国外电子束、X射线、离子束用抗蚀剂发展近况

光致抗蚀剂是进行微细图形加工、制造微电子器件和印刷线路板的一种关键化学品。微电子技术在当前新技术革命中占有特殊的重要位置,以集成电路为核心的微电子器件正不断向高集成化和高速化方向发展,因此,对微细图形加工技术的要求愈来愈高。如国外在六十年代主要生产中小规模集成电路,加工尺寸控制为几百微米,七十年代主要生产1—16K位存贮器的大规模集成电路(LSI)加工线宽已要求5微米左右,     

化学机械抛光液的研究进展

化学机械抛光(CMP)是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术,介绍了化学机械抛光浆料的品种、应用范围、研究进展以及浆料的组成和抛光原理,随着硅单晶片向大尺寸的发展,以及集成电路集成度的提高、线宽的进一步减小,须加强对化学机械抛光液的开发和抛光机理的研究,满足化学机械抛光的技术和工艺要求。     

我国超细微粉体应用市场分析

超细微粉体是近十几年来发展起来的一项高新技术。它通常是指颗粒尺寸在10~(-6)～10~(-9)m的固体颗粒材料,其中颗粒尺寸大于100nm的称为微米、亚微米材料,而小于100nm的则称为纳米材料。由于颗粒尺寸的微细化,使它的许多物理、化学性能产生了特殊变化,人们     

亚微米级LiFePO4材料的粒径控制及性能研究

研究了亚微米级的LiFePO4材料的制备与粒径控制,使之同时具有微米级LiFePO4材料的加工性能和纳米级LiFePO4材料的高倍率放电性能,采用添加多糖的方法制备的0.56μm、0.76μm、0.96μm三种粒径的亚微米LiFePO4材料具有优良的大电流放电性能和大电流循环稳定性能。随着LiFePO4材料粒径的减小,大电流下容量保持率不断提高,0.56μm的LiFePO4材料20 C放电的容量保持率达到89.3%,在10 C倍率下放电,100个循环容量保持率在97%以上。     

微孔膜过滤技术在化学试剂生产中的应用

科学技术的发展,对过滤精度的要求愈来愈高,原来的过滤介质如滤布、砂棒、纤维毡、烧结聚乙烯、多孔金属等已不能适应要求。在大规模集成电路的生产过程中所用的高纯水、溶剂、光刻胶、酸、碱等以及周围环境中的尘埃,即使小至1微米,也会影响电子器件的质量,尤其是近几年发展起来的超大规模集成电路,元件的微型化,对化学试剂的纯度要求更趋严格。微孔膜过滤技术(国外称精密过滤技术)可以滤掉微米、亚微米的颗粒和细菌,达到化学试剂的净化目的。     

高效捕集PM2.5的静电器及其W型极板结构的数值模拟分析

高压静电与催化模块的耦合技术，是协同净化大气复合污染物的有效方法。通过实验比较W板静电器和平板静电器对于亚微米颗粒的捕集性能，采用计算流体力学方法构建双级静电器内静电场、流场、颗粒场的多物理场耦合模型，重点研究收尘区W型极板的角度对亚微米颗粒捕集性能的影响机制，获取双级静电器内部的流场、静电场分布特性，并针对不同角度W板双级静电器中0.1μm、1μm、2.5μm颗粒的荷电特性及捕集效率展开研究。结果表明，相较于传统的平板静电器，W板静电器具有更高的捕集效率，在1 m·s^-1的风速下，W板静电器对亚微米颗粒的捕集效率提升约10%。W板静电器之所以能明显提高对亚微米颗粒物的去除效率，可归因于收尘区的W型结构内易形成漩涡，导致亚微米颗粒物碰撞和凝并，因此提高了对亚微米颗粒物的捕集性能。     

大规模集成电路与化学试剂

自晶体管问世以来半导体器件经历了分立元件、集成电路和大规模集成电路等几个发展阶段。制作半导体器件采用高纯单晶原材料并有控制地掺入适量的杂质元素,以使之具有需要的电学性能。将半导体元件,在晶片上按一定的图形排列连接起来,使之具有一定的电路功能便成为集成电路。集成电路不断发展,集成度不断提高。目前一个大规模集成电路的元件数已达十万个以上,全部元件都集成在仅几十平方毫米的单晶芯片上。     

超纯水与大规模集成电路

进入70年代以来,大规模集成电路飞速发展,特别是N沟MOS电路发展更快。国外1972年研制出N沟MOS4千位动态随机存贮器(4KRAM),相当于一万多个元件;1976年研制出16KRAM,相当于三万七千个元件;1978年又发展到64KRAM,约13—14万个元件;1980年美国、日本已研制出256KRAM样管,大约50万个元件。目前,我国已研制出16KRAM。随着大规模和超大规模集成电路的发展,集成度越来越高,线条越来越细,其成品率随集成度的增加成指数关系下降,因     

