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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
提出了一种新型高稳定LDO电路。该电路采用折叠型共源共栅运算放大器作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高环路稳定性;并在反馈电路中加入一种新的电压调整模块,以保证输入参考电压在一定范围内发生偏离时都能得到相同的输出电压。基于0.8μm 40VBCD工艺,对提出的LDO电路进行了HSPICE仿真验证。结果表明,在输入参考电压发生±17%的变化时,输出电压仅变化±3.8%。  相似文献   

2.
冉峰  郭家荣 《半导体技术》2015,40(5):338-342
提出了一种适用于闪存的瞬态增强的无片外电容低压差线性稳压器(LDO).该LDO采用了具有超低输出阻抗的缓冲器驱动功率管和高能效基准方法,缓冲器采用并联反馈技术降低输出电阻以增强功率管栅端的摆率.高能效基准电路在静态模式输出小基准电流以减少静态功耗,而在工作模式提供大的基准电流以增加闭环带宽和功率管栅端的摆率.设计的LDO应用于采用70 nm闪存工艺制造的、工作电压为2~3.6 V和存储容量为64 M的闪存中.测试结果表明,该LDO输出的调制电压为1.8V,最大输出电流为40 mA,在没有负载的条件下仅消耗8.5μA的静态电流,在满载电流变化时,用于闪存时仅有20 ns响应时间且最大输出电压变化仅为72 mV,满足高速闪存的要求.  相似文献   

3.
《电子与封装》2017,(12):38-41
作为新一代集成电路稳压器,LDO以其成本低、噪音低、静态电流小、纹波抑制比高等特点被广泛应用于各种供电系统中。介绍了一款内置独立LDO的马达驱动电路,并通过LDO熔丝的修调介绍了几种常用的熔丝修调方法和注意事项。  相似文献   

4.
朱亮  吴玉广 《电子科技》2008,21(2):10-15
设计出一种单片集成可用于锂电池充电的LDO(Low Dropout)线性稳压器.对线性稳压器的工作原理及关键特性进行了分析,此电路基于Cadence Chat0.35umCMOS工艺,并用Cadence对整体电路进行了仿真,仿真结果说明该电路具有高精度、宽电源电压工作范围、低温度系数的优点.  相似文献   

5.
邹映涛  唐昱  陆建  周建超 《电子测试》2021,(23):112-114,130
低压差线性稳压器(LDO:Low Drop Output),作为常用的一种线性降压型的电源管理模块广泛应用于集成电路设计中,但由于各种因素影响,实际输出电压值与设计值存在一定的随机偏差.针对LDO输出随机偏差,业界普遍采用通过配置LDO修调寄存器来调整分压电阻阻值,从而调整输出电压到规定值.本文介绍了基于93K测试仪对...  相似文献   

6.
《今日电子》2002,(7):7-7
白光LED与荧光灯相比具有使用简单、成本低的优势,与白炽灯相比可以提供真正的白色光,因此,其用量在最近几年呈现出稳步上升的趋势,在手持式产品中被广泛用作闪光灯、显示器背光等。当然,在实际应用中针对白光LED也存在一些有待解决的技术问题。 选用白光LED最明显的问题是产品的匹配性差,按照白光LED的典型规格,电流为20mA时正向电压的最小值为3.0V、典型值为3.5V、最大值为4.0V。显然,稳压源不是合理的解决方案。当然,利用相同的电流驱动每只LED可以获得均匀亮度,但成本很高。在许多应用中只是简单地用一个固定偏置电压和镇流电阻驱动LED,如图1所示。  相似文献   

7.
无电容型LDO的研究现状与进展   总被引:2,自引:1,他引:2  
无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点.与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在稳定性和瞬态特性上遇到巨大挑战.分析讨论了无电容型LDO的设计挑战;回顾了无电容型LDO在提高稳定性和改善瞬态特性上的最新研究成果.  相似文献   

8.
提出了一种静态功耗很低的BICMOS LD0线性集成稳压器的实现方法,详细分析了它的工作原理,并给出了具体电路、仿真波形以及分析数据。该电路的主要特点是采用一种自偏置电流基准源,有很强的电源抑制比和很好的温度特性。高电流效率的输出缓冲器,用以降低电路的静态功耗。为防止输出电压过冲,采用误差放大器与NMOS管的结构进行调节,这样保证了输出电压在输入电压上电的过程中无过冲。  相似文献   

9.
设计了一种应用于低压差线性稳压器(LDO)中的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hynix 0.5 μm CMOS 模型进行仿真,结果表明,当负载电流由1 mA 变化至300 mA时,系统环路增益的0 dB 带宽保持在70 kHz到100 kHz之间,相位裕度保持在60o以上,保证了LDO 稳压器在全负载范围内均能稳定工作.  相似文献   

