冷拔工艺对工业单晶铜线材组织和力学性能的影响

单晶铜线材常需经过冷拔变形才能使用,冷拔变形导致单晶铜线材的微观组织发生改变,影响其性能.文中在不同的冷拔工艺下,对热型连铸工业单晶铜线材进行了冷拔变形实验,分析了冷拔工艺对其组织和力学性能的影响.结果表明:当总体真应变一定时,较小的相邻模具真应变量和较低冷拔速度仅能使工业单晶铜线材内部晶粒拉长、变细.增加相邻模具真应变和冷拔速度均会导致线材内部局部区域出现形变位错界面和形变孪晶.随着冷拔速度和相邻模具真应变的增加,冷拔工业单晶铜线材的强度增加、延伸率下降.采用较低的冷拔速度,较小的相邻模具间真应变,工业单晶铜线材优异的塑性得以较好的延续,穿模成功率提升,冷拔过程中的断线率降低.     

小直径金属线材单晶化技术原理及工艺

在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．理论和工艺实验结果表明，小直径线材单晶化技术满足制备单晶线材对固液界面的要求，可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成长度不受限制、直径较细的单晶金属线材，功率和连铸速度适当配合时，可在较大范围内获得表面光滑的单晶铜线材。     

单晶铝线材实时动态拉伸试验研究

单晶铝线材除了具有健全的内部质量外,还具有非常优异的塑性加工性能．本文通过用自制的水平式单晶连铸设备制造出直径为８ｍｍ的纯铝金属单晶线材,对其进行实时动态拉伸试验和扫描电镜断口分析．结果表明：单晶连铸铝线材在变形量小于３９５％时,其塑性变形具有明显的单系滑移特征,当变形量大于３９５％时,才出现多系滑移特征．其断口分析表明：单晶材料为延性断口;而多晶材料的断口为典型的混合断口,除有少量的韧窝外,还有不少显微孔洞、二次裂纹     

单晶铜线材的表面氧化研究

为了解决单晶铜线材在存储过程中的氧化问题,本文通过氧化增重实验,对不同组织、不同纯度铜线材的表面氧化行为进行了研究.结果表明:温度的高低对铜线材的氧化速率起决定性作用,不同铜线材对温度的敏感程度不同.单晶铜的氧化速率低于多晶铜,纯度越高的单晶铜抗氧化性能越好.单晶铜的氧化速率与其晶粒取向有关,生长方向为<100>的单晶铜更容易氧化.铜线材的氧化速率是由Cu2O的生长速度控制的,主要因素是铜离子向外扩散的速率.低纯单晶铜和多晶铜的氧化膜均容易脱落,不能对基体起到应有的保护作用.     

塑性变形对单晶铜线材导电性影响的研究

为了研究塑性变形对单晶铜线材导电性的影响，以及电阻率与塑性变形量之间的定量关系，将Φ8mm的工业单晶铜线材冷拔后，得到塑性变形量不同的试样，用四端引线法精确测量其电阻率、结果表明，单晶铜线材的电阻率随塑性变形量的增加而上升，其原因是由于单晶铜线材的微观组织畸变程度随塑性变形量的增加而加剧。     

单晶连铸铝线材的静拉伸性能及其变形特性

对单晶连铸直径８ｍｍ的工业纯铝线材的室温拉伸性能进行了测试和分析．结果表明，单晶连铸铝线材的抗拉强度σｂ比金属型多晶铝试样降低３８．８％，但其屈服强度σ０．２并没有降低，σ０．２／σｂ比值提高达９３％．单晶试样的延伸率比多晶试样提高１１７％，断面收缩率大于８０％．分析认为，多晶铝试样的力学性能与单晶试样的差别归根于铝的面心立方结构属性及晶界对滑移的阻滞作用．     