湿度场内脱除亚微米颗粒数值模拟与实验验证

针对含尘气体横掠直立波形通道降膜除尘过程,建立了空气-水蒸气两组分水平二维流场中湿度梯度推动下亚微米颗粒扩散泳机理模型和数值模拟方法,与实验相对照研究了40℃下气流雷诺数Re(895～1 714)、初始相对湿度?(0.32～0.97)及颗粒粒径dp(0.1～1μm)内亚微米颗粒捕集率,结果表明:气流湿度影响显著,?由0.32增大到0.97时,各粒级颗粒捕集率均有相同程度的提高(～16.5%),低Re时增幅更大,可达21.7%。模拟计算值与实验测试结果偏差在±15%以内,吻合较好。     

植物茎诱导原位构筑ZnO分级多孔陶瓷

以三叶草茎为诱导模板,经表面修饰、水热反应和煅烧等工艺原位构筑了ZnO分级多孔陶瓷,表征了煅烧前后多孔ZnO的相组成,研究了表面修饰剂的pH值、水热反应温度以及植物茎/Zn(NO3)2质量比对多孔ZnO微观形貌的影响,并对其分级多孔结构进行观察.结果表明:当表面修饰剂的pH=1、水热反应温度为80℃、植物茎/Zn(NO3)2质量比为1∶1时,所得多孔ZnO具有分级多孔结构,其中微米级孔径约为8μm,纳米-亚微米级孔径＜1μm,比表面积为43.56 m2/g,实现了ZnO对三叶草茎微-纳米分级多孔结构的精密复制.     

纳米材料的概念

纳米是一种长度度量单位 ,1纳米等于 10亿分之一米 (1纳米 =10 -3 微米 =10 -9米 ) ,相当于头发丝直径的 10万分之一。纳米表示符号为ｎｍ。纳米材料 ,是指晶粒尺寸为纳米级 (10 -9ｍ )的超细材料。其尺寸介于分子、原子与块状材料之间 ,通常泛指 1—10 0ｎｍ范围内的微小固体粉末。纳米材料是一种既不同于晶态也不同于非晶态的第三类固体材料 ,它是以组成纳米材料的结构单元———晶粒、非晶粒、分离的超微粒子等的尺度大小来定义的。目前 ,国际上将处于 1— 10ｎｍ尺度范围内的超微颗粒及其致密的聚集体 ,以及由纳米微晶所构成的材料 ,统…     

多效旋风分离器性能的实验研究

多效旋风分离器通过采用2级螺旋管预分离含尘气体、螺旋形顶盖板导流、筒体中心稳流锥稳流和吸气回流系统防止粉尘返混等措施,解决了在旋风流场中分离微米及亚微米级颗粒的难题。文中通过实验研究了直径为0.25 m的多效旋风分离器的压降、分离效率和进口风速的关系,实验物料粒径范围为0.1—23μm,平均粒径为7.59μm。结果表明:在10—14 m/s入口风速时,对0.1—3μm颗粒的分离效率大于90%,对大于5μm颗粒的分离效率接近100%,压降在500—1 000 Pa。风速大于16 m/s时,对0.1—2μm颗粒的分离效率大于75%。     

超重力辅助溶剂-反溶剂重结晶法制备亚微米级RDX

为了获得粒径分布均匀的细化RDX,在超重力反应器中,以丙酮-水作为溶剂-反溶剂重结晶体系,添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,制备了亚微米级RDX。研究了RDX溶液浓度、PVP含量以及超重力反应器转速对RDX形貌和尺寸的影响,获得最优工艺条件,利用SEM、XRD和FT-IR对其形貌、晶体结构和分子结构进行了表征,并采用DSC研究了RDX的热分解过程。结果表明,在RDX溶液浓度为0.04g/mL、PVP浓度为0.2g/L、超重力反应器转速为1500r/min时,制备了平均粒径为0.54μm的亚微米级RDX,细化处理未改变RDX的晶型;与原料RDX相比,亚微米级RDX的分解峰温提前了1.2℃,热分解活化能从180~250kJ/mol降至约150kJ/mol。     

凝胶铸技术在陶瓷成型应用中的新发展

凝胶铸模(Gel—casting)是九十年代由美国橡树岭国家实验室提出的一种近净尺寸陶瓷成型技术。由于该方法制备的陶瓷坯体强度高、有机物含量较少(2—4wt％)、工艺简便、可操作性强,因此得到广泛的研究与应用。本文综述了该技术在研究和应用上取得的新的进展。主要包括以下三个方面：(1)克服凝胶铸过程中因氧阻聚而使与空气接触部分的坯体表面产生起皮剥落的现象。与国外采用氮气保护方法不同,现采用化学方法只须在浆料中加入少量添加剂就可达到此目的。(2)凝胶铸技术应用可从微米级、亚微米级陶瓷粉料的成型扩展到粗颗粒(10μm-1000μm)体系的陶瓷和高级耐火材料,已在氮化硅结合碳化硅,重结晶碳化硅等材料的成型制备中取得较好效果。(3)将凝胶铸与流延成型结合,发展了一种新的水基凝胶流延成型工艺,该方法可成型0．1～1．0mm厚各种陶瓷薄片,包括氧化铝陶瓷基板、电子陶瓷层片等材料。     

