共查询到18条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
一种新型的CMOS电流反馈运算放大器 总被引:3,自引:4,他引:3
电流反馈运算放大器在高速高频电子领域有广泛的应用,但目前市场上流行的基于互补双极性结构的电流反馈运算放大器的电源电压和功耗都较高。文章主要在文献[1~3]基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器,使用0.51μmCMOS工艺参数(阈值电压为0.7V),模拟结果获得了与增益无关的带宽、极大的转换速率。电路参数为:81db的开环增益、87度的相位裕度、123db共模抑制比,以及在1.5V电源电压下产生了约6.2mW的功耗。 相似文献
2.
3.
设计了一种基于流水线模/数转换系统应用的低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构与一种新型连续时间共模反馈电路相结合以达到高速度及较好的稳定性。设计基于SMIC 0.25μm CMOS标准工艺模型,在Cadence环境下对电路进行了Spectre仿真。在2.5V单电源电压下,驱动0.5pF负载时,开环增益为71.1dB,单位增益带宽为303MHz,相位裕度为52°,转换速率高达368.7V/μs,建立时间为12.4ns。 相似文献
4.
5.
低噪声高共模抑制比的运算放大器是将套筒式共源共栅结构、差分输出和共模负反馈相结合,设计出的一种新型运算放大器.基于SMIC0.18 μm工艺模型对电路进行设计,仿真结果表明该电路的开环增益为82.3 dB,相位裕度为66°,共模抑制比为122 dB,增益平坦带宽为15 MHz,噪声为7.781 nV/sqrt (Hz),达到设计要求. 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.
11.
本文描述了一个共源共栅差分输入级、电流镜偏置输出级结构的两级CMOS运放,它对常规运放的电源电压抑制比、增益、输出驱动能力、噪声、失调等有显著的改善。文中对运放的工作原理及设计技术等进行了详细的叙述,并采用标准CMOS工艺进行了投片试制和采用SPICE进行了电路模拟。结果令人满意,达到了设计指标,证明了设计理论的正确性。该运放已成功地应用于开关电容滤波器芯片的制造。 相似文献
12.
基于UMC的0.6μm BCD 2P2M工艺,探讨了一种高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器.该运算放大器的输入级采用互补差分对,其尾电流由共模输入信号来控制,以此来保证输入级的总跨导在整个共模范围内保持恒定.输出级采用ClassAB类控制电路,并且将其嵌入到求和电路中,以此减少控制电路电流源引起的噪声和失调.为了优化运算放大器低频增益、频率补偿、功耗及谐波失真,求和电路采用了浮动电流源来偏置.该运算放大器采用米勒补偿实现了18MHz的带宽,低频增益约为110dB,Rail-to-Rail引起的跨导变化约为15%,功耗约为10mW. 相似文献
13.
14.
介绍了一种应用于超低EMI无滤波D类音频功放的全差分运算放大器结构,可构成积分器,起滤除高次谐波的作用。该运算放大器采用两级结构来获得高增益,第一级为折叠共源共栅,偏置电路采用反馈结构,给整个运算放大器提供偏置电流,从而提高电路的电源抑制比;采用伪AB类输出级提高运放的瞬态响应,稳定运放输出。仿真结果表明,该电路具有良好的性能:增益为113dB,相位裕度为67°;单位增益带宽为1.9MHz,共模抑制比为160dB,电源抑制比为82.7dB;共模反馈环路增益为120dB,相位裕度为62°。 相似文献
15.
16.
一种输入输出轨到轨CMOS运算放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
随着电源电压的日益降低,信号幅度不断减小,在噪声保持不变的情况下,信噪比也会相应地减小。为了在低电源电压下获得高的信噪比,需提高信号幅度,而输入输出轨到轨运算放大器可获得与电源电压轨相当的信号幅度。中文在理论分析了输入输出轨到轨CMOS运算放大器主要架构优缺点后,给出了一种新的输入输出轨到轨CMOS运算放大器的设计,该电路在华润上华0.18 μm工艺平台上流片验证。测试结果表明,输入范围从0到电源电压,输出范围从50 mV到电源电压减去50 mV,实现了输入输出轨到轨的目标。 相似文献
17.
基于直流对称偏置技术、版图的对称布局布线和先进的CMOS工艺技术。文中设计了一种低失调电压的高性能运算放大器。测试结果表明,在负载电容100 pF和电阻10 kΩ的情况下,最大失调电压<2 mV;开环增益为98 dB;单位增益带宽达到10.4 MHz;相位裕度为55°;电源抑制比为-87 dB。该电路可广泛用于高性能数模混合电路、高性能模拟、计算、控制等系统中。 相似文献
18.
一种新型运放相位反转保护电路 总被引:1,自引:0,他引:1
在高噪声环境下,如何抑制相位反转现象的发生,是双极型和JFET型运放在电力电子、工业控制和汽车电子等领域应用中的一个重要问题.基于运算放大器电路相位反转现象的发生机理,针对现有抑制方法的不足,提出了一种新型的相位反转保护电路.该保护电路结构紧凑,仅需3个双极型器件,且当运放输入信号处于正常共模输入范围时,对运放的性能参数,如差模信号增益、建立时间和静态功耗等,没有不利的影响.理论分析与仿真结果表明,该保护电路不仅避免了运放电路相位反转的发生,而且有效地抑制了伴随相位反转的过流现象. 相似文献