LTPS AMOLED显示器像素电路阈值电压补偿效果的改善

为改善LTPS AMOLED显示器像素电路阈值电压变动性补偿效果,本文分析了相关电压型像素电路的工作过程,确认了影响阈值电压补偿效果的关键因素,包括显示信号刷新扫描行周期对阈值电压获取充电时间的制约、驱动信号形成过程中相关TFT电容增量造成的阈值电压精度损失等。针对这些关键因素,本文提出了像素电路改进对策。通过分离阈值电压获取和数据电压信号刷新过程实现阈值电压获取充电时间的延长,通过反向增量电容补偿相关电容增量误差。在像素OLED驱动电流受阈值电压变动影响突出的低灰阶状态下,模拟结果表明阈值电压获取和数据电压信号刷新过程分离像素电路的OLED驱动电流变动性是参考电路的1/7;反向增量电容补偿像素电路OLED驱动电流变动性大约为无补偿参考电路的1/2。补偿效果样品视觉评价结果与模拟结果趋势相符。     

AMOLED屏上驱动电路的设计

提出一种基于AMOLED屏的行、列驱动电路的设计方法。该行、列驱动电路是由带两管a-SiTFT和一个存储电容的像素电路组成的AMOLED驱动,行驱动电路是由译码器组成,完成64行的逐行选通信号,列驱动电路由移位寄存器和数据选择器组成,整个系统设计实现128×64点阵AMOLED屏的屏上驱动电路,运用Tanner Pro软件完成对整个电路各部分的绘制,证明了设计的可行性与正确性。     

AMOLED像素电路的设计与仿真研究

为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法.最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流...     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中．聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点．而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

聚合物薄膜场效应晶体管研究进展

有机薄膜场效应晶体管（OFET）在电子报纸、智能识别卡、大面积平板显示及柔性显示、传感器、数字逻辑电路等方面具有非常广阔的应用前景。在OFET家族中，聚合物半导体膜因具有机械性能好、热稳定性高、成膜方法简单经济以及特别适合于制备大面积器件等特点，而使聚合物薄膜场效应晶体管（PFET）近几年来倍受关注。本文概述PFET的基本结构和工作原理、器件设计和制备以及相关的研究进展，最后讨论PFET器件未来的研究方向。     

Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．     

一种基于低温多晶硅薄膜晶体管的交流AMOLED像素补偿电路

This paper presents a new poly-Si pixel circuit employing AC driving mode for active matrix organic light-emitting diode （AMOLED） displays. The proposed pixel circuit, which consists of one driving thin-film tran- sistor （TFT）, three switching TFTs, and one storage capacitor, can effectively compensate for the threshold voltage variation in poly-Si and the OLED degradation. As there is no light emission, except for during the emitting period, and a small number of devices used in the proposed pixel circuit, a high contrast ratio and a high pixel aperture ratio can be easily achieved. Simulation results by SMART-SPICE software show that the non-uniformity of the OLED current for the proposed pixel circuit is significantly decreased （〈 10%） with an average value of 2.63%, while that of the conventional 2T1C is 103%. Thus the brightness uniformity of AMOLED displays can be improved by using the proposed pixel circuit.     

一种LTPS-TFT AMOLED像素电路的理论研究

本文对一种LTPS-TFT AMOLED电压型阈值电压(V_(th))补偿像素电路进行了理论研究,分析了影响V_(th)补偿效果的主要因素。电路的补偿效果主要由驱动TFTV_(th)的获取精度和随后的保持精度决定。在V_(th)获取过程中,相关误差主要由驱动TFT转移特性电流对存储电容充电的充电率不足产生;在显示信号与V_(th)叠加过程中,与V_(th)保持节点连接的电容增量等因素会造成V_(th)保持精度的损失。根据分析的结果,本文解释了高分辨率像素电路补偿效果下降的原因。     