金属线材单晶化方法与设备

单晶线材是新一代的高保真、高清晰度的传输线材，也是高质量的网络传输用线，单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助，解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，目前已经自行设计出年产量200吨的金属线材单晶化设备，解决了单晶连铸技术对所制备线材长度和直径的限制，已成功制备出直径为1mm、2mm、3mm、8mm的单晶铜、铝线材。通过工艺优化可以制备出直径小于1mm的单晶金属线材。     

单晶铜线材品粒演化过程的元胞自动机法模拟

对单晶连铸生产单晶铜线材的生产过程中晶粒演化过程进行模拟.可跟踪显示晶体转变过程,定量预测晶粒形貌和晶粒度,得到工艺参数之间的合理匹配,进而通过改变工艺参数,获得理想的显微组织.通过分析单晶连铸的生产工艺过程建立数学物理模型,使用CA法模拟出了单晶铜组织演变过程和各个工艺因素对演变结果的影响.并将模拟结果与实验结果进行了比较分析.模拟结果显示:各个晶粒在生长时由于不同晶面上的择优生长,最后形成取向为<100>的单晶组织;连铸速度对固液界面的形状、位置和晶粒淘汰过程的影响较大,其他条件对演变影响不显著.     

塑性变形单晶铜线材织构的研究

将单晶连铸技术制备的直径Φ8 mm工业单晶铜线材,在C733-4/ZF型工业拉丝机上按同一方向冷拔至直径分别为Φ4 mm、Φ2 mm和Φ1 mm的铜线材,应用极图分析和织构定量计算的方法研究了变形量与织构的关系.结果表明:变形单晶铜线材中的形变织构主要为<100>丝织构,也有少量<110>丝织构;随着变形量的增加,<100>丝织构的体积百分数先减小后增加,而<110>丝织构先增加后减小.     

单晶铜／多晶铜闪光对焊接头组织的演变

电阻焊在焊接单晶铜/多晶铜时,可使焊接热过程对单晶组织影响最小化。采用不同焊接电流,对单晶铜/多晶铜进行闪光对焊,对焊接接头的热影响区宽度和显微组织进行了分析。结果表明：闪光对焊对多晶铜组织的影响极为显著,随着离焊缝距离的增加,依次呈现出粗晶区、细晶区、超细晶区、超细晶与母材混合区。单晶铜一端仅在近缝处的极小范围内发生了再结晶行为。     

基于COTS的空间信息处理平台抗辐射关键技术研究

针对空间辐射环境下的单粒子效应,研究了基于FPGA的抗SEU多级容错机制的关键技术,并设计芯片、板级两级监测的抗SEL保护电路;通过在嵌入式空间信息处理平台原型系统中的验证实验,结果表明:设计合理,且有效地提高了系统的抗辐射能力。     

锗金属单晶材料性能及加工技术研究

根据锗金属单晶材料的物理性能特点,在大量试验的基础上,探索出一套行之有效的锗金属单晶整盘加工工艺.对影响锗金属单晶零件表面光洁度的磨盘、磨料、加工条件等因素作了详细分析和论述,其结果可用来指导锗金属单晶零件的生产.     

深过冷镍单晶形成的临界过冷度计算

对深过冷金属熔体中单晶形成的临界过冷进行了理论研究,结果表明：过冷度增大到一临界值后,金属熔体的形核点必须减小到１。过冷金属熔体中单晶形成的临界过冷度不仅与金属的本身性质有关,而且也与熔体的冷却速度ｖｃ和金属的体积Ｖ有关。本文计算得到的过冷镍金属熔体中单晶形成的理论过冷度与有关实验结果完全吻合。     

退火对PMN-32PT弛豫铁电单晶电畴组态的影响

采用光学显微镜沿[001]方向观察了PMN-32PT弛豫铁电单晶的电畴形貌，考查了在不同温度下退火处理对电畴组态的影响．结果表明：在90℃以下退火后，PMN-32PT晶体的电畴基本保持室温组态，但局部出现微弯曲．在120～160℃退火后，PMN-32PT晶体电畴明显粗化，条带宽大，且局部由条带型转变为回字型．在210℃以上退火后，PMN-32PT晶体电畴条带规则，均匀细小．     

