利用X_α—重叠球方法研究半导体的局域电子结构——Ⅲ.硅中的某些深能级杂质

作为本文研究的主要目的,证实了X_α—重叠球方法在研究共价半导体中深能级杂质的适用性.作者利用自旋非极化的X_α—重叠球方法计算了硅中硫、氧和碳的杂质能级,得到了与实验或理论基本一致的结果.中性硫原子在硅中为处于E_c-0.39eV的深施主能级.中性氧原子在硅中的行为与理论预言大体相符,为E_v+0.22eV的深施主能级.本文得到的硅中杂质碳的能级是E_c-0.08eV,它可能为处于较浅部位的深杂质能级.     

高纯外延N型砷化镓中的X_(1C)导带最小点

对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X_(1C)-Γ_(1C)子带能隙确定为0.38±0.01电子伏,X_(1C)态密度有效质量是0.85±0.10m_e。结果还指出,可能有三个而不是六个 X_(1C)最小点,它们位在区域边缘。     

利用X_α—重叠球方法研究半导体的局域电子结构——Ⅱ.共价半导体金刚石和硅的轨道能级

本文利用X_α—重叠球和电荷分割方法计算了完整的共价半导体金刚石和硅的能谱.它们的禁带宽度(3a—3t_2)分别为5.2和2.0eV.价带宽度(3t_2—1a_1)分别为16.46和11.42eV.除了硅的禁带宽度数据偏大外,其他计算数据与实验和某些理论结果基本相符.文中还讨论了禁带内出现1t_1能级的原因以及与实验能谱的比较.     

激光荧光色散谱研究气相二氯卡宾分子

本文报道了在交叉分子束装置中氟原子和二氯甲烷以及氧原子和二氯乙烯分子反应生成CCl_2的激光诱导荧光光谱的实验结果。位于520-610nm范围内的激光诱导荧光色散谱由9个峰组成,被归属为CCl_2的A(4,0,0)→X(0,v_2″,0),(1,v_2″,0)的跃迁。从光谱导出基电子态的弯曲振动频率v_2″=337cm~(-1),对称拉伸频率v_1″=737cm~(-1),X_(12)″=-1.26cm~(-1),X_(22)″=2.86cm~(-1)。文章还分析了两个反应的反应通道。     

MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光

我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.     

有机无机杂化型钙钛矿材料光电探测器研究进展

有机无机杂化钙钛矿材料(CH_3NH_3Pb X_3)因其优异的光电转化效率,在太阳能电池研究方向获广泛关注。因可调禁带宽度、较高电荷迁移率、较大光吸收系数等突出性能,基于CH_3NH_3Pb X_3材料光电探测器的研究成果不断涌现,在未来光电子学、电子信息领域有重要应用前景。本文以CH_3NH_3Pb X_3光电探测器综合性能为出发点,总结了界面工程、能带工程等器件性能提升方法,从光电探测器光谱响应范围、光吸收能力、响应度与检测率、柔性、稳定性五个方面归纳了近年来CH_3NH_3Pb X_3材料光电探测器的研究进展,并对现存挑战和未来前景作出解析与展望。     

用激光激励的Xe等离子体复合激光器

本文报导了以波长10.6微米的CO_2激光脉冲,在H_θ与X_θ的混合气体中产生X_θ等离子体复合激光器。     

离散型变量优化的处理——一种工程圆整方法

优化设计的设计变量可以为连续型或离散型(整型)。连续变量的优化理论己较成熟,离散变量的优化则正在研讨中。下面给出的是一种先将离散型变量当连续型处理,用连续变量的优化方法得出优化结果后,再将结果数据进行圆整处理,从而得到离散型交量优化解的离散变量圆整方法。一、函数的灵敏度它是指设计变量发生微小变化时,目标函数的变化程度。在函数的一阶偏导数存在时,可定义为函数:f=f(X_1,X_2,…X_n)对变量 X_1在点D~*=(X_1,X_2,…X_n)~*处的灵敏度为在函数的偏导数解析表达式复杂,难以计算时,可以用差商形式定义     

1.5μm InGaAsP/InP双异质结激光器液相外延中液相组分调整对晶格失配及发射波长的影响

本文描述了在(100)InP衬底上用液相外延(LPE)方法生长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y),外延层时,液相组分X_(Ga)~l、X_(A5)~l变化对外延片晶格失配及发射波长的影响,以及生长温度变化对晶格失配的影响。并对实验结果进行了简单的理论上的分析和探讨。     

在金属蒸气X_2—X或Y_2—Y系统中产生众多受激辐射的多种泵浦—发射机制

本报告归纳了作者及其合作者近几年来所实现的产生位于紫外到红外区受激辐射的多种泵浦—发射机制。这些机制为:等频泵浦分子—原子(X_2—X)系统产生红外受激辐射;不等频激发X_2—X系统产生红外受激辐射;等频和不等频泵浦Y_2—X系统产生红外受激辐射;由等频泵浦X_2—X系统产生     

