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目前,感应加热电源技术主要朝着大功率、高频率和智能化控制技术的方向发展。然而,随着逆变开关频率的提高,功率器件的开关损耗随之增加。具有高临界雪崩击穿电场强度、高热导率、小介电常数等突出优点的宽禁带半导体材料SiC MOSFET的应用为这一问题的解决提供了理想的方案。本文详细研究了感应加热电源逆变器的设计、SiC MOSFET器件的驱动电路以及电源的功率扩展等问题;开发出了频率超过800 kHz,单逆变桥功率超过50k W的新型感应加热电源;通过并桥处理,电源单机容量可达200 kW,在一定程度上填补了将新型SiC MOSFET器件应用于感应加热领域的空白。 相似文献
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倍频式IGBT高频感应加热电源的研究 总被引:6,自引:5,他引:6
倍频式感应加热电源负载输出频率为功率开关管工作频率的二倍,且功率开关器件工作时具有软开关特性,在需要高频应用的场合很有意义。文中以IGBT来实现倍频式高频感应加热电源,比较了不同频率比下的电路工作状态,得出电路工作在断态下更适合电路功率调节的结论。详细分析了断态下电路工作状况,得出直流等效电阻与交流负载等效电阻的关系,并给出了选取电路参数的经典方法。根据该方法设计了一台样机,通过实验验证了理论分析及参数选取方法的正确性。 相似文献
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针对超高频感应加热电源电路中寄生参数和开关损耗两大难点,提出了一种能够吸收电路中感性与容性寄生参数、开关器件工作于零电压开关方式的双管超高频变换器。从而解决了寄生参数引起的电压电流过冲和开关损耗大的问题。由于输入端串入了高频电感,该变换器还同时具有电压型和电流型逆变器的优点,两只开关之间不需要导通死区时间,因而更加适合于高频工作。该本分析了电路的工作原理,并给出了1MHz频率下电路工作的仿真与实验结果。 相似文献
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针对IGBT中频电源中逆变电路这一核心,提出了一种基于87C196MC单片机中频电源控制电路。用87C196MC单片机通过汇编语言程序设计,可方便地形成3对互补具有死区时间相位互差120°的SPWM波形,产生的脉冲信号(SPWM)控制功率器件IGBT的开关时间,实现对中频电源的控制。分析和实验结果表明,此系统效率高,噪声小,体积小,使用方便,工作可靠。基于以上的优点,单片机控制的IGBT的中频电源的应用范围更加广泛,成为用于加热淬火的首选设备。 相似文献
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针对高频大功率应用场合,提出了一种基于中心抽头变压器的倍频式感应加热电源。采用结构对称的两个半桥、共用谐振电容、抽头变压器耦合的方式,使得负载工作频率为功率开关管工作频率的两倍,达到倍频的目的。功率开关管具有软开关特性,且导通时间为其开关周期的25%,相对于传统的桥式逆变器来说,明显降低了开关管的功耗。详细分析了8个不同的工作模式及相应的系统参数关系,给出了电路参数的设计方法。最后以IGBT为功率开关管,设计了一台小型样机,通过实验验证了所提出的电源拓扑、理论分析及参数选取方法的正确性。 相似文献
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基于等效电路法的高频继电器建模与研究 总被引:2,自引:0,他引:2
通过经典传输线理论及部分元等效电路(partial element equivalent circuit,PEEC)方法,对高频继电器常闭型信号传输路径的分布电容、电感、电阻等参数进行提取,建立信号传输路径的等效电路模型。对其进行仿真分析得到继电器射频(radio frequency,RF)性能曲线,并讨论了影响继电器插入损耗、电压驻波比及隔离度的主要因素。高频继电器RF性能的实验测试结果与等效电路模型仿真结果符合较好,表明了所建立等效电路模型的正确性。 相似文献