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Ka波段4位数字移相器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
移相器的应用十分广泛,比如各种通讯和雷达系统,微波仪器和测量系统,特别在相控阵雷达中应用最多。移相器是相控阵雷达T/R组件的重要组成部分。本文主要对Ka波段4位数字移相器进行了研究,并完成了实际电路的设计、制作和测试。在34.2GHz±300MHz频率范围内,所有相移位(16个)的插入损耗都小于10.71dB,输入端和输出端的回波损耗也都小于-14.84dB。另外,所有相移位在中心频率34.2GHz处的相位误差都小于士3.0°,最小仅有0.15°,所有指标均优于设计要求。 相似文献
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X波段五位、C波段六位砷化镓单片数字移相器 总被引:2,自引:0,他引:2
南京电子器件研究所成功地研制出X波段五位、C波段六位砷化镓单片数字移相器,该移相器具有体积小、性能优、功耗极低、转换速度快、重复性和一致性好、可靠性高等优点。电路设计中,采用开关移相网络、桥T电路和谐振式电路形式来实现移相功能。电路采用先进的MMIC工艺制作。研制的移相器主要性能指标如下:X波段五位砷化镓单片数字移相器频 率:f0±550MHz位 数:五位(180°、90°、45°、22.5°、11.25°)插入损耗:8.5dB相位精度:RMS<2.6°输入驻波:<1.5输出驻波:<1.5各… 相似文献
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采用0.25μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2.3~3.8 GHz频段的低插入损耗、高精度、小尺寸且集成数字驱动器的6位数字移相器。移相器中的6个移相单元按45°/90°/5.625°/11.25°/180°/22.5°的顺序级联。为了改善移相精度和抑制级联散射,进一步优化了移相单元的电路设计。在2.3~3.8 GHz频率范围内,数字移相器的相位均方根误差最大值为4°,输入输出电压驻波比小于1.4,插入损耗小于4 d B,各状态的幅度波动小于0.8 d B,芯片尺寸为2.44 mm×1.52 mm。 相似文献
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一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器 总被引:3,自引:0,他引:3
南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多倍频程GaAsMMIC五位数字移相器,初步获得了优异性能。五位数字移相器中每一位均采用了新颖的宽带移相电路拓扑,设计中动用了独到的CAD优化技巧,并借助于南京电子器件研究所Φ76mmMMIC工艺线电路模型参数提取系统获取电路模型参数和采用电路模型参数比例缩放技术。芯片制造采用MMIC标准离子注入圆片工艺制造技术和工艺监控(PCM)技术以保证高的成品率和一致性。芯片采用了多重钝化保护技术以保证在微波多芯片模块(MMCM)组装使用中的高可靠性。芯片尺寸为:4.2mm×2.98mm×0.1mm,输入/输出端… 相似文献
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本文介绍了频带为24~60MHz移相范围为±180°的电调移相器的制作方法。简要分析了工作原理,给出了测试数据和试验结果。 相似文献
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设计了一种Ka波段11.25°数字移相器。采用一前一后加载支线的方式,在Ka波段内研制出11.25°数字移相器。该移相器在30~31GHz工作频带内,驻波比小于1.65,插入损耗小于3dB,固定相移11.25°,相位精度达到±3°。 相似文献
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介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计,制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案,22.5℃和11.25℃相移位采用共享一个兰格耦合器的电路拓扑,在5GHz~20GHz频率范围内,获得低峰值相移误差≤5&;#176;对180&;#176;、90&;#176;、45&;#176;相移位,≤2.5&;#176;对22.5&;#176;和11.25&;#176;相位移;低输入/输出驻波比≤1.8;低插入损耗起伏(10dB&;#177;0.8dB)和小芯片尺寸(4.2mm&;#215;2.5mm&;#215;0.1mm)。 相似文献
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介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果.该移相器在工作频带2.8~3.6 GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5 dB、输入输出驻波比VSWR<1.5、幅度均衡△IL<0.3 dB、1分贝压缩输入... 相似文献
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讨论了采用数字移相器实现移频的原理,并分别在理想情况下和有相位误差情况下对数字移相器移频的主要性能指标--杂散抑制比和载波抑制比进行了分析. 相似文献
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叙述了一种采用单片集成方式实现的C波段6位数字移相器的设计技术和研制结果。在HP-8510网络分析仪上的测试结果表明:在5.2~5.8GHz频段,移相器插损为7.5±0.5dB,输入/输出驻波比好于1.5,均方根相移精度在5.5°以内。 相似文献
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