单电子晶体管积分器及其性能分析

研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SET I-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的简化分析方法同样适用于 SET在其它模拟和逻辑电路中的应用。     

一种基于单电子晶体管的二阶低通滤波器

在研完单电子晶体管(SET)I-V特性的基础上，阐明了一种分区处理法，设计了一个SET积分器电路。并据此实现了一个SET二阶低通滤波器，说明了该滤波器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明，该滤波器的传输特性与采用其它两种方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的传输特性有良好的一致性。文中所提出的SET I-V特性分区处理法，同样适用于SET在其它功能电路中的应用。     

背景电荷对单电子晶体管性能的影响及解决方法

在分析单电子晶体管(Single Electron Transistor，SET)I-V特性基础上，阐明了背景电荷对SET I-VGS特性和I-VDS特性的影响，并针对SET工作的不同情况，提出了解决背景电荷问题的几种不同方法。举例说明了其中的一种抑制SET积分器电路背景电荷的方法，仿真结果证实了其有效性。文中所提出的解决背景电荷问题的方法同样适用于其它SET电路。     

基于单电子晶体管细胞神经网络的实现方法

基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CNN细胞单元的硬件结构原理，给出了三种基于SET的CNN硬件电路具体实现方法：一是基于SET的库仑振荡特性和CMOS数字电路的设计思想方法；二是根据细胞单元的等效结构分块实现方法；三是基于SET阵列的传输特性实现CNN方法，并重点阐述了后两种SET的CNN实现方法，分析了它们的优缺点。     

一种基于多输入单电子晶体管的比较器电路

基于多输入单电子晶体管(SET)的Ⅰ-Ⅴ特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由18个互补型SET和1个双栅极SET构成的1位比较器电路结构.该比较器优点为:利用一个双栅极SET的固有特性,使异或逻辑块得到了简化,减少了晶体管的数目;电压兼容性好,输入和输出高低电平都接近0.02 V和0 V;静态总功耗低(6.42 pW).仿真结果验证了电路的正确性.     

圆柱天线罩电磁散射的复射线分析

利用复射线近轴近似法和集合射线法,可以十分简便地分析天线罩的电磁传输特性和散射特性。本文以二维圆柱形天线罩为例,分析了介质罩对罩内雷达天线性能的影响;计算了天线罩引起的传输系数和角跟踪性能的变化,以及天线罩的附加雷达散射截面;讨论了射线参量及天线、天线罩参量对分析计算精度的影响。数值结果表明,这种分析方法可以显著地简化天线罩优化设计,并可适用于其它多种型式的天线罩。     

电子商务中的PKI、SSL与SET的技术分析

PKI是目前在电子商务中安全传输方案，SSL和SET两种安全的电子交易协议，在网上交易中有着广泛地应用，是大多数在线支付所采用的支付协议。这里在探讨PKI、SSL、SET技术原理的基础上，对它们各自的作用、技术实现、工作漉程等进行了描述；对它们之间的联系、区别、应用范围进行了深入的分析。     

基于晶体管非理想特性的对数域积分器分析与改进

研究了由于双极型晶体管的非理想特性(如寄生发射极电阻RE和基极电阻RB、有限β值及Early效应(VA)等)使得跨导线性积分器特性发生偏移的机理。应用积分器误差函数导出了该积分器非理想特性方程，定量分析出晶体管非理想参数对积分器幅值和相位特性影响，给出了电子补偿的方法，并用PSpice进行了仿真，验证了理论分析结果。     

谈谈积分电路的分析方法

本文结合由积分器构成的压控振荡器的定量分析，从工程分析和理论教学两个方面，对积分器的分析方法提出了几点建议。     

利用简化的SET协议实现手机支付的设计

在安全电子交易的前提下,分析目前流行的SET标准协议,指出SET协议在电子交易过程中的缺陷.针对手机支付自身的特点,将简化的SET协议框架应用于手机支付系统的设计,提出手机小额支付与转帐支付2种支付形式,并分析这2种支付形式的安全性与有效性.这2种支付形式满足了手机支付的安全性、实时性、便捷性等要求.     

单电子晶体管的I-V特性数学模型及逻辑应用

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是：考虑了背景电荷的影响，可由实际物理参数直接获得，支持双栅极工作，便于逻辑电路的分析。研究了背景电荷和各物理参数对I-V特性及跨导的影响，讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用：简化了“异或”逻辑电路，改进了二叉判别图电路的逻辑单元。     

一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计

基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SKT构成的全加器电路结构。该全加器优点为：简化了“P—SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0．02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0．24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。     

单电子晶体管的数值模拟及特性分析

在正统单电子理论的基础上,使用主方程方法,对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中,电子能否隧穿通过势垒,主要是由电子隧穿引起的系统自由能的变化而决定的。文中从自由能量出发对器件特性进行分析,从而得到电容、电阻以及电压等参数对库仑台阶及电导振荡的影响。当两个结电阻不同时,能够看到明显的库仑台阶现象。具有较大结电阻的隧穿结,电容也较大时可以完善库仑台阶,优化单电子晶体管的曲线。     

基于主方程法单电子晶体管的Verilog-A行为模型

 基于单电子晶体管的主方程算法,在简化Lientschnig的单电子晶体管模型基础上,建立了基于Verilog-A的单电子晶体管行为描述模型,并利用Cadence Spectre 仿真器对该模型进行了验证.通过单电子晶体管逻辑电路的设计和仿真,表明该模型具有合理的精确度,且速度快,为单电子晶体管电路及混合电路的仿真提供了一种有效的方法.     

基于单电子晶体管的动态全加器电路设计

基于单电子晶体管的I-V特性,运用CMOS动态电路的设计思想,提出了一种基于单电子晶体管的全加器动态电路,利用SPICE对设计的电路进行了仿真验证,分析了电荷分享问题.相对于静态互补逻辑电路的设计方法,基于单电子晶体管的动态逻辑电路不仅克服了单电子晶体管固有的电压增益低的缺点,而且器件数目也大幅减少.多栅SET的使用可以减少电荷分享问题对动态电路的影响.