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(一)问题 1999年第23期擂台赛赛题的基本要求是求电桥的等效电阻; 进一步的高一级要求是求任意电阻网络任意指定两点间的等效电阻。 (二)电桥等效电阻求解 相似文献
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<正> 元件的选用一、电阻器建议采用金属膜(RJ)电阻,成本也不高。不重要的电路可采用普通炭膜(RT)电阻,使用前先要检测其阻值是否与标称值相符。使用时可用串联的方法增加阻值,也可用并联的方法减少阻值,选用电阻的功率值一定要留有足够的余量,当电阻承受高于100V电压时,即使电流极微弱也要用体积大的电阻,以防电阻膜之间跳火损坏。对发热量大的电阻安装时要远离晶体管和电解电容器。小阻值电阻可用电 相似文献
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利用负电阻设计RTD温度传感器应用电路 总被引:2,自引:1,他引:1
<正> 在模拟电路设计中,利用往往被人忽略的负电阻,可以简化设计、提高精度、降低成本.比如本文所述用负电阻线性化RTD(Resistance Temperature Detector)温度传感器并去除不期望的互连线寄生电阻.设计一个精确的负电阻并不复杂,可以把一个正电阻放在.一个运放的反馈回路上来精确地构成负电阻.如图1,为得到一个(-R)Ω的负电阻,把一个阻值为RΩ的电阻放在运放输出端至正输入端的反馈回路上,两个10kΩ构成的网络使运放正输入增益维持2V/V.Vin增加1V,则Vout将增加 2V,R上的电流将增加-1(V)/RΩ安培,电路特性等效于一个(一R)Ω的电阻. 相似文献
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<正> 一、引言迄今为止,数-模变换器均需要有电阻解码网络,例如权电阻网络、T 型网络等。电阻网络的作用是通过阻值的选择和网络的结构使某一标准量(如恒压源的电压或恒流源的电流)受数字系统的控制并 相似文献
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一、引言难熔金属及其硅化物的研究是当前VLSI 工艺研究中的一个十分活跃的领域,它的应用研究有效地解决了 VLSI 工艺中的几个问题:(1)采用难熔金属或其硅化物解决由于 MOS 电路图形尺寸缩小带来的栅电阻和连线电阻增大的问题;(2)采用硅化物(P_1Si_2)—阻挡层(W.M_oT_i 等)—Al 相似文献
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五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割 相似文献
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《电子制作.电脑维护与应用》1999,(11)
胆机变压器包括电源变压器、输入变压器和输出变压器。因其工作电压相当高,所以对绝缘电阻的要求也很高。要求电源变压器的绕组与绕组之间,绕组与铁心之间的绝缘电阻应≥1000MΩ;工作电压低于500V的绝缘电阻应≥500MΩ(用1000V摇表测量)。输人、输出变压器的绝缘电阻应≥500MΩ;工作电压低于500V的绝缘电阻应≥100MΩ(用 500V摇表测量)。如果绝缘处理不好,就容易发生漏电故障,变压器温升会 相似文献
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电感式接近开关产品PRD18-7DN在70℃高温时的动作距离与20℃时的动作距离相比,动作距离偏小且动作距离变化率超过±10%,不符合产品规格的要求.在70℃高温此接近开关工作时,会产生动作距离不够,检测不到标靶物的情况,影响客户的使用.通过一系列的试验,测量出产品里的补偿回路电阻、LC振荡回路的电磁感应强度、温度变化和产品动作距离之间的相互关系.计算相关数据后,采用变更产品上的补偿回路电阻元器件来改善动作距离变化率超差的问题. 相似文献
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<正> 关于扩散型应变片的基本特性有:①压力灵敏度和非线性。压力灵敏度不仅取决于膜片晶面和配置电阻的晶向,而且与扩散电阻层的杂质浓度和破坏应力有关,设N-Si 基片杂质浓度为10~(-15)/cm~3,破坏应力为(4~5)×10~9达因/cm~2,配置p 型电阻浓度为7×10~(18)/cm~8,则对(100)晶面基片破坏时压力灵敏度为15%,对(111)晶面基片为10%。另一方面,膜片受压时产生非线性,当膜片中心挠度大于膜片厚度 相似文献
