AM－LCD用TFT有源矩阵的性能研究

ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的最新进展。     

AM—LCD用TFT有源矩阵的性能研究

ＴＦＴ有源矩阵赋予ＡＭ－ＬＣＤ以所有平板显示器（ＦＰＤ）的最佳性能，使其性能已能够等于或好于最为流行的ＣＲＴ显示器件。本文讨论了ＴＦＴ有源矩阵的性能，描述了在像素电极上充电或放电的电压精度要求，介绍了ＴＦＴ－ＬＣＤ的最新进展。     

a—Si：H TFT有源矩阵制造技术的研究

对ａ：Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ｔａ２Ｏ５／ａ－ＳｉＮｘ双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ来降低背光源对器件特性的影响，研制的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。     

a—SiTFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在ａ－ＳｉＴＦＴ－ＡＬＭＬＣ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计，性能改善，提高矩阵板一致性和完整性，液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。     

α—SiTFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的ＴＦＴ—ＬＣＤ研制线上，最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ视频图象显示器。     

TFT有源矩阵液晶显示系统设计

本文论述了ＴＦＴ有源矩阵液晶显示系统的设计原理，包括驱动电路（专用ＣＭＯＳ电路ＢＤＤ１００１，ＢＤＤ２００１）和控制电路（同步信号发生电路，图像信号产生电路和背电极电路），实现计算机模拟电视信号驱动液晶显示系统。     

低缺陷TFT—LCD研究

综合报道南开大学光电子所为提高ＴＦＴ矩阵性能与图形完整性方面所做的第列研究工作。它包括材料及器件优化研究，冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用ＳｉＮｘ／ａ－Ｓｉ界面的氢经处理，Ａｌ：Ｔｉ栅金属及其Ａｌ／Ｔａ，Ａｌ２ｏ３／ＳｉＮｘ双绝缘层，低温致密ＩＴＯ及Ａｌ腐蚀相容性工艺以及ＴＦＴ动态特性研究等手段，所研制的２００×１５１象素的ＴＦＴ国可基本消除线缺陷仅存少量点缺陷。     

CVD成膜技术

ＣＶＤ成膜技术（东芝）茨木伸树森一成１ＴＦＴ制备的关键工艺作为有源矩阵液晶显示的开关元件，从工作原理来看，薄膜晶体管（ＴＦＴ）是最好的。用来形成ＴＦＴ沟道的半导体活性层和栅绝缘膜的化学气相淀积（ＣＶＤ）技术，对器件性能来说的确是关键工艺。半导体活性层...     

周边集成AMLCD的信号失真的和缓冲寄存器TFT尺寸计算

建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用ＴＦＴ的线性近似和Ｅｍｏｒｅ模型，计算了周边驱动电路中的信号失真，讨论了栅延迟与栅电极材料的叛乱级对ＴＦＴ开态电阻的要求。     

薄膜晶体管矩阵液晶显示器的无缺陷技术

分析了薄膜晶体管矩阵液晶显示器的缺陷分类,成因,研制了ＴＦＴ－ＬＣＤ短,断路缺陷检测和全板显示检测的测试析,系统介绍了各种缺陷的激光补技术和ＴＦＴ－ＬＣＤ屏的冗余技术,作者在美期间开发出了利用减法激光修补仪进行加法修补的独特工艺。     

电大尺寸物体电磁辐射与散射特性几种分析方法的比较研究

在一定的规则部分下，矩量法中的系数矩阵为Ｔｏｅｐｌｉｔｚ矩阵或多重Ｔｏｅｐｌｉｔｚ矩阵。利用这一特性而提出的共轭梯度（ＣＧＭ）和快速付里叶变换（ＦＦＴ）算法已成为目前国际上分析电大尺寸问题的一种有效手段，虽然ＣＧＭ－ＦＦＴ将普通矩量法中正比于Ｎ＾３的存储量压缩为正比于Ｎ的存储量，但其迭代算法使所花ＣＰＵ时间仍与普通矩量法相当。本文采用基于递推的Ｌｉｖｅｎｓｏｎ算法和一种库软件处理同样的问题，所花Ｃ     

电大尺寸物体电磁辐射与散射特性几种分析方法的比较研究

在一定的规则剖分下，矩量法中的系数矩阵为Ｔｏｅｐｌｉｔｚ矩阵或多重Ｔｏｅｐｌｉｔｚ矩阵。利用这一特征而提出的共轭梯度（ＣＧＭ）和快速付里叶变换（ＦＦＴ）算法已成为目前国际上分析电大尺寸问题的一种有效手段。虽然ＣＧＭ—ＦＦＴ将普通矩量法中正比于Ｎ２（Ｎ为系数矩阵的阶数）的存储量压缩为正比于Ｎ的存储量，但其迭代算法使所花ＣＰＵ时间仍与普通矩量法相当。本文采用基于递推的Ｌｉｖｅｎｓｏｎ算法和一种库软件处理同样的问题，所花ＣＰＵ时间和普通矩量法相比降低两个量级，而且存储量比ＣＧＭ—ＦＦＴ技术还要小。本文以直导线的辐射和散射问题为例介绍了几种算法的基本原理，并对他们的计算时间和存储空间等进行了比较研究，得出了一些重要结论。     

离子注入和退火技术

离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提高ＴＦＴ性能的最重要的工艺。氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）ＴＦＴ已作为有源矩阵用于大面积显示（ＬＣＤ）...     

Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究

Ａｌ栅可明显降低ＡＭ－ＬＣＤ中ａ－Ｓｉ ＴＦＴ矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Ａｌ栅的阳极氧化技术，获得了适于ａ－Ｓｉ ＴＦＴ复合栅的Ａｌ２Ｏ３栅绝缘材料。     

共面开关模式TFT—LCD的航空应用

航空应用的ＩＰＳ模式２６ｃｍ ＴＦＴ－ＬＣＤ具有±７０°宽视角，４００ｎｉｔｓ的高亮度和－３０℃－７０℃的宽工作温度范围。为实现以上性能采用了新的ＬＣ的材料，像素电极和公共电极处于顶层的新型共面开关ＴＦＴ矩阵结构及新的黑底结构。     

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ）,特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析     

三端子有源矩阵液晶显示器

主要介绍了ＴＦＴ特别是ａ－ＳｉＴＦＴ矩阵寻址的液晶显示器的结构、制作工艺、工作原理、动态和驱动特性，并着重对其器件参数的选择进行了分析，为今后器件的设计提供了理论依据。同时也介绍了其它三端子方式ＡＭＬＣＤ的特点及所存在的问题。     

寻像器用0.7英寸poly—SiTFT—LCD

寻像器用０．７英寸ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ—ＬＣＤ（索尼）林久雄等１前言便携式一体化摄录机的性能提高，一个重要因素是实现寻像器的彩色化和小型化，为此目的而开发了多晶硅ＴＦＴ—ＬＣＤ，用有源矩阵方式实现０．７英寸画面和具有１０．３万个像素的高精细化，把高迁...     

周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算

建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 Ｔ Ｆ Ｔ 的线性近似和 Ｅｌｍ ｏｒｅ 模型, 计算了周边驱动电路中的信号失真, 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 Ｔ Ｆ Ｔ 开态电阻的要求。     

No.7信令系统TFP消息的有关问题

禁止传递消息（ＴＦＰ）是Ｎｏ．７信令系统路由管理功能中一个非常重要的消息。本文就ＴＦＰ的深入理解以及ＴＦＰ的局限性作了深入的讨论，并对完善ＴＦＰ的响应方法提出建议。