InSb(PV)红外探测器分谱量子效率η(λ)的温度关系研究

测量了InSb(PV)探测器在4.2～77K低温下的光谱响应,结果表明在3.6～4.8μm波长范围内,所测探测器的分谱量子效率η(λ)并非简单地随温度的下降而减小,而是具有峰值特性,峰值温度的大小与探测器的材料、结构、工艺、波长和背景条件有关。对这些结果的物理机制作了定性说明。     

InSb光导探测器量子效率研究

在对InSb光导探测器量子效率理论分析的基础上,提出两种可有效提高量子效率的方法及其实现方法,并给出相关的应用结果。     

InSb光伏多元红外探测器的电极制备

对于半导体器件来说,金属电极的制备工艺是必不可少的。而组件较之单元尤为重要。其电极质量的优劣,直接关系到器件性能是否能充分发挥。然而,电极质量的优劣,又是与电极材料的选择和电极的制备工艺密切相关。本文主要论述了InSb光伏多元红外探测器件的电极材料选择和电极制备工艺。     

准平面型InSb光伏列阵红外探测器

在台式光敏面基础上,采用SiO_2介质掩蔽,金属膜延伸电极和衬底区超声引焊电极引线,研制成InSb光伏型列阵的准平面型器件。由本工艺制备的器件具有无串音、结阻抗高、反向耐压高、稳定性好等良好性能。     

64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征

用改进的恒压微探针方法,对64×64元 InSb 凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价.测得典型64×64元 InSb 芯片的探测器平均零偏阻抗为42MΩ(90K),非均匀性为20%;平均1000K黑体响应率为2.8A/W,非均匀性为6.3%;电学串音率＜2%.讨论了性能异常芯片上存在的局部电学串音现象.     

InSb光伏器件的温度特性分析

ＩｎＳｂ光伏器件的温度特性分析龚启兵（航空工业总公司第Ｏ一四中心洛阳４７１００９）锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ，且性能随着温度的变化而变化。在一定的温度范围内，载流于浓度是一定的，器件能稳定工作；但随着温度的升高，本征载流子浓度迅速增加，温度足够高...     

多谱Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器

本文报导高性能三波段Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的制作工艺和特性。在77K分别测得上部、中间及底部元件在1～2、3～5及8～12微米波段的峰探测度为1.2×10~(12)、9.7×10~(11)及5.3×10~(10)厘米·赫~(1╱2)瓦~(-1)。在峰值波长时,外量子效率为75％、62％及51％。     

InSb光伏探测器钝化对电学性能的影响

实验以阳极氧化法在0.1MKOH溶液中钝化InSb光伏探测器,测量器件钝化前后电学性能的变化。结果表明,器件经钝化后,反向阻抗普遍提高,零偏压阻值显著增加。由于有效地减小表面漏电现象和“沟道效应”,台面下反型层对信号响应降低,改善了器件敏感面扩大问题。借助于俄歇电子能谱仪和x光能谱仪对钝化膜的主要成份进行了测定。文中列出器件钝化前后性能变化数据,並对实验中的现象及有关工艺问题进行讨论。     

不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究

采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响.实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-V测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷.将复合钝化膜应用到128×12815μm InSb焦平面探测器上,探测器芯片优值因子R0A≥5×104Ω·cm2,较之前(R0A≈5×103Ω·cm2)得到了极大改善.     

离子注入多谱线Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器

从前我们曾报导,汞离子注入能使p型Hg_(1-x)Cd_xTe层转变成n型并用这种技术制得高质量光伏探测器,其截止波长范围从2到14微米。这些结果,加上资料[2]的那些报导,第一次表明用离子注入技术制备工作在77°K的8～14微米范围的二极管是可能的。另方面在比较短的波长中,离子注入和质子轰击已成功地制备出光伏红外探测器。这里,提出Hg~ 离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器最新的一些研究结果,特别着重介绍利用这种技术制备的多谱线组合器件。这样的器件允许同时接收光谱和空间信息而无需采用色散的光学系统,因此能简化多谱线遥感系统光学部份的复杂性。除此之外,还便于制造信道数目少的特殊目的系统。事实上,就地质、水文和农业这些地球资源勘探的某些方面而论,人们一般都知道     

基于温度变化的量子阱红外探测器研究

量子阱红外探测器受到温度、压强等多种因素的影响,本文主要从温度方面进行了研究.在文献[2]的基础上,进一步推导了超晶格中热应变与温度的关系;结合量子阱红外探测器的能级公式以及波长与能级差的关系式,定量地分析了温度变化对量子阱红外探测器探测峰值波长的影响.     