简析传声器专用管2SK596的结构和性能

１引言多年来，无论是驻极体电容传声器的专用场效应晶体管（以下简称传声器专用管）生产厂，还是传声器生产厂，多数人都了解日本三洋公司经过改型后的２SK５９６传声器管产品，该管的栅源极之间除了抗阻塞的正向箝位二极管之外，又外加了一个高阻值的电阻器，有人只知其一，不知其二，而且对此有一种“神秘”的感觉！该公司加这个电阻到底是起什么作用，又符合哪条基本原理，下文从传声器专用管的实际应用电路，以及所做过的有关试验的结果，综合进行详细分析，以此使有关人员对２SK５９６管有个客观、全面地了解和认识，对提高产品质量…     

不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究

分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺     

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiN_x:H Film

ＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＴｈｒｅｓｈｏｌｄＶｏｌｔａｇｅｏｆａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴｏｎａ－ＳｉＮｘ：ＨＦｉｌｍ①ＸＩＯＮＧＺｈｉｂｉｎ，ＷＡＮＧＣｈａｎｇ’ａｎ，ＸＵＺｈｏｎｇｙａｎｇ，ＺＯＵＸｕｅｍｅｉ，ＺＨＡＯＢｏｆａｎｇ，ＤＡＩＹｏｎｇｂｉｎｇ，Ｗ...     

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiNx:H Film^①

The relation between threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:HTFTs)and deposition conditions for hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiNx:H)films is investigated.It is observed that the threshold voltage,Vth,of a-Si:HTFT increases with the increase of the thickness of a-SiNx:H film,and the threshold voltage is reduced apparently with the increase of NH3/SiH4 gas flow rate ratio.     

基于改善AMOLED TFT均匀性和稳定性像素补偿电路

有机发光二极管显示器(OLED)正越来越多地用于中小尺寸的显示,但在大尺寸方面进展缓慢,因为在有源大尺寸方面对OLED的稳定性和均匀性要求较高,需要设计像素补偿电路。各研究机构提出了像素补偿电路用于改善OLED的均匀性和稳定性等问题,文中对目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各种像素补偿电路进行了分析。分析结果表明,文中设计方案取得了一定的效果,但尚存不足。     

基于不同TFT技术的AMOLED像素电路仿真分析

非晶硅、非晶氧化铟镓锌、多晶硅薄膜晶体管是可用于设计AMOLED像素驱动电路的3种典型的薄膜晶体管(TFT)技术。文中基于3种TFT的模型,针对大尺寸、高分辨率的AMOLED,分别在典型的电压式驱动和电流式驱动像素电路进行了建模仿真,并对仿真结果做了分析和比较。该研究方法为像素电路的设计提供了一定理论依据。     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源,经金属诱导晶化(MIC)得到了大晶粒碟型多晶硅.为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性,采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除.通过流程简化,采用6块版工艺,研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板

用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅. 为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC 过程所残留的Ni进行了吸除. 通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mm QVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板.     

17.8cm彩色AMOLED驱动模块的研制

利用现场可编程门阵列结合液晶显示器(LCD)的驱动芯片研制了一个17.8cm(7in)彩色AMOLED显示模块。用Verilog硬件描述语言编写了显示驱动控制程序。通过对OLED显示屏的研究,选择了适合该显示屏的LCD驱动芯片。通过研究LCD驱动芯片的特性,结合驱动OLED的实际需求,提出了一种屏幕与IC的连接方案。采用奇偶列像素数据线交错排列、列驱动IC并行工作的方法,克服了LCD驱动芯片点反转导致屏幕亮度损失一半的问题。针对数据驱动IC只能接收6bit/pixel的数据,而丢失了2bit数据的问题,文章在图像处理中引入了数字半调技术,利用Bayer抖动法对输入数据进行处理,提高了输出图像的质量。     

一种新型的电压型AMOLED像素补偿电路

针对常用3T1C结构的AMOLED像素补偿电路容易受到阈值电压漂移影响的问题,介绍了一种新型电压型4T2C结构的AMOLED像素补偿电路,阐明了该电路的工作原理,并对OLED的驱动电流作了定性分析。结果显示该驱动电流值只与驱动电压及电源电压有关,从而有效地解决了因阈值电压变化而造成的显示器亮度不均匀的问题。该电路已通过Spectre仿真软件验证了其有效性。     

采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。