1985年半导体市场情况

日本《稀有金属》新闻1985年1月8日报道,日本1984年半导体硅的产量(1253吨)比1983年(778吨)增长60%,市场规模年增长50%,达到2000亿日元。今后如以每年30%的幅度继续增长的话,则三年左右可使产量翻一番。在技术方面迫切要求向大直径发展和提高质量,迎接兆位时代的到来。以金额为基础的大规模集成电路将增长24%(1984年增长64%),个别半导体元件增长9.5%     

日本半导体硅消费量激增

据日刊“稀有金属新闻”报道,日本半导体高纯硅从1976年起以接近40%的速率不断地增长。1981年生产单晶硅444吨,年消费量为500吨。如果今年美国半导体工业景气回复较迟,日本有可能超过美国,成为世界上最大的多晶硅消费国。近年来因能源价格     

日本硅公司连续直拉硅单晶正式投入生产

日本硅公司和三菱材料公司开发了半导体单晶硅的连续直拉法——SCCZ 法,日本硅公司新建了一台专用炉,经试生产,从91年8月起正式投产并开始出售产品。生产能力为每月生产一万片5英寸硅片。此外,还在6英寸试验炉上连续直拉成功2米多长的单晶硅。其它硅厂也在进行连续直拉法的研     

日本硅公司连续直拉硅单晶正式投入生产

日本三菱材料公司和日本硅公司开发了半导体用单晶硅连续直拉法(SCCZ法),日本硅公司新装一台连续直拉专用炉,经连续试验后定于1991年8月正式投入生产。三班工作月产量可达到1万片(5时硅片),建立了批量生产的正式供应体制。利用试验设备生产的4时硅片已于1990年秋季开始销     

对日本高炉降硅工作的认识

日本高炉降硅的历程大致可分为两个阶段:在七十年代为第一阶段;在八十年代则为第二阶段。文中概括了日本高炉降硅的途径。笔者提出,根据日本经验可以得出几点启示:①我国高炉降硅的起点较高,目前希望炼钢生铁硅量在0.4～0.6％之间;②高炉降硅应在提高利用系数和节约燃料此的大前提下进行;③焦炭灰份是SiO的主要发生源;④提高[Mn]量可以降硅;等等。     

日本铍的产销动向

日本1983年铍铜拉伸材的产量由于民用及工业用的各种电子产品形势好转面比上一年度提高了40％,1984年的产量又比1983年提高了10％左右。铸锻制品目前主要用于海底通讯电缆中以输出为中心的中继器构件,其它新用途的发现尚待对铍铜特性的进一步加深理解和认识。     

国外简讯

由于在微信息处理机和存储器中应用大规模集成电路的迅速发展,日本硅制造厂家已采取措施增加单晶硅的产量。与去年总生产增加10％以上的原估计比较,产量予计达到约165吨,比去年多35％。 据硅制造厂家说,1978年6月单晶硅的需要量开始迅速恢复,因而表明包括日本电子公司、日立公司和富士通公司在内的几乎所有的半导体制造     

锗

半导体锗、硅的生产比例从1969年开始倒转以来,七十年代锗的市场益趋衰落,但近年来在半导体外增加触媒、医药等新用途,而又有光明前途. 市场动态 1955年开始,五十年代我国电子工业即晶体管用的半导体材料锗占主流,打下了电子工业飞跃发展的基础.但1965年以来到六十年代后期与其相竞争的材料硅由于性质优越和成本低,而占领先地位. 从1979年12月半导体硅、锗元件的生产比较来看,晶体管中硅管三亿五千万个,锗管八百万个仅占1/40弱.二极管硅三亿七     

当代高纯半导体材料分析的进展（一）

本文评述了1983~1993年半导体硅材料、高纯元素、化合物半导体等高纯半导体材料的分析进展。     

硅上异质外延高温超导体薄膜的进展

硅上生长高质量高温超导体薄膜的工作促进了微电子学和高温超导电子学的结合。这种新材料能集中半导体和超导材料的优异特性,将导致半导体和超导体组成的新一代混合集成电路的出现。本文综述了目前硅上生长高温超导薄膜的研究进展,介绍了工艺中遇到的问题和解决的途径。     

