共查询到9条相似文献,搜索用时 64 毫秒
1.
在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱。在考虑了样品中晶格中失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Qc和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了x值对轻、重空穴激子能级位置的影响。在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子(6阶),还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模。 相似文献
2.
稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点讨论了稀磁半导体的制备合成方法,分析了各种制备方法的优缺点,包括分子束外延技术(MBE)、离子注入法、脉冲激光沉积(PLD)、助熔剂法、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶和水热法等。同时分析了目前稀磁半导体遇到的问题和困难,探讨了其解决方法,展望了稀磁半导体潜在的应用前景。 相似文献
3.
用分子束外管生长了不同组分x的Zn1-xMnxSe外延膜和Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格,由于Zn1-xMnxSe的能隙Eg随组分变化在爸组分区形成弓形,且弓形的范围随温度变化的反常特性,首次在光致发光谱(PL)中观测到当温度升高时,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格中由ZnSe为阱、Zn1-xMnxSe为垒转换成Zn-1xMnxSe为阱,ZnSe为垒,瞬态光致发光结果表明,Zn1-xMn 相似文献
4.
5.
研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所对应的样品的居里温度320K,高于室温,具有潜在应用的价值.在制备过程中,采用了HNH退火工艺,即退火分为三个阶段,每个阶段对应不同的退火气氛、时间和温度,XRD分析表明,每个阶段都对应不同的结晶结果.另外,对应不同的Fe离子浓度,进行了实验对比,结果表明,当x=0.051的情况下对应最高的居里温度. 相似文献
6.
基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备方法,不同于其他人采用的MBE或MOCVD生长的方法,用离子注入的方法进行材料制备,能够与现有的集成电路工艺相兼容,用这种方法所对应的样品的居里温度320K,高于室温,具有潜在应用的价值.在制备过程中,采用了HNH退火工艺,即退火分为三个阶段,每个阶段对应不同的退火气氛、时间和温度,XRD分析表明,每个阶段都对应不同的结晶结果.另外,对应不同的Fe离子浓度,进行了实验对比,结果表明,当x=0.051的情况下对应最高的居里温度. 相似文献
7.
通过对Co2+自由离子的3D电子径向波函数进行分析,引入了一个电子云延伸效应修正因子κ来修正这一波函数,从而得到了稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体中Co2+受到了晶体场作用的3D电子径向波函数.应用这一修正后的波函数,计算了Zn1-xCoxSe晶体的光谱跃迁.从物理学的本质出发,考虑了高压力对电子云延伸效应修正因子κ的影响,并且计算了Zn1-xCoxSe晶体吸收谱的压力蓝移谱,得到的蓝移率为dE/dp=0.45meV/GPa. 相似文献
8.
通过对Co2+自由离子的3D电子径向波函数进行分析,引入了一个电子云延伸效应修正因子κ来修正这一波函数,从而得到了稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体中Co2+受到了晶体场作用的3D电子径向波函数.应用这一修正后的波函数,计算了Zn1-xCoxSe晶体的光谱跃迁.从物理学的本质出发,考虑了高压力对电子云延伸效应修正因子κ的影响,并且计算了Zn1-xCoxSe晶体吸收谱的压力蓝移谱,得到的蓝移率为dE/dp=0.45meV/GPa. 相似文献