ROHM开发出世界最小的0603规格的齐纳二极管、肖特基二极管

对于肖特基二极管、齐纳二极管、等系列产品,其所能达到的最小封装尺寸,一直止步于1006封装尺寸(1.0mm×0.6mm)。如今情况有了改变。ROHM全新开发的“GMD2”(0603尺寸)系列封装,采用ROHM独有的芯片结构配合超精密加工技术,既保留了过去同类产品的电气特性,     

MPS快恢复二极管正向压降的研究

介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。     

其他

SE-DC94A系列:热敏打印头ROHM开发出能够避免打印头与记录媒体粘在一起(会引发切段现象)的超低摩擦保护膜热敏打印头SE- DC94A系列。利用ROHM独特的薄膜开发出的无台阶结构实现了保护膜的低摩擦化。在消除切段现象的同时,磨     

SiC制MOSFET SCT2080KEC/SCH2080KE

ROHM公司的2代SiC MOSFET SCT2080KEC/SCH2080KE实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时还可减少部件个数。此次,ROHM通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造,成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且,与传统产品相比,单位面积的导通电阻降低了约30%,实现了芯片尺寸的小型化。另外,通过独创的安装技术,还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装,使SiC-MOSFET的体二极     

耐250℃高温的1200V-5A4H-SiC JBS二极管

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 V硅快恢复二极管(Fast recovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%.这是国内首次报道的250℃高温下正常工作的碳化硅JBS二极管.     

罗姆RASMID产品阵容新增TVS二极管

近年来，随着智能手机、平板电脑等各种设备的高性能化发展，市场对于元器件的要求趋向小型化、薄型化以及高精度、高可靠性。最近可穿戴终端兴起，对小型化、薄型化的要求日益高涨。ROHM在此前发挥独创的微细化技术，积极推进元器件的小型化技术革新，已成功开发出电阻器、晶体管、二极管、钽电容、LED等世界最小尺寸产品。ROHM将这些采用与传统截然不同的新工艺方法实现了小型化、以惊人的尺寸精度为豪的世界最小元器件定义为“RASMID（ROHM Advanced Smart Micro Device）系列”。     

一种快速离化波开关及其在高压脉冲源中的应用

讨论了一种先进的基于快速离化波组件漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的开关特性、工作原理及其在高压纳秒脉冲源中的应用.提出一种新方法解决了传统高压纳秒脉冲源设计难以突破的高功率、高重复频率工作问题,实现了高压纳秒源的全固态、高重频、高压、高可靠、长寿命工作.     

SE-DC94A系列：热敏打印头

ROHM开发出能够避免打印头与记录媒体粘在一起（会引发切段现象）的超低摩擦保护膜热敏打印头SE-DC94A系列。利用ROHM独特的薄膜开发出的无台阶结构实现了保护膜的低摩擦化。在消除切段现象的同时，磨损寿命与打印质量均得到提升。     

Band 40波段体声波滤波器的设计北大核心

射频(RF)滤波器在4G移动通信(如Band 40波段)中具有广泛应用。描述了基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的RF滤波器的设计和制作方法。体声波滤波器是由FBAR以T型结构级联的方式实现的。在滤波器的设计过程中,为了使仿真结果更接近于实际情况,采用考虑电极和衬底间耦合效应的改进的Mason模型对FBAR进行性能仿真和优化。最后,在8英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺线上对此滤波器进行了流片。测试结果表明,Band 40波段的体声波滤波器具有低的通带插入损耗(小于3 dB)、高的带外抑制(大于40 dB)和快速滚降特性。     

60V一步降到2.5V,ROHM单芯片助力48V车载电源

厉害了,ROHM DC/DC转换器 近日,ROHM面向轻度混合动力汽车等48V电源驱动的车载系统,开发出汽车要求的2MHz工作(开关)条件下业界高降压比的内置MOSFET降压型DC/DC转换器举实现应用的小型化与系统的简化.     

Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

采用微电子平面工艺,射频溅射Mo作肖特基接触,电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触,三级场限环终端表面保护.并通过对Mo接触进行合理的高温退火,不降低理想因子和反向耐压特性情况下,有效控制肖特基势垒高度在1.2～1.3 eV范围内,成功研制出高耐压低损耗Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管.其特性测试结果为:击穿电压Vb为3000V,串联导通电阻Ron为9.2mΩ·cm2,Vb2/Ron为978MW/cm2.     

Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

采用微电子平面工艺,射频溅射Mo作肖特基接触,电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触,三级场限环终端表面保护.并通过对Mo接触进行合理的高温退火,不降低理想因子和反向耐压特性情况下,有效控制肖特基势垒高度在1.2～1.3 eV范围内,成功研制出高耐压低损耗Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管.其特性测试结果为:击穿电压Vb为3000V,串联导通电阻Ron为9.2mΩ·cm2,Vb2/Ron为978MW/cm2.     

东芝公司开发高耐压SiC Super SBD

据《东芝レビユ》2007年第3期报道,由于SiC材料是一种高耐压超低损的下一代功率器件的理想半导体材料,东芝公司采用了具有专利的浮接合结构成功地开发了达到4H-SiC极限水平Super肖特基势垒二极管(SBD)。该器件的耐压为2700V,特征导通电阻仅为2.57mΩcm2,是一种超低导通电阻的     

用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究

针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究,得到了全面系统的研究结果,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间( trr)、反向恢复软度因子( S)、正向压降( VF)、漏电流( IR)等各个单项性能的影响,以及对trr- S、trr- VF 和trr- IR 等各项性能综合折衷的影响.这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值.     

600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。     

罗姆开发出世界最小的“VML2”封装快速恢复二极管!

正2012年5月8日半导体制造商罗姆株式会社面向智能手机和数码相机等追求小型、薄型化的各种电子设备,成功开发出了世界最小的"VML2"封装(1006尺寸∶1.0mm×0.6mm)快速恢复二极管。     

SiC肖特基功率二极管在Boost功率因数校正器应用中的性能评估

实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。     

一种高压4H-SiC二极管改进场限环结终端结构

设计了一种用于3.3 kV4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构。该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限环来实现的,以避免多次离子注入。借助半导体数值仿真软件Silvaco,对制备二极管所用的4H-SiC材料外延层耐压特性进行了仿真验证;对场限环的环间距和场限环宽度进行了优化,形成由34个宽度5μm的场限环构成的场限环结终端结构。以此为基础,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC外延片成功制备了3.3 kV4H-SiC二极管器件。简述了制备工艺流程,给出了部分关键工艺参数。对二极管芯片进行了在片测试和分析,反向漏电流密度1 mA/cm2时的击穿电压约为3.9 kV,且70%以上的二极管耐压可达到3.6 kV以上,验证了这一场限环结终端的可行性。     

超结硅锗功率二极管电学特性的研究

超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长。该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,代替传统功率二极管的n-基区;二是p+区采用很薄的应变SiGe材料。该器件可以同时实现高阻断电压、低正向压降和快速恢复的电学特性。与相同器件厚度的常规Si功率二极管相比较,反向阻断电压提高了42%,反向恢复时间缩短了40%,正向压降减小了约0.1V(正向电流密度为100A/cm2时)。应变SiGe层中Ge含量和器件的基区厚度是影响超结SiGe二极管电学特性的重要参数,详细分析了该材料参数和结构参数对正向导通特性、反向阻断特性和反向恢复特性的影响,为器件结构设计提供了实用的参考价值。     

两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法

首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进.结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强,因而建议大力推广使用.