反偏二极和的计算机辅助设计

利用有限元法解泊松方程，可以得到反偏二极管中的二维电位分布和最大电场强度，模拟结果指出：正斜角二极管中的电场强度小于负斜角二极管中的电场强度，前者的最大电场强度处于反偏二极管的中心，而后者的最大场强度则处于表面，因此，正斜角二极管可以达到高的反向击穿电压。     

二极管泵浦固体激光器实用化研究

对二极管泵浦固体激光器实用化样机采取调节锁定等固化技术，使二极管泵浦固体激光器一体化．实验测量了二极管泵浦固体激光器样机在不同环境下的性能，结果显示该样机能实用于各种环境．从理论设计和实验上解决了二极管泵浦固体激光器实用工程化的几个难点．     

反偏二极管的计算机辅助设计

利用有限元法解泊松方程，可以得到反偏二极管中的二维电位分布和最大电场强度．模拟结果指出：正斜角二极管中的电场强度小于负斜角二极管中的电场强度，前者的最大电场强度处于反偏二极管的中心，而后者的最大电场强度则处于表面．因此，正斜角二极管可以达到高的反向击穿电压．     

超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性

为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管.利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点, 采用超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）技术，550 ℃下，在硅光刻窗口处，选择性生长了锗硅外延层.由此技术生长的锗硅材料制作了硅基肖特基二极管原型器件，并研究了该二极管器件的电流 电压特性曲线.结果表明，与传统方法制备的非选择性外延锗硅肖特基二极管相比，该二极管器件可以避免在确定有源区后再经受高温处理,简化了器件制作工艺, 该二极管反向漏电流低2～3个数量级，具有优良的器件电学特性.     

低压齐纳二极管的研制

本文论证了面结型低压齐纳二极管的击穿机理为隧道击穿，提出了一种新型的面结型低压齐纳二极管的结构，以及相应于此种结构的工艺流程，论述了衬底材料的选择等问题，实验结果表明，此种结构是成功的，做出符合用户要求的低压齐纳二极管。     

LD抽运热容激光器介质内温度分布研究

采用有限元法及光线追迹法，计算得到二极管抽运固体热容激光器介质不周截面内抽运光分布及瞬态的温度三维分布，计算同时考虑了二极管在快轴和慢轴方向的发散特性及介质内不均匀分布的内热源．对二极管抽运单片Nd：GGG热容激光器的实验装置，得到1．49kW的平均功率激光输出和24．1％的光-光转换效率，1．2s后，介质端面中心处温度为81℃，模拟结果为78．1℃．     

智能型半导体二极管测试分选机的研究

分析由单片机控制的智能型半导体二极管测试分选机。文章叙述了其硬件结构、测试原理及软件设计。该仪器能够在微机程序控制下测试二极管主要参数，并可实现自动分档。它不仅测试分选准确，而且工作速度快，可靠性好。     

变容二极管频率变换作用的数学分析

变容二极管是一种非线性器件，给出其结电容随外电压变化规律的数学式，并在此基础上用幂级数分析了在小信号电压源和小信号电流源两种激励方式下变容二极管的伏库特性，从数学上证明了变容二极管非线性电容性特的频率变换作用及其在线性电路与参变电容电路间的内丰联系。     

低压齐纳二极管的研制

本文论证了面结型低压齐纳二极管的击穿机理为隧道击穿．提出了一种新型的面结型低压齐纳二极管的结构，以及相应于此种结构的工艺流程．论述了衬底材料的选择等问题．实验结果表明，此种结构是成功的．做出了符合用户要求的低压齐纳二极管．     

桥式整流电路的波形问题

滤波能使负载电压比较平滑。而电容器是非线性元件，它的存在使整流二极管电流和负载电流发生了相位变化．对二极管整流电路引入电容后的各电流及波形进行了深入研究分析，得出了较正确的波形图；经过检验，从理论和实践上对《电子技术基础》中模拟部分的桥式整流电路中波形图。尤其是波形作了更正。     

光电二极管电参数模型及I/V转换稳定分析

为了克服光电二极管寄生参数引起的I/V转换电路的不稳定性,提高对微弱光电流信号的检测精度.给出光电二极管实际电参数模型,并分析了光电二极管检测单元在实际电参数下的振荡原因,通过采用超前校正的方法,对光电二极管检测单元实际模型中结电容及运算放大器输入电容引起的相位进行补偿,并给出模型、电路仿真和实验结果,实验结果表明该方法可有效抑制光电二极管I/V转换电路的振荡,从而提高对微弱光电流信号的检测精度.     

