共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
GAL器件是在PAL器件基础上发展起来的逻辑器件,是美国Lattice公司推出的一种可电改写、可重复编程、可加密的新型可编程逻辑器件。它具有速度快、容量大、功耗低而且设计灵活,在PLD器件中独树一帜,在电子设计系统中得到广泛应用。 GAL16V8用于我厂轴承磨床上。它作为步进电动机驱动器的环形脉冲分配器比以前用的CH250速度快,不易出现丢步,大大提高了生产效率。 相似文献
3.
4.
5.
6.
介绍了用一片GAL16V8芯片设计的可程控n分频器的分频原理、电路设计和编程方法 ,该分频器可产生5 0 %占空比的 7路移位分频输出 . 相似文献
7.
8.
给出了一种使用AT89C2051单片机、集成脉宽调制控制芯片SG3525和GAL20V8等器件实现的二相步进电动机驱动控制系统。阐述并分析了系统的工作原理、构成以及各功能的实现方案。实验结果表明,控制系统运行正常,成本低廉,可靠性较高。 相似文献
9.
阐述了三相异步电动机软起动装置中晶闸管管压降信号的检测方法及其应用 ,针对三相异步电动机软起动结束后管压降信号难以检测的问题 ,提出了一种采用 80C1 96KC单片机和可编程逻辑器件GAL1 6V 8构成的触发电路 ,该电路可以确保异步电动机起动结束后晶闸管管压降信号的检测。 相似文献
10.
旋转编码器是应用于角度定位或测量的,但是由于受外界(如风力)的影响,旋转轴的晃动可能引起波形的不规则输出,从而导致计数误差。本文介绍了一种利用GAL16V8的可编程特点的电路设计,滤除了可能引起的误差。 相似文献
11.
GAL(Generic Array Logic,通用阵列逻辑)器件已得到广泛应用。本文简要地介绍了GAL在IBM PC/XT彩卡设计中的应用,使可编阵列逻辑器件实现了可编程,可擦除,可加密的最优功能,从而使之在电路设计、产品开发等方面能得心应手。 相似文献
12.
13.
高压断路器机械状态在线监测系统研究 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了一种基于单片机 80C5 5 2的高压断路器机械状态在线监测多参量数据采集系统的构成及其工作原理 ,采用GAL器件 ,简化了系统设计 ,提高了系统的灵活性 相似文献
14.
CPLD在光纤传输系统数字编码中的应用 总被引:3,自引:1,他引:2
CPLD是在传统的PAL和GAL基础上发展起来的具有多种工作方式、高集成、高速、高可靠性的复杂可编程逻辑器件。运用VHDL硬件描述语言以及MAXPLUS软件平台以曼彻斯特编解码为例介绍了如何采用复杂可编程逻辑器件(CPLD)替代mBnB编解码器。这种设计的主要特点是大大缩短了系统开发周期,增强了可移植性,费用降低,性能更好。 相似文献
15.
本文对IGBT超音频感应加热电源设计的有关问题进行了讨论,基于串联谐振电路和晶闸管调压调功方式,采用锁相环和GAL器件进行设计,开发了一种IGBT超音频感应加热电源的控制电路,并介绍了控制电路的主要组成部分和设计特点。 相似文献
16.
本文论述了EPLD器件的发展现状及EPLD的CAD开发工具.对我所开发的便携式光时域反射计(OTDR)中的24位全加器电路及译码电路完成了用GAL系列器件来替代传统的TTL器件,从而把原仪器中的4块并行加法板合并为2块,减小了仪器体积,缩短了生产周期,提高了产品的可靠性.试验测试结果很好,该仪器已正式投入批量生产. 相似文献
17.
一、可编程逻辑器的发展 可编程逻辑器(PLD)是70年代发展起来的一种划时代的新型逻辑器件,一般来说,PLD器件是由用户配置以完成某种逻辑功能的电路。PLD器件自问世以来,制造工艺上采用TTL、CMOS、ECL及静态RAM技术,器件类型有PROM、EPROM、E~2PROM、FPLA、PAL、GAL、PML及LCA等,PLD在性能和规模上的发展,主要依赖于制造工艺的不断 相似文献
18.
《可编程控制器与工厂自动化(PLC FA)》2005,(8):19-20
Vitesse Semiconductor公司近日推出业界首款16和24端口于兆位以太网交换芯片-Sparx-G16与SparX-G24的样片。该产品集成了8个PHY和一个嵌入式V—Core处理器,为OEM和ODM商提供了一种能够减少现有Web管理的智能交换机系统器件数量的多功能片上系统解决方案。SparX系列产品适用于家庭办公(SOHO)、小中型商务(SMB)以及小-中型企业桌面交换机以及消费无线和DSL宽带路由器等应用。 相似文献
19.
为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面,通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响。所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2μA,在源漏电压400 V时输入电容C_(iss)、输出电容C_(oss)和反向传输电容C_(rss)分别为1 500 pF、32 pF和12 pF,动态导通电阻升高约16%。基于该款cascode器件设计并展示了一款240~320 kHz、满载功率1 kW的无线充电样机,在200~1 000 W负载范围内效率明显高于Si器件,最高效率超过95%。 相似文献