基于正交频分复用的单频蜂窝网结构与性能分析

为了改善传统GSM（global system for mobile communication）系统的性能，将基于正交
频分复用的单频网技术应用到GSM系统中，提出了一种单频蜂窝网结构。在下行链路中，相邻三个基站以
宏分集的方式构成单频蜂窝，向移动台广播下行数据；在上行链路中，采用选择性分集的接收方式，由接
收条件最好的基站接收上行数据。仿真结果表明，这种新型网络结构减少了移动过程中的切换次数，降低
了呼叫阻塞概率和掉话概率，提高了系统容量。     

硅酸镥单晶体生长方法研究

结合掺铈硅酸镥(Ce:Lu2SiO5)粉体的组成与性能特点、提拉法和焰熔法晶体生长工艺异同,讨论了目前使用提拉法生长掺铈硅酸镥单晶体存在的坩埚溶蚀、组分挥发、杂质浸入、闪烁性能不稳定等问题和原因,提出使用焰熔法生长Ce:Lu2SiO5单晶体可以有效解决这些问题,给Ce:Lu2SiO5单晶体的生长提供了一个新的研究方向。     

高反式聚异戊二烯(TPI)单链或寡链晶体形貌

配制 TPI/甲苯极稀溶液 (质量分数为 1 0 - 4%～ 1 0 - 2 % ) ,用喷雾法、漏斗富集法、生物展开法制备 TPI单链或寡链粒子试样 ,分别采用不同结晶温度及结晶时间。用透射电镜观察样品微观形貌 ,发现 TPI单链或寡链呈现多样的微观结晶形态 ,主要有 :尺寸为几十纳米的微晶粒子、几十至几百纳米的寡链单晶及在非晶衬底上的结晶小粒子等。实验发现 TPI寡链单晶较微晶小粒子更耐电子辐照。     

8-羟基喹啉合铜(II)配合物的合成与结构表征

8-羟基喹啉与过渡金属离子铜 ( II)配合反应生成 8-羟基喹啉合铜 ( II)配合物 ,在其 DMF溶液中培养出单晶。通过 X-射线衍射分析测定其分子结构。该配合物属于单斜晶系 ,空间群 P2 1/c。晶胞参数为 a=1 0 .648( 2 ) ,b=8.60 70 ( 1 7) ,c=1 5 .2 5 5 ( 3) ,β=1 0 2 .2 4°,V=1 366.3( 5 ) ,Dc=1 .71 0 g· cm- 3,Z=4。在晶体结构中 ,铜 ( II)分别与两个 8-羟基喹啉的两个氧原子及两个氮原子相连     

Ti^3＋：Al2O3单晶光纤生长

本文用LHPG法生长了Ti:Al_2O_3单晶光纤,并探讨其生长规律。证明少量掺杂离子对宝石光纤生长规律影响不大。同时作者用自制的光纤吸收和荧光谱仪对Ti~(3+)离子在光纤拉制过程中的改价问题进行了研究。     

铋钙铟钒石榴石单晶磁晶各向异性的研究

通过对｛Ｂｉ０．４Ｃａ０．６｝［Ｆｅ２－ｙＩｎｙ］（Ｆｅ１．７Ｖ１．３）Ｏ１２（ｕ＜０．３）的室温穆斯堡尔谱分析确定非磁性离子Ｉｎ３＋进入八面体（ａ）晶位置换部分Ｆｅ３＋．按单离子模型对ＢｉＣａｌｎＶＩＧ单晶温磁晶各向异性常数与掺铟量的关系进行叠代得出Ｆｅ３＋离子在单晶ＢｉＣａＶＩＧ和ＢｉＣａＩｎＶＩＧ四面体和八面体晶位上对磁晶各向异性有大体相同的贡献．