基于低Q值中频电源续流二极管的研究

针对中频电源续流二极管存在的问题,本文基于低Q值串联谐振中频电源的基本原理,研究了反并联续流二极管对电路的影响,并对低Q值中频电源去除续流二极管的可行性进行了理论分析,在低Q值串联谐振中频电源电路中,只要选择耐压合适的晶闸管,就可以去除续流二极管,不但避免小环流对电路造成的影响,而且也可改善电路性能;同时,对去除续流二极管可行性进行了实验验证.实验结果表明,续流二极管的引入,造成了小环流延缓晶闸管的关断,晶闸管开通时产生尖峰过电流,晶闸管关断时产生尖峰过电压,并且在低Q值中频电源中可以通过去除续流二极管优化电路.该研究电路结构简单,性能可靠,效率高,具有很大的经济价值.     

微波二极管检波特性分析

基于矩量法技术对微波二极管检波器的检波特性进行了分析．通过计算机仿真，研究了高频波纹及工作频率对微波二极管检波特性的影响．并将这一分析方法拓展到对倍压整流检波电路的分析，该方法已应用于设计微波电子标签的检波电路．在同等接收功率的条件下，倍压整流检波电路得到了更高的输出电压，提高了微波射频识别系统的灵敏度，取得了良好的预期效果．     

Multisim和Excel在二极管特性研究中的应用

在二极管的特性研究中,同时引入了Multisim和Excel软件,应用Muhisim对二极管的特性进行测试仿真,应用Excel对测试结果进行曲线拟合、显示,相比传统的实物电路测试更加方便和快捷,相比传统的手绘特性曲线更加精确和直观,通过对仿真数据进行曲线拟合,对其进行分析和研究,可以更加深入的认识二极管的特性．     

二极管反向恢复时间的一种测定方法

通过对二极管反向恢复过程特性的研究，给出了反向恢复时间的测定方法，运用高性能等精度计数器实现了快速准确的测量，提高了测量精度。     

变容二极管频率变换作用的数学分析

变容二极管是一种非线性器件．给出其结电容随外电压变化规律的数学式，并在此基础上用幂级数分析了在小信号电压源和小信号电流源两种激励方式下变容二极管的伏库特性．从数学上证明了变容二极管非线性电容特性的频率变换作用及其在线性电路与参变电容电路间的内在联系．     

E类零电流开关整流器的分析与设计

对E类零电流开关(低di／dt整流器提供分析、设计公式和实验结果。假设一个理想电流源输入，导出控制电路工作的方程。在di／dt为零和|dv／dt|较低时二极管导通，在低|di／dt|时电路切断，以减少开关损耗、开关噪声和换向恢复效果。在整流器的结构和切断以后发生的瞬态中没有包含二极管的结电容。实验测量结果在0．5MHz处与计算一致。     

基于二极管的热式流量传感器的设计与实现

设计并实现了一种基于二极管的热式流量传感器.传感器由两个感温二极管和一个加热电阻构成,其中一个二极管作为测温元件感测流体温度,另一个二极管和电阻封装到一起感测流体流速.使用Multisim软件对包含传感器的桥式电路进行了仿真,分析了输出信号与两个二极管温差的关系.并设计了以单片机为核心的信号测量处理电路,给出了流量为10～100L/h的测量结果.     

智能重构旁路二极管对阴影下太阳能电池的输出功率提升

太阳能电池板使用旁路二极管避免阴影效应和热斑,二极管的内阻会损耗电流。提出采用一种名为智能重构旁路二极管的新型二极管布局,通过智能判断并短路未使用的旁路二极管,来增加局部被遮挡太阳能电池板的输出功率。文中阐明了智能重构二极管的实现原理,建立了电路模型。提出通过太阳能电池片电压的大小,判断控制二极管拓扑结构的开关状态的判定规则。进行了模拟仿真,实验验证了仿真结果。基于实验结果,并与普通二极管布局对比,采用智能重构二极管布局的太阳能电池板输出功率提升可达到12.24%。     

光电探测器表面反射特性研究

本文分析了硅光电二极管表面反射特性，并介绍了利用高稳定度激光光源对表面反射特性的实验结果。