满足高级封装装配的要求

细线PCBs高级封装装配的各种元件正驱使设备制造商提供适应性更强、更精密的装配设备。要成功地实现高级封装技术,应使很多技术集成一体化,向高级封装技术的转变改变了元件定位能力,定位精度的各项要求在高级封装类型之间得到了广泛地变化。     

满足高级封装装配的要求

细线PCBs高级封装装配的各种元件正驱使设备制造商提供适应性更强．更精密的装配设备，要成功地实现高级封装技术，应使很多技术集成一体化。向高级封装技术的转变改变了元件定位能力．定位精度的各项要求在高级封装类型之间得到了广泛地变化。     

CSP引发内存封装技术的革命

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择。     

CSP引发内存封装技术的革命

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择：     

激光技术支持三星WSP技术

三星最新的晶圆级堆叠封装（WSP）包含4块512Mb DDR2 DRAM芯片，藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM，三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM。     

07年半导体材料市场增长14%中国居首

07年全球半导体材料市场比上年增长14%,达到420亿美元。与仅比上年增长3%的半导体市场形成鲜明对照,增长幅度更高,原因在于“除半导体元件需求扩大外,多种气体及硅的供不应求,尖端封装技术的采用也在扩大”（美国国际半导体设备与材料协会高级主管Dan Tracy）。     

片式电子元件发展近况

由于电子设备制造商采用越来越密集的表面组装技术，片式元件市场将继续扩大。随着嵌入高频、高速数字电路的数字化设备的推广，片式元件的生产正日益增长。市场对更小、更薄和更轻便的数字化设备的需求在不断增长，因此产量也不断提高。这些设备包括移动通信终端、数字式...     

引领新一代高级封装的光刻技术

在当今飞速发展的电子环境中,芯片制造商和封装技术供应商们发现传统的前段制造设备,诸如光刻步进器等,可能会实现成本高效的后段工艺流程(BEOL)器件封     

BVAPoP：内存PoP堆叠应用

InvensasCorporation推出了焊孔阵列（BVA）技术。BVA是可替代宽幅输入/输出硅通孔（TSV）的超高速输入／输出封装方案．既能够提供手机原始没备制造商所需的技能,又保留了传统元件堆卺封装（PoP）成熟的技术设施和随业模式。BVAPoP适用于应用程式处理器加内存的PoP堆叠应用、     

扁平封装：引领封装技术的新潮流

封装对于电子元件和电子模块的小型化有着显著的影响。TDK及爱普科斯（EPCOS）一系列的封装技术能使得极薄的超小型产品成为可能。公司针对电子元件和电子模块集成化及小型化研发的一系列技术,使得制造商能够在智能和普通手机以及其它移动设备上实现先进的电路设计和卓越的性能。对于微型化的革新产品,TDK不但使用新材料、薄膜和集成化技术,而且特别广泛地采用了一系列封装技术。这样便可以制造极为微型和扁平的元件和模块。     

颗粒封装技术

颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。     

Catalyst半导体推出12位数字温度传感器新产品

Catalyst半导体（NASDAQ：CATS）公布首款温度传感器产品线新产品。新推出的CAT6095是一款采用超薄0．55mmUDFN封装的12位数字输出式温度传感器，特别适用于DDR3内存模组，此类内存被广泛应用于高速PC和笔记本电脑，环境控制系统和工业控制处理设备。相比标准的2×3×0．8mmTDFN封装，UDFN封装在体积缩小30％的基础上提供更精确的温度侦测。     

RFID技术卷土重来，市场潜力巨大

随着射频识别（Radio Frequency Identification，RFID）系统设备和芯片价格进一步下降，以及相关技术进一步改善，RFID市场在经历多年的沉寂之后可望实现真正复兴，该领域的芯片、系统制造商以及用户都已经做好准备，迎接采用这项技术带来的便利和高效率。     

Semco成为第二大FC—CSP基材供应商

据悉，韩国倒装芯片——芯片封装（FC—CSP）基板制造商Semco已经从日本揖斐电那里抢到足够的市场份额。从而有望成为市场上的第二大供应商。     

适用于消费类电子产品的自动增益控制电路设计

本文简要介绍了几种内存芯片封装技术的特点。CSP是内存芯片封装技术的新概念，它的出现促进内存芯片的发展和革新，并将成为未来高性能内存的最佳选择。     

FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip—Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip-Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip—Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

TSOP叠层芯片封装的介绍

叠层芯片封装技术,简称3D,是指在不改变封装体外型尺寸的前提下,在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术,它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点,2006年以来3D技术逐渐成为主流。随着NAND快闪存储器市场的高速增长及3D技术的兴起,加之TSOP封装成本低、柔韧性强,所以TSOP封装得以重新焕发生机。     

日本CMK加速开发埋置元件PCB技术

日本CMK正在加速开发埋置元件印制电路板（PCB）技术,探讨裸芯片POP（packge on packge封装上封装）等应用于内埋元件基板问题。