1985年日本硬质合金生产动向

日本1984年硬质合金工具生产创造历史最高记录。据日本硬质合金工具协会公布的1984年硬质合金生产统计资料,产值总额达1398亿9700万日元,比1983年增长21.3%,销售总额为1330亿7300万日元,比1983年提高19.8%。硬质合金刀片产量达2256.8吨,比1983年提高26.5%。日本1985年上半年硬质合金生产形势较好,但从7月份开始增长率有下降的趋势.根据日本硬质合金工具协会的统计资料,硬质合金刀片的产量与上一年度同期相比提高了15%,达1223吨,这与     

上海硅材料发展中几个问题的讨论

上海市半导体材料,特别是硅材料的发展市有关部门已经作了大量的调查研究,制订了近、中期较全面的发展规划,并为此提出了不少有益的措施和建议。本文仅就发展中的几个问题提出一些讨论意见,冀图或有助于硅材料的发展。一、硅与其他主要半导体材料硅是当今半导体材料家族主要成员之一。从五十年代后期算起,发展至今已二十多年了,目前似乎仍处于健壮时期,几乎垄断了整个半导体材料领域,据美国商业信息     

高纯度钛

日本一家公司制成了一种纯度为99.9999%的高纯钛.利用这种高纯度钛可以制造半导体基板上的氮化钛薄膜,使用这种氮化钛薄膜可以避免因硅铜基板上的杂质     

国内外硅半导体材料产业现状及发展

概述了国内外硅半导体材料(多晶硅、单晶硅、硅片)的产业现状,得出国内外硅半导体材料产业、市场及技术状况的基本结论,并分析了我国硅半导体材料产业发展的机遇、存在的问题及发展的趋势.     

太阳能级硅的精炼

一、序言硅是目前半导体工业的最主要的原材料。无论是在大功率的电子器件,或者是在微型的集成电路中,硅均是不可缺少的组成部分。此外,硅在太阳能光电技术领域中也占有相当重要的地位。     

高纯超细硅粉研制获重大技术突破

近日 ,由中彰国际有限公司和其全资子公司北京赛诺硅业有限公司联合研发的高纯、超细硅粉材在北京获重大技术突破。硅粉材作为传统的半导体工业和现阶段IC产业的重要原料 ,在IT技术和信息化时代发挥着越来越重要的作用。传统的石英、水晶在纯度、粒度特别是晶型以及稳定性等方面都存在着严重的制约性。因此 ,高纯、超细、稳定的硅粉材原料一直是业内人士为之奋斗的目标。据不完全统计 ,二氧化硅含量在 99 9995 %以上的高纯度硅原料 ,目前我国仍然主要依赖于从美国、日本等国家进口。中彰国际自 2 0 0 0年以来在广泛吸收市场需求信息的基础…     

半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。     

气相色谱法测定半导体硅中的磷

磷是半导体硅材料的一种敏感的 N 型施主杂质,对 SiHCl_3中痕量 P 的测定,通常为化学光谱法,但方法灵敏度和分析速度难以满足工艺需要。峨嵋半导体材研究所叶与禄高级工程师1968年对一台日本大仓—4000型仪器将FID自行改装为AFID,首次尝试用气相色谱法对半导体硅制备工艺中可能存在的pH3,PC13,POCI:的检测。     

第七届国际晶体生长会议在西德召开

第七届国际晶体生长会议于1983年9月12日至16日在西德斯多加德召开。参加会议的代表来自近30个国家共300多人。我国有16名代表参加。会议共收到论文460多篇,其中包括我国学者提交的论文32篇。论文内容十分广泛,涉及的晶体种类很多,但有关硅和Ⅲ—Ⅴ族半导体材料的大会报告有4篇,占大会报告总数的66％;一般论文有125篇,占总论文数的27％左右。我国被接受的半导体材料方面     

硅纳米线制备方法研究进展

硅纳米线是重要的半导体一维纳米材料,伴随着硅作为下一代锂离子电池理想负极以及作为半导体材料在光电化学领域的研究热潮,实现硅纳米线高效、低成本、可控制备成为研究的重点。本文介绍了现阶段硅纳米线制备的主流技术及相关研究进展。