聚L-半胱氨酸修饰电极的制备及测定抗坏血酸

研究了聚L-半胱氨酸修饰玻碳电极的制备及其抗坏血酸在该修饰电极上的电化学特性,建立了线性扫描溶出伏安法测定抗坏血酸的电化学分析新方法.在pH4.0的磷酸盐缓冲溶液中,用该电极测定抗坏血酸的线性范围为:2.0 ×10-6～4.0×10-3mol/L,检出限(信噪比=3)为1.0×10-7mol/L.对1.0×10-4mol/L抗坏血酸平行测定10次,相对标准偏差为1.3%.该电极具有良好的重现性和稳定性,已用于药剂中抗坏血酸的测定,结果令人满意.     

多巴胺在聚甘氨酸化学修饰电极上的催化氧化及其痕量测定

用方波伏安法研究了多巴胺在电聚合甘氨酸膜修饰电极上的电化学行为,该修饰电极对多巴胺的氧化具有明显的催化作用,氧化峰电位负移,氧化电流明显增大,使得测定灵敏度显著提高.本文通过实验选择了最佳聚合时间,最佳pH条件,讨论了温度的影响以及反应机理.该电极有较宽的线性范围:2.5×10-7～1.2×10-4mol/L,检出限(信噪比=3)为8.0×10-9mol/L.对5×10-5mol/L多巴胺平行测定8次相对标准偏差为1.4%,该电极有效地排除了抗坏血酸的干扰,具有良好的稳定性和重现性,被用于样品中多巴胺的测定.     

聚DL-缬氨酸修饰电极的制备及多巴胺的测定

研究了聚DL-缬氨酸修饰玻碳电极的制备及其多巴胺在该电极上的伏安特性,建立了线性扫描溶出伏安法测定多巴胺的电化学分析新方法.在pH=4.0的磷酸盐缓冲溶液中,用该电极测定多巴胺的线性范围为:5.0×10-7～8.0×10-5mol/L,检测下限为5.0×10-8 mol/L,已用于药剂中多巴胺的测定.     

聚合精氨酸修饰玻碳电极在抗坏血酸存在条件下测定多巴胺

这种传感器是在玻碳电极上修饰聚合精氨酸,在这种修饰电极上,多巴胺通过静电吸附聚集在电极表面,这种修饰电极对多巴胺有较强的电化学响应.在0.1 mol/LPBS缓冲溶液(pH7.5)中,DA在此修饰电极(PLA/GCE)上通过脉冲伏安法所产生的在 0.158 v(vs.SCE)的氧化峰,与其浓度在1.96×10.～1.38×10-7mol/L的范围内成线性,检测限为2.0×10-8mol/L(S/N=3).这种低成本的修饰电极简单.具有较高的灵敏度、选择性、稳定性,该法用于药剂中DA的测定.结果满意.     

银、L-半胱氨酸修饰电极同时测定多巴胺和抗坏血酸

采用电聚合的方法将银、L-半胱氨酸先后修饰到电极表面,制备了银、L-半胱氨酸修饰电极fPLC／Ag／GCE）。研究了多巴胺和抗坏血酸在该修饰电极上的电化学行为,构建的电极可实现对多巴胺和抗坏血酸的同时检测。实验表明：在扫速为120mV／s,pH=3．0的磷酸盐缓冲溶液（PBS）中,多巴胺产生一对氧化还原峰,其氧化峰和还原峰的电位分别为0．447V和0．409V;而抗坏血酸只产生一个明显的氧化峰,其峰电位为0．238V。多巴胺和抗坏血酸的AEpa=0．209V,不需要分离便可对两者进行同时检测。在最佳条件下,测定多巴胺和抗坏血酸的线性范围分别为1．00×10-6～2．50×10-4mol/L和7．50×10-6--1．00×10-3mol／L．检出限分别为5．0×10-7mol／L和2．5×10-6mol／L。该方法可用于多巴胺和抗坏血酸的同时测定。     