砷化镓和磷化金铟在0.5～6.2eV之间的光学性质

我们在0.5～6.2eV的光谱范围内测量了室温下砷化镓和磷化铟的垂直入射的反射光谱。由反射光谱中反射峰的位置可以确定砷化镓和磷化铟中的光跃迁,与光吸收实验得到的结果符合很好,砷化镓中2.95eV和3.18eV的反射峰是L_3~1→L_1跃迁,出现两个峰是由于自旋轨道耦合引起L_3~1能级的分裂。在5.17eV的反射峰是X_4→X_1跃迁。磷化铟中3.07eV的反射峰是Γ′_(25)→Γ_(15)跃迁,在5.12eV的反射峰是X_4→X_1跃迁。在浓掺杂N~     

也谈恒定输入下状态方程的解——“二要素法”

一般情况时,状态方程为恒定输入时,(1)变成当u(t)=0时,容易验证 X_(h(t))=e~(At)K 是(2)齐次式的解。再设(1)的特解为X_(p(t)),则(2)的通解为: X_(t)=e~(At)K X_(p(t)) 考虑初值后,可得 K=X=0-X_(p(o))     

基于α-β-γ固定增益滤波器的机动目标跟踪方法研究

为提高电子战中对机动目标的跟踪能力,提出了基于α-β-γ固定增益滤波器的动目标跟踪技术,分析了固定增益滤波器原理和组成,阐述了α-β-γ滤波器的原理,介绍了一种固定增益滤波器跟踪方法,最后通过仿真证实了该技术跟踪强、弱机动目标的性能,并可在噪声干扰情况下获得较小的期望残差.     

1000V50AGTR的芯片设计

本文简要介绍了GTR(巨型晶体管)芯片设计中高压、大电流、高增益和高可靠性等之间的关系及解决方法。本文首先指出了在GTR设计中高压和大电流、大电流和高增益、大功率和高可靠性等之间的矛盾,给出了高压GTR的一般设计原则;其次,文中给出了BV_(CBo)≥1000V,BV_(CEo)_(3u3)≥880V器件的高阻区掺杂浓度N_c和高阻区厚度W_c的优化设计值及其它X_(iE)、X_(ic)、W_B等纵向设计值的选取范围;第三部分介绍了单片50A GTR的发射区单元图形设计、集成电阻设计及芯片周围所用终端技术的设计。     

西门子公司生产的片式陶瓷电容器

<正> 据西德《Elektronik Praxis》1989年第3期刊载,西门子公司生产的COG系列及X_7R系列片式或无引线圆柱形结构多层陶瓷电容器,广泛应用于军事装备和医疗设备。COG工作温度为-55～+125℃,超稳定型的电压及容量为1kV/120nF,     

基于α-β-γ滤波的迫击炮定位

针对迫击炮的侦察定位问题,介绍了一种基于α-β-γ滤波的定位方法。该方法首先根据外弹道学确定弹丸飞行的质心运动方程,然后利用常增益的α-β-γ滤波跟踪求解弹丸的运动参数,最后通过龙格-库塔( Runge-Kutta)方法求解质心运动方程,并外推求得炮位位置。仿真结果表明,该方法在保证较高迫击炮定位精度的同时实时性能较传统方法大幅提升,有显著的工程意义。     

联立布尔方程的解(续)

3.4 真值表逻辑法给定(3.1)这样一组关系,众所周知它也可以合并成下面那样的一个方程。φ=sum from k-1 to n(f_k( )g_k)=0. (3.25)它只是(3.2)方程的补。然后这方程又可表成系数乘X_1,X_2,…,X_r,的小项和。该系数是y_1,y_2,…,y_s的函数。待所研究的这个方法是一种复杂代数的根据(它的应用与3.5节中研究的方法是非常相似的)。为了避免重复,只介绍后一种,并着     

基于中频数字处理的塔康测距研究

本文论述了基于数字中频处理的塔康（TACAN）测距的实现方法。尤其阐述了基于此系统的α-β滤波在塔康测距中的应用,分析建立了α-β滤波启动的条件,并对其在实验室环境下进行了验证。     

基于SαSG分布噪声模型的自适应混合矩滤波方法

α-稳定分布可以更好地描述实际应用中所遇到的具有显著脉冲特性的随机信号和噪声.与其他统计模型不同,α-稳定分布没有统一闭式的概率密度函数,其二阶及二阶以上统计量均不存在.针对系统中存在独立SαS噪声与高斯噪声,基于SαSG分布模型,提出了一种稳定分布与高斯混合噪声环境下的自适应混合矩滤波的修正RMN（混合参数）算法,并对算法进行了步长归一化改进.计算机模拟和分析表明,这种算法是一种在SαSG分布背景噪声条件下具有良好韧性的滤波方法.     

磁光石榴石薄膜的光吸收系数

分析了引起磁光石榴石薄膜光衰减的各种因素,导出了光吸收系数α和光散射系数γ的表达式。采用磁光调制比较法测量了(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)薄膜的α、γ值。与通常方法相比,这种方法不仅消除了衬底吸收,薄膜-衬底界面反射对测量α值的影响,而且可以将γ与α分离开来,从而使得到的α值比较接近于真值。