Pd／In／Pd等组分材料对n型GaAs欧姆接触的比较研究

Ｐｄ／Ｉｎ／Ｐｄ等组分材料对ｎ型ＧａＡｓ欧姆接触的比较研究《ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ》１９９５年第一期报导了Ｈ．Ｇ．Ｆｕ等对ｎ型ＧａＡｓ欧姆接触各种组分材料的比较研究，这些组分是Ｐｄ／Ｉｎ／Ｐｄ，Ｐｄ－Ｉｎ／Ｐｄ和Ｐｄ－Ｉｎ。其沉积...     

用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且，其超声键合性尤佳     

扫描电镜和EDS研究钯的加入对SAPO—5分子筛合成及结构的影响

在硅磷酸铝反应物凝胶中采用引入钯盐共晶化的方法，一步合成了ＰｄＳＡＰＯ－５分子筛。通过不同温度的水热处理来对分子筛材料进行改性，用扫描电子显微镜观察处理前后样品的晶形变化，用ＥＤＳ分析不同晶粒上的元素组成。     

Pd／W／Si（111）双层膜形成硅化物的XRD研究

对Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究，实验结果表明：Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜中Ｗ单层膜起了阻挡Ｐｄ－Ｓｉ原子互扩散的作用，随着退火温度的升高，Ｐｄ，Ｗ，Ｓｉ原子的互扩散不断进行，硅化物首先在Ｗ／Ｓｉ界面处生成。由于ＰｄＳｉｘ晶粒不断地长大，将Ｗ原子推到薄膜的外层，形成了Ｐｄ－Ｗ原子的分布反转。这样在Ｓｉ衬底的界面处形成了硅化物的浅接触，而薄膜的外层形成了...     

纳米晶Pd─Si薄膜析出相的TEM研究

本文利用ＴＥＭ原位加热手段和选区电子衍射分析方法，对纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Ｐｄ＿（８０）Ｓｉ＿（２０）合金而得到的纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜，其晶粒尺寸为１０ｎｍ，结构属ｆｃｃ。随着温度的升高，薄膜中晶粒长大，在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。     

带4-烷氧基苯甲酸酯端基的三芳基吡啶香蕉型衍生物的合成与性能研究

从吡喃嗡盐出发仅经三步反应高效地合成了带4-烷氧基苯甲酸酯端基的三芳基吡啶香蕉型衍生物,并用1H NMR,13CNMR和HR-Mass对它们的结构进行了表征,用POM及DSC的方法研究了它们的相变行为,对其UV-vis、PL光谱性质也进行了分析。     

低压MOCVD生长n型GaN肖特基势垒的研究

用低压ＭＯＣＶＤ法生长了ｎ型ＧａＮ薄膜，对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于１×１０＾－６Ｔｏｒｒ时，用电子束蒸发淀积Ｐｔ或Ｐｄ薄层，形成肖特基接触。ｎ－ＧａＮ薄膜上的Ｐｔ肖特基势垒高度，用电流（应为电容－校者注）－电压压法（Ｃ－Ｖ）和电流密度－温度法（Ｊ－Ｔ）测量分别是１．０４和１、０３ｅＶ。同样地基于Ｃ－Ｖ和Ｊ－Ｔ测量方法，测得的ｎ－ＧａＮ上的Ｐｄ垫垒高度分别为０．９４和０．９１ｅＶ。在     

聚乙烯醇缩甲醛膜上淀积Au,Pd和Ag薄膜的显微结构研究

在聚乙烯醇缩甲醛上分别蒸镀不同厚度的Ａｎ，Ｐｄ和Ａｇ薄膜，用透射电镜研究其成膜过程显微结构的变化和特征。结果表明，虽然三种金属膜形成过程（形成临界核之后）都存在成岛、岛长大与联并、网络结构及连续膜形成等阶段，但它们的小岛密度不同，Ｐｄ较高，Ａｕ居中，Ａｇ较小。它们在基底膜表面台阶处有小岛的装饰效应。三种金属膜在厚度小于０．３～０．４ｎｍ时为无定形结构，随着膜厚增加，转变为多晶结构。由多品金膜标定仪器常数Ｌλ值，从实验结果计算得到Ｐｄ和Ａｇ的晶格常数与标准值基本一致。用扫描隧道显微镜观察这三种金属膜的表面形貌，结果表明，当它们厚度相近时，其晶粒大小不同，Ｐｄ较小，Ａｇ较大，ＡＵ居中。     

C60／Pd多层膜TEM研究

通过蒸发和磁控射镀膜的方法，交替沉积Ｃ６０和金属Ｐｄ膜，制备了不同周期和厚率比的Ｃ６０／Ｐｄ多层膜，利用透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了这些薄膜退火前后的结构。     

关于砷化镓活化电镀金的研究

描述了在活化的半绝缘砷化镓（Ｓ、Ｉ、ＧａＡｓ）衬底上直接活化电镀金的毫米波集成电路（ＭＭＩＣ）热沉制造工艺，活化剂由ＰｄＣｌ２和ＨＣｌ组成，根据ＧａＡｓ（１００）面的微观结构，讨论了经过程中ＧａＡｓ表面同Ｐｄ＾２＋离子的作用机理，业已表明，活化中生成的Ｐｄ／ＧａＡｓ结构与一般非金属材料活化不同，是一种很化学结合。     

Pt-Pd-Ag厚膜导体的粗Al丝键合

采用破坏性拉力试验和焊点接触电阻测量两种方法测试Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ三元合金导体的粗Ａｌ丝超声键合的性能。分别在１２４℃，１０００ｈ和３００℃，１０ｈ条件下进行热老练和温度循环等环境试验，然后测量焊点的键合强度。在室温和１２５℃高温条件下，观察了Ａｌ／Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ超声键合系统抗电流冲击的能力。试验结果表明：Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ厚膜导体适于粗Ａｌ丝超声键合，键合强度能满足要求。     

