息。     

C60单晶膜生长与衬底表面结构相关性研究

本文讨论了气相外延Ｃ＿（６０）薄膜与层状衬底表面结构是否相关的两种观点。根据对现有的实验结果分析，我们认为Ｃ＿（６０）单晶膜薄的生长与层状衬底表面结构相关，不同的表面结构与Ｃ＿（６０）分子的相互作用是不同的，从而影响生长膜的单晶完整性。     

C_（60）在微孔玻璃中的渗透及光限制效应的研究

报道了以甲苯作为溶剂，把Ｃ６０渗透到微孔石英玻璃中的制备过程，测定了去除溶剂甲苯之后含Ｃ６０微孔玻璃的吸收谱，采用调Ｑ１０ｎｓ脉冲ＹＡＧ倍频光（５３２ｎｍ）观测并研究了这种复合材料的反饱和吸收特性及光限制效应与此激光波长的依赖关系。上述材料的抗激光损伤阈值达９Ｊ／ｃｍ２     

利用MFM研究薄膜厚度对Co60Fe20B20薄膜磁畴结构的影响

本文利用磁力显微镜(MFM)主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化(2.5nm～400nm)对薄膜磁畴结构的影响.在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大.从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高.当薄膜厚度小于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大;当薄膜厚度大于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小;厚度在20nm附近时,畴壁尺寸达到一个最小值.     

Electroforming characteristics of SED emitter in Al-AlN granular films

The Al-AlN granular film was proposed as a cathode emitter of surface-conduction electron-emission display (SED) and the effect of Al-AlN granular films' resistivity on electroforming in experiment and...