SiGe HBTs高频特性模拟分析

本文详细分析了下述问题：（１）在基区厚度减薄到几十纳米后,发射区时间常数、集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响;（２）低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响;（３）在发射结耗尽层中,除了固定电荷因素引起的电容外,发射结正常工作加正向偏压时,由于自由载流子注入引起的ＥＢ结电容．由以上物理分析可以得出器件的有关参数,并由器件的等效电路,对器件的高频特性进行分析和模拟,对影响器件高频特性的参数进行优化．     

TAB器件的电特性分析

本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构及其电参数，构造了集中参数的等效电路．用ＰＳＰＩＣＥ程序对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性进行分析和对比后，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性方面优于传统封装形式的器件。通过长线模型，模拟了ＴＡＢ器件的延时特性；并分析了ＴＡＢ器件的热特性。     

异质结双极晶体管（HBT）热电耦合特性的准二维TLM法数值分析

通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管（HeterojuctionBipolarTransistorHBT）的热电耦合特性。在模型中，器件内的温度和少数载流子分布都采用传输线矩阵（TransmissionLineMatrix．TLM）法求得。计算结果表明该模型能有效、方便地分析器件的热电耦合特性，同时能减少对计算的时间占用和内存空间。     

MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究

随着ＭＯＳ器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响．本文研究了窄沟器件（Ｗ＝１．２μｍ，２μｍ）中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内载流子有效迁移率的变化规律，并对窄沟器件模型提出了修正公式．     

低温硅双极晶体管的研制与特性分析

采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度特性、Ｇｕｍｍｅｌ特性和ｈＦＥ－Ｉｃ特性．     

硅光学双稳态(SOB)器件

利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。     

Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．     

交流薄膜电致发光显示器件特性评价

主要介绍国内外交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示器件发光特性的测试方法和评价基准。     

ADI公司12位模数转换器

美国模拟器件公司（Analog Device，Inc．，简称ADI）推出一款20／40／65MSPS（每秒百万次采样）12bit单片模数转换器（ADC）AD9237，扩展了其高性能ADC的种类，据称这款ADC的功耗比同类器件降低了40％。AD9237兼备小尺寸和低功耗特性以便减小便携仪器仪表、超声设备、高端图像处理、数码相机、扫描仪和低功率通信应用中印制电路板（PCB）的面积。     

Total Dose Radiation-Hard 0.8μm SOI CMOS Transistors and ASIC

介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0．8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性，该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad（Si）的总剂量的关系来表征．实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于320mV，nMOS器件在开态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于120mV，器件在总剂量1Mrad（Si）辐射后没有观察到明显漏电，在总剂量500krad（Si）辐射下专用集成电路的静态电流小于5pA．