基于青霉胺自组装膜的生物传感器及其应用研究

研究了青霉胺自组装膜在金电极上的电化学特性.在pH7.3的磷酸缓冲溶液中,利用差分脉冲法考察了多巴胺与尿酸在此修饰电极上的电化学行为.该电极可用于多巴胺与尿酸的同时测定,两者在修饰电极上的电位差可达到380 mV,且互不干扰.多巴胺与尿酸的氧化峰电流分别在1.0×10-4至1.0×10-3 mol/L,8.0×10-4至4.0×10-3 mol/L范围内与其浓度的大小呈良好的线性关系,检出限分别为6.5×10-6,2.1×10-5 mol/L.青霉胺自组装电极稳定性好,选择性高,可用于实际样品的测定,结果满意.     

基于番红花红聚合膜的生物传感器的应用研究

研究了尿酸(UA)在番红花红(SFR)聚合膜修饰的玻碳电极上的电化学行为,发现SFR聚合膜电极对UA的氧化能够起到明显的电催化作用.分别利用循环伏安法(CV)、差分脉冲法(DPV)、计时电流法研究了UA在pH4.4的磷酸缓冲溶液中的线性关系,发现其浓度分别在2.0×10-5～9.0×10-4 mol/L(CV).6.0×10-6～1.0×10-4 mol/L、2.0×10-4～8.0×10-4 mol/L(DPV),4.0×10-6～1.0×10-4 mol/L(计时电流法)范围内呈良好的线性关系.该电极用于实际样品的测定,结果满意.     

介孔二氧化硅/β-环糊精修饰传感器测定柔红霉素

以介孔二氧化硅、超分子β-环糊精修饰玻碳电极制备新型柔红霉素电化学传感器。采用X-射线衍射、原子力显微镜及场发射扫描电镜对修饰材料及修饰电极进行表征;以循环伏安法和电化学交流阻抗等方法研究修饰电极的电化学特性。由于介孔二氧化硅较大的比表面积和β-环糊精对柔红霉素的特异性结合,该修饰电极对于柔红霉素有较好的电流响应。在优化实验条件下,该传感器对柔红霉素的响应范围分为两部分：1.0×10-6~5.0×10-5 mol/L,线性相关系数r=0.9950;5.0×10-5~2.5×10-4 mol/L,线性相关系数r=0.9990。检测限为2.0×10-7 mol/L (信噪比S/N=3)。     

聚4-氨基丁酸修饰碳纳米管掺杂碳糊电极的制备及其对多巴胺的测定

以4-氨基丁酸(4-ABA)为修饰剂,制备了4-ABA修饰碳纳米管掺杂碳糊电极(P-4-ABA/CNTPE),研究了多巴胺(DA)在此修饰电极上的电化学行为,并用于DA的检测.在pH 2.0的BR缓冲溶液中,DA在P-4-ABA/CNTPE上产生一对灵敏的氧化还原峰.其氧化峰电流与DA的浓度在8.0×10-5 mol/L ～ 5.3× 10-7 mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为2.0×10-7 mol/L.所修饰电极具有较好的重现性、稳定性,对抗坏血酸(AA)和尿酸(UA)具有较好的抗干扰能力.应用于针剂以及人体实际尿样中多巴胺含量的测定,结果令人满意.     

过氧化聚吡咯分子印迹膜修饰电极对3，4-二羟基苯甲酸的测定

利用分子印迹技术,以3,4-二羟基苯甲酸(3,4-DHBA)作模板分子,通过循环伏安法电聚合吡咯.膜(PPy)和随后的定电位过氧化制备了3,4-DHBA-OPPy/GC分子印迹电极.该电极能有效地抑制电化学氧化过程中3,4-DHBA的聚合和同分异构体2,4-二羟基苯甲酸对其测定的干扰.实验结果表明,该修饰电极对3,4-DHBA测定的线性范围为1.0×10-5～1.6×10-3mol/L,检测限为5.0×10-6mol/L.