薄水铝石粒度对煅烧形成α-Al2O3粉体的影响

研究了薄水铝石粒度对其煅烧形成α-Al2O3粉体的影响.先用水热法制备出均匀分散的纳米、亚微米及几个微米的薄水铝石前驱体,用x射线衍射仪和电子显微镜分析了薄水铝石在不同温度煅烧所得产物的相结构及形貌.结果表明,粒度30～100 nm的薄水铝石在1200℃煅烧1 h转变为α-Al2O3,为蠕虫状的烧结颗粒;粒度0.4～0.6 μm的薄水铝石在1 250℃煅烧1 h可转变为α-Al2O3,颗粒尺寸变化不大,仍在0.4～0.6 μm范围内;粒度1 μm左右的薄水铝石在1350℃下煅烧2 h尚不能完全转变为α相,并已出现明显烧结.因此,以水热法制备的亚微米级薄水铝石晶体作为前驱体,经直接煅烧可以制备出分散性较好的亚微米级α-Al2O3粉体.     

高能球磨预处理工业氧化铝对制备亚微米α-Al_2O_3形貌的影响

为了制备粒度均匀的亚微米α-Al_2O_3粉,以工业氧化铝(Al_2O_3的质量分数为99. 66%)为原料,研究了高能球磨时间(0、5、9和15 h)对工业氧化铝颗粒形貌及1 300和1 450℃煅烧3 h后制备亚微米α-Al_2O_3形貌的影响。结果表明:随着高能球磨时间从5 h延长至15 h,工业氧化铝的颗粒尺寸逐渐细化,聚集体(20～100μm)经高能球磨15 h后,粉碎为1μm左右、分散性较好的小尺寸团聚体; 1 300和1 450℃煅烧所得α-Al_2O_3的颗粒形貌与γ-Al_2O_3形貌密切相关,α-Al_2O_3的晶粒尺寸随γ-Al_2O_3高能球磨时间的延长而细化,粒度分布的均匀性也逐渐提高。综合对比高能球磨不同时间的工业氧化铝经高温煅烧后制备α-Al_2O_3粉的颗粒形貌,高能球磨15 h的工业氧化铝经1 450℃煅烧3 h制备所得亚微米α-Al_2O_3的晶粒分布良好,晶粒尺寸在500 nm左右。     

高分子微孔精密过滤新技术在脱碳液过滤改造中的应用

化工生产中的过滤分离是常见的操作单元，按照过滤精度等级可分为粗级过滤（〉100μm）、亚精密过滤（100-10μm）、精密过滤（10-1μm）、超精密过滤（1．0—0．1μm）、超滤、纳滤及反渗透（〈0．1μm）。目前粗级过滤与亚精密过滤采用非金属、金属滤布或滤网作过滤介质的间歇或连续过滤机可满足工艺要求；超精密液体过滤采用有机或无机微孔膜也可获得较好解决；但应用最广泛的精密过滤因存在如下问题而成为最薄弱的过滤操作。     

集成电路静电放电损伤的预防

一、前言 静电放电(ESD)对电路的损伤不是始于今日,而是当前集成电路不断向小型化(微米、亚微米)和新工艺(薄氧化层、窄PN结)发展,电路更易受到静电放电的影响,对电压和电能的承受能力下降而产生致命失效和潜在失效罢了。现在已有人把静电放电称之为“科技时代”之鼠。 从一组Motorola报导的数据足以看出静电放电对集成电路的危害之大: 1、对10周内生产的微处理器生产进行跟踪: 前三周:未用镀镍盒子进行老化时淘汰率为:40×10~(-n)(n不公开)     

我国超净高纯试剂市场需求及产业化前景

一微电子技术发展现状及趋势随着集成电路集成度的不断提高,电路的线宽越来越细。从第一个晶体管问世算起,半导体技术的发展已有多半个世纪了,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循Moore定律,即芯片集成度18个月翻一番.每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度在发展。特别是二十世纪九十年代末以来,集成电路制作技术的竞     

什么是微孔膜过滤技术?

正用纤维素或高分子材料制成的微孔滤膜,利用其均一孔径,来截留水中的微粒、细菌等,使其不能通过滤膜而被去除。这种微孔膜过滤技术又称密粒过滤技术,能够过滤微米级(μm)或纳米级(nm)的微粒和细菌。常用于电子工业、半导体、大规模集成电路生产中使用的高纯水等的进一步过滤。微孔膜的规格目前有十多种,孔径从0.025μm至14μm,膜厚120~150μm,膜的种类有:混合纤维酯微孔滤膜、硝酸纤