多量子阱红外探测器垂直光耦合研究

对多量子阱红外探测器制作中GaAs衬底减薄工艺程序进行了研究与讨论.通过将器件压焊封装进杜瓦瓶中,测量其室温和低温条件下,I-V特性,以及在低温条件下的器件信噪比,并以傅里叶变换红外光谱仪对器件进行光谱测量,得到光电流谱,从而比较了将器件衬底磨45.斜角的边耦合情况,以及直接将衬底减薄至(29±2)μm两种情况下器件的性能.并讨论了减薄材料在垂直入射情况下仍能引起器件光吸收的主要原因.结果表明,由于GaAs材料的各向异性,湿法腐蚀会使器件台面形成正梯形和倒梯形结构,其作用等同于器件磨至45°斜角,因此在垂直入射时器件也会有光电流产生.此外,在衬底进行减薄抛光后,衬底会有很小的起伏,这也可能引起光耦合,从而产生光电流.     

碲镉汞红外探测器量子效率计算研究

首先分析了量子效率计算的相关方法,然后分析红外碲镉汞探测器测试过程。对器件进行电学性能测试及光谱响应测试基础上,利用测试方法和测试数据计算出探测器产生的电子数。再将实际电子数与理论分析的光子数相比,计算出探测器对不同红外波段量子效率,最高可达66 %,达到了国外同类型器件响应的量子效率指标。本文的研究为评价碲镉汞探测器的光电转换性能提供了一种有效的方法。     

132元InSb光伏线列的研究

报道了我们研制出的132元InSb光伏线列的制备工艺及其性能。线列是采用流行的Cd扩散工艺和光刻剥离技术制成的,每个线列装于封离的检测杜瓦瓶中,77K,线列典型检测元的探测率D~*(500,1000,1)为(0.8～1.5)×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。     

串音对InSb光伏型红外探测器列阵性能的影响

本文将InSb光伏型红外探测器列阵简化成线性电阻网络,通过这个方法,讨论了串音对列阵器件各探测元的结电阻、响应率及探测率的影响。结果表明,在有串音的情况下,实测的探测元结电阻变小,探测率变大,而响应率可能变大,也可能变小。     

In(Ga)As量子点红外探测器

讨论了量子点红外探测器的工作原理、性能参数、暗电流形成机理及其优势,介绍了In(Ga)As量子点红外探测器的主要结构、性能和取得的最新结果,最后探讨了如何进一步提高量子点红外探测器的性能。指出要实现量子点红外探测器的优势,必须优化量子点生长条件,让量子点更小、更均匀和密度更大;必须提高量子点的掺杂控制和掺杂水平,实现每个量子点中有1～2个电子;必须降低量子点生长中引入的应力,增加量子点有源区的层数;此外,还必须寻求新的量子点红外探测器结构。     

在液氮和液氦温度工作的InSb红外探测器的测定

在液氮和液氦温度下测定InSb红外探测器的性能。当探测器处于Johnson噪声限时,观察到灵敏度有很大提高。在300K背景辐射和衍射限制下,探测器的噪声等效功率(NEP)在1.65微米为1.5×10~(-16)瓦赫~(-1/2),尤其对更弱的光子背景条件下作天体物理观察,改善性能还有潜力。     

用于红外辐射的Cd_xHg_(1-x) Te光伏探测器的一些性质

已经制备了使用Cd_XHg_(1-X)Te 晶体工作在77—300°K 温度范围的p-n 结光伏探测器,结是由真空中或汞气氛中热处理p 型样品而制得。本程序使在p 型基底上产生一厚度为几十微米的n 型表面层。在遍及77—350°K 温度范围测定了伏安特性和结电容。回时,对于波长1—15微米在77°K 和300°K 测定了光电压,从已进行的测量发现,对于所研究的探测器,77°K 时最大光电灵敏度和探测率分别为1000伏/瓦和10~9—10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)量级。发现光灵敏度极值在1—9微米波长范围内随着结区组分偏离的改变而漂移。     

PV—InSb红外探测器工作温度的实验研究

在－１９６℃到－９６℃范围测量了ＰＶＩｎＳｂ红外探测器的信号，噪声和阻抗数据。给出了信号，噪声，信－噪比和阻抗随温度变化的曲线族。分析讨论了器件结构设计时，选择ＰＶ－ＩｎＳｂ红外探测器工作温度的有关问题。