联三吡啶铂(Ⅱ)配合物的非线性吸收和光限幅（特邀）

本文总结了2003~2019年报道的联三吡啶铂（Ⅱ）配合物的反饱和吸收或双光子吸收及光限幅研究进展,并对这类配合物的光物理特性,包括基态吸收?激发态吸收?激发态寿命和三重态量子产率?在532 nm的反饱和吸收或光限幅,在近红外光区的双光子吸收,以及构效关系进行了评估。首先介绍了目前光限幅材料和器件的研究现状,对反饱和吸收和双光子吸收材料的基本要求,以及平面正方形铂（Ⅱ）配合物的种类和特性;其次讨论了六个系列联三吡啶类铂（Ⅱ）配合物的反饱和吸收或光限幅及构效关系;随后总结了五个系列联三吡啶铂（Ⅱ）配合物的双光子吸收及结构变化对双光子吸收截面的影响;最后对文献报道的工作进行了小结。根据文献报道的工作发现的一个趋势是:在联三吡啶配体或单齿炔配体上引入取代基可以调节基态和激发态的吸收,特别是在配体上引入给电子基团或增加联三吡啶和其上的芳香环取代基的共平面性会引起基态吸收红移但降低或淬灭激发态的吸收,这样会降低在532 nm的反饱和吸收或光限幅。但是扩展联三吡啶配体上的共轭体系则能大幅提高铂（Ⅱ）配合物的双光子吸收截面,尤其是在联三吡啶配体上引入吸电子的共轭芳香环取代基可以控制基态吸收在500 nm以下,同时保持了在可见光区的长寿命宽幅三重激发态吸收和在近红外光区的中等强度的双光子吸收,这对研制宽幅激光限幅材料有重要意义。     

蒸镀次序对Pd,Ge双层膜固态反应的影响

蒸镀次序对Ｐｄ、Ｇｅ双层膜固态反应的影响陈志文，张庶元，谭舜，李凡庆，卢江，吴自勤（中国科技大学结果构分析开放研究实验室，中国科技大学基础物理中心，合肥２３００２６）本文研究了不同蒸镀次序Ｐｄ、Ｇｅ双层膜的固态反应行为。通过真空镀膜机在新解理的ＮａＣ...     

Pd－Ag－Si合金膜中的亚稳相

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜的亚稳相进行了研究。结果表明，真空蒸发的Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜由粒度均匀的纳米晶粒组成，具有ｆｃｃ结构。经不同温度退火后，在薄膜的局部区域析出了未知结构的亚稳相。利用电子衍射图确定了这些亚稳相的结构。     

Pd—Ag—Si合金膜中的亚稳相

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜的亚稳相进行了研究，结果表明，真空蒸发的Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜由粒度的均匀的纳米晶粒组成，具有ｆｃｃ结构，经不同温度退火后，在薄膜的局部区域析出了未知结构的亚稳相。利用电子衍射图确定了这些亚稳相的结构。     

浅谈盐雾试验

盐雾试验是利用盐雾试验设备所创造的人工模拟盐雾环境来考核产品或金属材料耐腐蚀性能。标准对试验方法的描述不是很详细,尤其中性盐雾试验(NSS)应用最广,因此本文将对其试验方法和步骤进行讨论。     

纳米Pd中的孪晶滑移特征分析

纳米Ｐｄ中的孪晶滑移特征分析王雨晨平德海李斗星叶恒强（中科院金属研究所固体原子像开放实验室，沈阳１１００１５）许多研究表明，纳米材料与多晶材料相比在热膨胀、断裂、韧性、扩散等方面存在有较大的差别。在纳米材料中很大一部分原子位于晶界或相界上，因而晶界的...     

陶瓷印刷板化学镀Ni

概述了陶瓷印制板化学镀Ｎｉ的Ｐｄ活化液，适用了高密度微细导线陶瓷印制板形成附着性良好的化学镀Ｎｉ层。     

盐雾环境对电信产品的影响

盐是世界上最普遍的化合物之一。在海洋、大气、陆地表面、湖泊和河流中均能发现盐。因此,使物品避免暴露在盐雾中是不可能的。盐雾环境对电工、电子产品的影响仅次于温度、振动、湿热及沙尘环境。 金属腐蚀是一种自发氧化的过程。盐雾环境下,由于盐雾液体作为电解液存在,增加了金属内部构成微电池的机会,加速了电化学腐蚀过程,使金属或涂层腐蚀生锈、起泡,从而产生构件、紧固件腐蚀破坏,机械部件、组件的活动部位的阻塞或黏结,使动部件卡死、失灵,出现微细导线、印制线路板开路或短路,元件腿断裂等情形。同时,盐溶液的导电性大大降低了绝缘体表面电阻和体积电阻,其盐雾腐蚀物与盐溶液的干燥结晶(盐粒)间的电阻会比原     

GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心

采用结谱、光荧光等技术对Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中的光学和电学性质进行了研究．在ＧａＡｓ：Ｐｄ中观测到三个能级，分别位于导带下０．４ｅＶ、０．６０ｅＶ和价带上０．６９ｅＶ．在ＧａＡｓ：Ｚｒ中也观测到三个能级，分别位于导带下０．４３ｅＶ和价带上０．３２ｅＶ和０．５５ｅＶ．基于深中心所表现出的Ｐｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌ效应，讨论了一些中心对应的荷电态，对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究．结果表明：Ｐｄ和Ｚｒ在ＧａＡｓ中均不是有效的复合中心．