10.
设计了一种高性能无片外电容型LDO线性稳压器.其中,EA采用推挽输出放大器设计,在静态时保持低功耗,瞬态响应时提供大的输出电流,提高LDO的响应速率.高环路增益使LDO电路具有很高的稳压精度;采用零点补偿技术,保证了LDO环路稳定性.LDO采用0.13μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.2V^2.0V输入电压下,LDO输出稳定的1.0V电压,输出负载电流为50μA^100mA,最大负载电容可达到100pF,低频PSR为-67.5dB@100mA^-85.5dB@50μA,负载调整率0.8μV/mA,LDO的静态电流为50μA,整体版图面积为0.016 3mm2.  相似文献   

11.
极点跟随的LDO稳压器频率补偿方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种新型的用于LDO稳压器的频率补偿方法,并通过动态偏置电压缓冲器进行了电路实现。该方法提供了快速的瞬态响应,且无需芯片上频率补偿电容,提高了芯片的集成度。理论分析与仿真结果表明,LDO稳压器在满负载条件下的频率稳定得到了保证。  相似文献   

12.
邱鑫  姚思远  刘智  葛梅 《微电子学》2022,52(6):948-954
为解决LDO稳定性高度依赖负载电容和ESR零点补偿可靠性差的问题,提出了一种宽负载电流范围下(0~1 A)自适应电流频率补偿技术。通过分段电流补偿设计了轻重载下动态极点和独立阻抗,在优化环路稳定性的同时,进一步减小了静态功耗;通过阻容网络信号叠加产生了随负载电流和电容变化的动态零点。经仿真及流片验证,全负载范围内最差相位裕度为55°;可空载,且空载下静态功耗仅为52.3μA;适用负载电容范围≥2.2μF,ESR范围≤1Ω。该环路具有高稳定性和宽负载电容适应性。在应对负载突变时恢复曲线平滑,无欠阻尼振荡现象。  相似文献   

13.
针对传统低压供电的低压差线性稳压器线性响应比较慢的情况,提出了一种基于BICMOS 0.5μm工艺分高低压供电的低压差线性稳压器。经过Hspice仿真验证,该稳压器具有高增益、高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)、低功耗、响应速度快的特点,输入电压范围为0.5~28.0 V,输出电压为5 V。此稳定器低频时的开环增益达到86 dB,相位裕度为68o,低频时的电源电压抑制比为–91 dB,高频时也能达到–2 dB,静态电流只有13.5μA。  相似文献   

14.
基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
徐静萍  来新泉 《半导体技术》2007,32(12):1056-1059
介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理.重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路.整个电路采用HYNIX 0.5μm CMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1 μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性.  相似文献   

15.
一种新型CMOS误差放大电路的设计   总被引:1,自引:1,他引:1  
设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过嵌套密勒补偿和动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hy-nix 0.5μm CMOS Hspice模型进行仿真,结果表明,此带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有0.5μV rms,共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)为70 dB左右。  相似文献   

16.
低压差线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)由于具有响应速度快、芯片面积小、低输出噪声的优点,很适合作为电源模块集成到红外焦平面读出电路的系统中。设计了一款低噪声、带buffer和密勒补偿的LDO结构的线性电源,芯片采用CSMC 0.6 μm CMOS工艺设计,在Hspice上对电路模块进行了仿真验证。仿真结果表明,该LDO在50 kHz、3.3~5 V的电源电压下,线性调整率最大为10 mV/V,电源抑制比(PSRR)为50 dB,负载电流可达到100 mA。  相似文献   

17.
文中设计了一种应用于LDO线性稳压器的使能和过温保护电路,使芯片在工作温度过高时自动关闭,有效地防止芯片被损坏,待其恢复正常工作状态时自动重新开启各模块。采用Hynix 0.5um CMOS工艺和Hspiee软件进行仿真后表明,设计的电路满足设计指标要求,具有优良的性能。  相似文献   

18.
LDO的三种频率补偿方案实现   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
郭鹏  沈相国   《电子器件》2006,29(3):706-709
从理论上分析了三种不同的LDO电压转换电路及各自的频率补偿方案,并基于sPEcTRE对此三种LDO的各项性能进行了仿真,仿真采用0.6μm 5 V CMOS工艺。在此基础上,对这三种LDO电路各自的优缺点进行了比较以便于在不同应用场合下能够选择合适的LDO结构。  相似文献   

19.
LDO线性稳压器结构的改进   总被引:1,自引:0,他引:1  
党华  王志功  王欢  徐建 《中国集成电路》2009,18(1):20-22,67
通过改进传统电路结构,设计出了一种低压差线性稳压器。通过解决系统上电所带来的一些问题,达到了低功耗的设计目的。给出了带隙基准源和误差放大器等关键电路的设计方法,采用和舰0.35μ mCMOS工艺模型Spice进行了仿真,验证了设计的正确性。  相似文献   

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