一种新型显示器：分层优化薄膜场致发光显示屏

一、什么是场致发光显示屏？场致发光是在电场的作用下，直接将电能转换为光能的发光现象。实现这种发光的材料很多。利用这种材料制成的场致显示屏，将不需要真空，成为全固体化的发光器件，而且是平板显示器件。这种平板场致发光显示屏，按激发电源不同，有交流和直流两种。场致发光器是本世纪３０年代发明的。到目前为止，已经发展了三代。第一代是粉末场致发光器；第二代是夹层结构单色场致发光器，其发明人是日本的猪口敏夫；第三代是分层优化彩色薄膜场致发光器，其发明人是徐叙容教授。因为它是显示器中主动发光的后起之秀，目前世界…     

薄膜场致发光显示器的结构与材料

场致发光(EL)显示器的优点 据美国OIDA(光产业开发协会)估计:世界光产业现在为每年750亿美元,10年以后,将成长到每年2,300亿美元。估计年增长约200亿美元。光产业将在二十一世纪成为国民经济支柱产业之一。美国为了占领国际光产业市场,提出了要抓的四大领域。其中第一个领域就是平板显示器。在平板显示器(FPD)中,场致发光显示器比液晶显示器有着很多优点,它是平板显示器件的后起之秀。     

金刚石薄膜场致发射平板显示的研究

从场致发射实验中发现一种较适合于场电子发射的金刚石薄膜表面微结构。胜表面为这种微结构的金刚石薄膜作阴极制做的简单平板显示器件具有起始发射场强低，发光强度大的特点，且重复性较好。     

金刚石镶嵌非晶碳膜和类金刚石薄膜的场致电子发射研究

报道了在钼衬底上利用微波等离子体化学气相淀积技术制备金刚石镶嵌非晶碳膜，在硅衬底上用脉冲激光淀积技术（pulsedLaserDeposition）制备类金刚石薄膜，并对其场发射特性和机理进行了进一步的研究。用金刚石镶嵌非晶碳膜作阴极，在2．1V／μm的场强下便有电子发射，最大发射电流密度为4mA／cm2。实验表明，金刚石镶嵌非晶碳膜是制做场效发射冷阴极的合适材料。     

多层场致发光薄膜的初始载流子源

热电子的碰撞引起发光中心的激发，碰撞离化截面与热电子的能量紧密相关，因此，了解初始电子的来源非常重要。本文提出了分层优化多层场致发光薄膜的等效电路，并比较了多层和三层薄膜的电荷－电压特性。     

场致发光电源电路

详细分析了场致发光器件两种电路的各种结构形式和工作特性，这些电路能耗小、光效高，适用于场致发光显示和液晶显示的背光源。     

金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

提高FED器件发光均匀度

发光均匀度是FED器件的一个重要的技术参量；本文介绍了对于FED器件发光均匀度的新测量方法及提高FED器件发光均匀度的新方法。     

用于全彩色场致发光显示的氧化物荧光体

已经证明，用过渡族金属激活的氧化物荧光体作为场致发光器件的发光层以获得三角色，是有前途的。例如，发红光用Ｃｒ，发绿光用Ｍｎ与发蓝光用Ｔｉ。也已证明了ＺｎＡｌ２Ｏ４：Ｍｎ或Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ ＴＦＥＬ器件发出的绿光，Ｚｎ－Ｃａ２Ｏ４：ＣｒＴＦＥＬ器件发出的红光与Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｔｉ发出的蓝光均具有高亮度，适于用作全彩色ＴＦＥＬ显示器的三基色。     

FEA用的非晶态金刚石碳薄膜

文章对用于FEA的非晶态金刚石碳膜的制备、测量、场致发射特性以及发射性能改良的掺氧非晶态金刚石碳薄膜作了介绍。     

金刚石镶嵌非晶碳膜的场致电子发射研究

用微波方法在钼衬底上沉积出金刚石镶嵌非晶碳薄膜，对其场致电子发射特性和机理进行了研究，使该薄膜的场致发射电子激光发荧光屏，并观察到发光。     

金刚石的场致发射

报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极电流现象，总结了几种不同类型样品结构的发射机理，提出了增强发射电流、提高发射稳定怀的方法，综述了和种影响发射电流的因素，提出了较为统一的发射电流表达式，使得金刚石的发射电流符合Ｆ－Ｎ理论。     

谈谈场致发光技术

介绍了EL系统特征及应用。     

薄膜场致发射冷阴极

带有Mo尖锥的薄膜场致发射冷阴极,是基于场致发射理论,在高纯Si衬底上采用半导体微细加工技术制作而成的.本文简述该阴极的工作原理、制作工艺、目前的研究动态和应用前景.     

金刚石薄膜高温器件

本文详细地论述了低压气相生长的金刚石薄膜作为一种新型半导体材料的研究进展,讨论了金刚石薄膜与金属的欧姆接触和整流接触,以及可以在高温区工作的金刚石薄膜Schottky二极管和MESFET器件。最后,讨论了目前金刚石薄膜作为半导体材料所遇到的两个尚无法实现的问题:n型掺杂和异质外延单晶膜的生长。     

场致电子发射技术分析

本文介绍了发射的机理致发射的几种不同类型的阴极,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点,最后对场致发射的应用进行了分析。     

场致发光的分层优化

提出了场致发光的分层优化方案，包括预热层、加速层和发光层。概述分层优化的基本特性及每层的功能。     

国外场致发射器件的新构思与进展

本文叙述了国外基于Spindt阴极场致发射器件一些新近的构思与进展。较详细涉及到的这些器件包括:场致发射阵列场效应晶体管、场致发射阴极X波段调谐放大器、微米级真空管、吉赫微波管以及真空荧光平板显示部件。