Nd∶TAG激光器从1．06μm向1．32μm的改装

证实了１．３２μｍ波长上运转的输出功率大于２．０Ｗ的单模稳定连续波Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器可通过对性能较好的进口激光器进行简单的改装而获得。同时讨论了Ｎｄ∶ＹＡＧ激光器在１．３２μｍ波长上连续波调Ｑ及连续波锁模运转的可能性．     

10Gb／s0．18μm CMOS限幅放大器

采用SMIC0．18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb／s速率上。小信号增益为46．25dB,-3dB带宽为9．16GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1．8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。     

0．1μm NMOSFET沟道δ－掺杂与结构特性

沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏源电流ＩＤＳ、截止态电流Ｉｏｆｆ、阈值电压ＶＴＨ和Ｓ因子的要求，提出了使性能和可靠性得到优化的δ－形掺杂分布。     

2μm波段混合复合谐振腔型单纵模光纤激光器

设计并演示了一种2μm波段高信噪比混合复合谐振腔型单纵模（SLM）掺铥光纤激光器（TDFL）。混合复合谐振腔由基于3个均匀光纤布拉格光栅（FBG）和2个光纤耦合器（OC）的非对称线形复合四腔和基于另外2个OC的双OC环形腔组成。基于游标原理,非对称线形复合四腔可以实现激光SLM选择。双OC环形腔作为窄带滤波器,进一步确保激光器长时间SLM稳定运行。采用放大的1567 nm激光泵浦掺铥光纤,当泵浦功率为2.80 W时,激光输出中心波长为2049.160 nm,输出功率为15.47 mW,光信噪比高达75.65 dB,200 min测量时间内波长和功率波动分别小于0.005 nm和0.85 dB,10 min测量时间内激光可以保持稳定的SLM运行,激光器的阈值泵浦功率和斜率效率分别为1.75 W和1.43%。提出的TDFL在自由空间光通信、激光雷达、光学传感等领域具有潜在的应用价值。     

华润上华发布多款新型BCD及0．13μm工艺平台

华润上华近日发布其新近开发的BCD工艺平台,同时其8英寸生产线也推出多款新型BCD和0．13μm工艺平台,以满足客户在新兴半导体应用市场的需求。     

1μm周期量级超快激光器研究进展

1μm波段超快激光器在材料表面改性、材料微加工等有着广泛的应用前景。激光振荡和放大技术能增强谐振腔的模式选择能力,激光增益和补偿器件可以提高激光峰值功率,进一步减小输出激光的脉冲宽度。主要概述了1μm波段周期量级的超快激光振荡器（纯被动锁模、孤子锁模、克尔透镜锁模）、超快激光放大器（啁啾脉冲放大、脉冲整形、非线性压缩技术）,以及1μm超快激光器的调控器件与系统（激光增益介质、色散调控器件、高阶横模产生以及超快激光智能化控制）的最新研究进展。最后展望了1μm周期量级超快激光器的发展前景和趋势。     

二极管泵浦Nd∶GdVO4 连续波1. 34μm 激光器

报道了二极管泵浦的连续波1. 34μm Nd∶GdVO4 激光器,采用简单、结构紧凑的平-凹腔设计,实现了稳定的连续波1. 34μm 激光输出,在泵浦功率为8W时,获得最大输出功率为2W,光-光转换效率为25 % ,斜效率达28 %。     

1．3μm Nd~（3＋）∶YAG脉冲激光器的特性与设计

对Ｎｄ３＋：ＹＡＧ１．３μｍ波段的脉冲激光器进行了特性分析和实验研制。尤其是输出腔镜的最佳透过率的选择，谐振腔类型的选择，以及与１．０６μｍ脉冲器件的比较和改造。文中给出了最佳透过率，１．３２ｕｍ，１．３４ｕｍ两波长激光能量与输出镜透过率的关系等实验数据。     

In0．2Ga0．8As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs／GaAs自组织量子点

用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.