美国ProTek公司TVS选择指南

美国ＰｒｏＴｅｋ公司ＴＶＳ选择指南１、５００Ｗ型号（单极性）型号（双极性）额定反向关断电压ＶＷＭ（Ｖ）击穿电压（ＶＢＲ）最小最大ＩＴｍＡ最大反向漏电流ＶＷＭ（μＡ）最大箝位电压ＶＣ（Ｖ）最大峰值脉冲电流ＩＰＰ（Ａ）ＶＢＲ的最大温度系数（ｍＶ／℃）ＳＡ...     

美国ProTek公司1500W TVS选择指南

美国ＰｒｏＴｅｋ公司１５００ＷＴＶＳ选择指南型号（单极性）型号（双极性）额定反向关断电压ＶＷＭ（Ｖ）击穿电压（ＶＢＲ）最小最大ＩＴｍＡ最大反向漏电流ＶＷＭ（μＡ）最大箝位电压ＶＣ（Ｖ）最大峰值脉冲电流ＩＰＰ（Ａ）ＶＢＲ的最大温度系数（ｍＶ／℃）１．５...     

HARRIS公司的三极管阵列

ＨＡＲＲＩＳ公司的三极管阵列特性型号特性极限参数（ＴＯ－５ＣＡＮ）·单片通用型三极管阵列·内含４个硅ＮＰＮ管，其中两个接成达林顿管·ｈＦＥ匹配度：±１０％·ＶＢＥ匹配度：ＣＡ３１０８Ａ±２ｍＶＣＡ３０１８±５ｍＶ·可在直流到１２０ＭＨｚ内工作·噪声低...     

高跨导常断GaN MODFET

成功地制作出常断ＧａＮ基ＭＯＤＦＥＴ（调制掺杂ＦＥＴ）。该器件的栅长和沟道长度分别为３和５μｍ，其非本征跨导高达１２０ｍＳ／ｍｍ，在正栅偏压为３Ｖ时其电流为３００ｍＡ／ｍｍ。该跨导值与先前报道的栅长分别为１和０．２３μｍ、跨导分别为４５和２４ｍＳ／ｍｍ的器件相比，是相当不错的。     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

TI通用器件选购指南

ＴＩ通用器件选购指南ＳＮ７４ＨＣ×××：高速ＣＭＯＳ逻辑系列工作电压：＋５Ｖ工艺：ＣＭＯＳ典型传输速率：２５ｎｓ驱动电流（－ＩＯＨ／ＩＯＬ：－８／８ｍＡ型号管脚后缀说明零售价（元）型号管脚后缀说明零售价（元）ＳＮ７４ＨＣ００ＳＮ７４ＨＣ０２ＳＮ７４Ｈ...     

AT90系列单片机的性能及应用

ＡＴ９０系列８位单片机（即ＡＶＲ系列）是美国ＡＴＭＥＬ公司继ＡＴ８９系列单片机后推出的ＲＩＳＣ（精简指令集）单片机，它性能优越，价格较低，使用方便，而且引脚与ＡＴ８９系列同级别的兼容。ＡＴ９０系列有１２０条双字节指令，绝大多数指令的运行时间为单一时钟...     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

高性能5μm640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列

已研制出一种高性能５μｍ６４０×４８０蓝宝石衬底的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／Ａｌ＿２Ｏ＿３红外焦平面阵列（ＦＰＡ），在低于１２０Ｋ温度下，它有全电视兼容分辨率和优良的灵敏度．在９５Ｋ工作温度和１０￣（１４）光子数ｃｍ￣（－２）Ｓ￣（－１）的背景通量下，平均焦平面阵列Ｄ￣＊受背景限制，其值约为１×１０￣（１２）ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），典型的平均量子效率为６０％～７０％。制造这种大面阵、高灵敏度器件的关键工艺，是在有稳定的ＣｄＴｅ缓冲层的蓝宝石衬底上，外延生长ＨｇＣｄＴｅ材料。在低于或等于１２０Ｋ的工作温度和３．４～４．２μｍ的波段内，相机的平均噪声等效温差ＮＥ△Ｔ为０．０１３Ｋ；该值比目前可实用的ＰｔＳｉ焦平面阵列相机的高一个数量级，而ＰｔＳｉ焦平阵列相机要求制冷到低于或等于７７Ｋ，才能保持其性能。     

DVB-ASI接收系统解码规则实现过程

目前,在数字视频广播（ＤＶＢ）系统中,ＤＶＢ－ＡＳＩ接口使用非常广泛。文章介绍了选用美国 ＣＹＰＲＥＳＳ 公司的端到端通信接收处理芯片,实现ＤＶＢ－ＡＳＩ接收系统解码的过程,提出了ＤＶＢ－ＡＳＩ接口的基本原则。     

BiCMOS先进的符号幅值20比特数／模转换器

ＢｉＣＭＯＳ先进的符号幅值２０比特数／模转换器特点·极低的失真─９６ｄＢｍａｘＴＨＤ＋Ｎ（不需外部调整）·接近理想的低电平工作特性·、无毛刺输出·１２０ｄＢ信噪比典型值（Ａ计权）·工业标准串行输入格式·快速（２００ｎｓ）电流输出（±１．２ｍＡ）·１６...     

SDH／SONET串行收发芯片CY7B952的原理和应用

本文介绍了美国ＣＹＰＲＥＳＳ公司的ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ串行收发芯片ＣＹ７Ｂ９５２的功能、内部结构和工作原理,并给出了该芯片的典型应用。     

TEMIC分公司Siliconix产小信号场效应管

ＴＥＭＩＣ分公司Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ产小信号场效应管Ｎ沟道放大管ＴＯ－２２６ＡＡ（ＴＯ－９２），ＴＯ－２３６（ＳＯＴ－２３）元件型号夹断电压（Ｖ）最小值ＩＤＳＳ（ｍＡ）最小值最大值ｇｆｓ（ｍｓ）最小值最大值ＶＧＳ（ｏｆ）（Ｖ）最小值最大值栅极漏流（ｐＡ...     

用于功率器件的P型厚高阻外延片

本文论述在常压ＣＶＤ硅外延系统中，通过ｅ＿ｑＰ＝Ｂ－Ａ／Ｔ，分别计算出ＳｉＨ－Ｃｌ＿３、ＰＣｌ＿３和ＢＣｌ＿３的Ａ和Ｂ二常数值。采用低温深冷工艺，进一步提高硅源的纯度，通过控制ＳｉＨＣｌ＿３的蒸汽压，在晶向为（１１１）和（１００），掺硼电阻率（４～８）×１０￣（－３）Ω·ｃｍ的抛光衬底硅片上，生长出外延层电阻率为３５０Ω·ｃｍ（杂质浓度３．５×１０￣（１３）／ｃｍ￣３），外延层厚度达１２０μｍ的ｐ／ｐ￣＋／硅外延片，制成器件的击穿电压可达１０００Ｖ。     

Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究

本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。     

Au／AuGeNi／n—GaAs欧姆接触失效机理的研究

本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。     

脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征

利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜,发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表明ＳＢＮ薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为２００ｎｍ。ＳＢＮ薄膜的剩余极化强度为１８．６μＣ／ｃｍ２,矫顽场为２２．３ｋＶ／ｃｍ。     

OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀

试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ,ＨＥＭＴ器件最大跨导为３０５ｍＳ／ｍｍ,最大饱和电流密度为３５０ｍＡ／ｍｍ。完成了实现ＯＥＩＣ光接收机的关键一步。