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掺Sb2O3 的SnO2与Fe2O3厚膜的
电学行为及气敏特性 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍掺入Sb_2O_3后的SnO_2和FeO_3(由γ-Fe_2O_3-热处理得到)气敏厚膜元件电阻和灵敏度的变化规律:对于SnO_2基元件,Sb_2O_3具有低掺杂(<4%wt)电阻变小,高掺杂电阻增大的作用,但气敏性降低;对于Fe_2O_3基元件,掺入Sb_2O_3后不但能降低电阻、提高气敏性,而且对丙酮的选择性也增强.指出Sb~(3+)→Sb~(5+)变化对上述效应起着重要作用,并探讨了Fe_2O_3基元件表面化学吸附增强的原因. 相似文献
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目前,铂电阻温度传感器主要应用于73 K(-200℃)以上环境的温度检测。设计了可用于10 K(-263℃)~200 K(-73℃)低温区的铂电阻温度微传感器。铂电阻温度微传感器采用对称的折回型结构,这种结构有效地降低了交流感抗的影响。传感器的敏感薄膜是一层采用磁控直流溅射沉积厚度为200 nm的铂薄膜。采用QD PPMS仪器测试传感器的电阻与温度的变化关系,得出传感器的电阻温度系数(TCR):研制的温度传感器的电阻温度系数在温度高于30K(-243℃)时可达到9980×10-6/K,同时在低于30K(-243℃)的深低温区域TCR也可达到3730×10-6/K。 相似文献
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赵玉安 《电子制作.电脑维护与应用》2002,(10):60-60
在电子制作中你是否为识别色码电阻而烦恼,下面这款小软件(仅181K)可为你解忧。 (一)安装将色码电阻计算器压缩文件解压,得到“色码电阻计算器”可执行文件,双击它即可使用,为使用方便,亦 相似文献
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采用单位缓冲器设计对杂散电容不灵敏的开关电容(SC)频率相关负电阻(FDNR)元件,利用该元件对椭圆函数式LC低通滤波器进行SC模拟。为了获得电容最佳值,提出了一种简单的最优化方法;并采用寄生电阻预畸变与SC负电阻相结合的办法,设计的SC滤波器对杂散电容不灵敏,且电路简单。采用分立元件制作了一个五阶椭圆低通SC-FDNR滤波器,实验结果表明该方法实用可行,效果明显。 相似文献
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<正> Maxim 推出8通道/双4通道高压多路复用器 MAX14752/MAX4753。这些器件具有极低的漏电流(最大值为20nA)、低导通电阻(典型值为60Ω)和低导通电阻平坦度(典型值为0.03Ω),极大地减小了开关输入端串联限流电阻引入的电压误差。另外,器件集成了能够对过压和欠压故障进行保护的输入二极管。MAX14752/MAX14753具有增强的性能和保护功 相似文献
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一、概述磁敏电阻(Magnotoresor)是一种基于磁阻效应而制作的电阻体。它在外施磁场的作用下(包括外施磁场的强度及方向的变化)能够改变自身的阻值,是一种新颖的传感元件。它可分为半导体磁敏电阻及强磁性金属薄膜磁敏电阻两大类。半导体磁敏电阻的研制始于60年代初,在这方面联邦德国西门子公司较为权威,继而是日、美、苏、西欧等国。在60年代中期即有商品销售,因其和普通电阻一样,具有两个端子、结构简单、灵敏度高、安装方便等优点,其应用较为普遍。我国电子工业部某所在1974~1976年间,曾组织过半导体磁敏电阻的研制与应用。强磁性金属薄膜磁敏电阻是用强磁性合金材料制成的一种薄膜型的磁敏电阻器件,其作用原理是强磁性体的磁阻效应,它和半导体磁敏电阻不同,除对磁场 相似文献
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因商用直流电流比较仪(DCC)精度高、结构复杂、成本高昂,基于商用零磁通电流传感器基础上研制了一套直流比较仪自动电阻电桥,以降低成本、满足电阻测量精度要求较低应用场合的需求。围绕零磁通电流传感器的原、副边线圈安匝平衡机制下,其原、副边电流比例一定的特点,设计了自动电阻电桥电路。采用基于DSP的嵌入式数字电路实现系统控制和算法,使用自制且经过校准的24位AD采集电路读取电桥中电阻两端的压差信号,经实时处理及屏幕显示,最终得到被测电阻(Rx)和标准电阻值(Rs)的比例值。采用经校准过的标准电阻(Rs)对该电阻电桥100Ω:10Ω和10Ω:1Ω的比例进行校准,实验结果表明:该电阻电桥测量的比例准确度可达10-6 量级,测量的相对标准差为10-6 ~10-7 量级。 相似文献