紫外透射型液晶光阈用ZnSxSe1—x薄膜的研究

描述了透射型ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求，采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnSxSe1-x多晶薄膜，通过控制反应时的生长参数，制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜，室温下，薄膜的紫外／可见光响应对比度大于10^3，响应波长截止边河可通过控制薄膜中的Se组分，在360－410nm范围内连续可调，薄膜的紫外／可见光吸收系数比大于10^3，在液晶光阀工作的低频段（＜200Hz)，其暗阻抗在10^5-10^6Ωcm^2之间；暗／亮阻抗比满足器件要求。     

分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。     

液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.     

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随这沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结构液昌光阀可改进器件的许多性能。     

光寻址液晶光阀的吸收层

光寻址液晶光阀是一种高分辨率空间光调制器，是高亮度，高分辨率大屏幕光寻址液晶光阀投影机的核心部件，为了避免读出光对图像对比度和分辨率的影响，光阀结构中需要一层高光吸收能力的吸收层。本讨论了光寻址液晶光阀对光吸收层的吸收性能要求，吸收层需求在全光谱范围内都有比较强的吸收，碲化镉薄膜对蓝，绿光有较强的吸收，钒氧配套红光具有较强的吸收，它们具有近似互补的吸收光谱。碲化镉和钒氧酞菁复合多层吸收薄膜综合了两种材料的光吸收特性，在全光谱范围内都有良好的吸收，是一种制作光寻址液晶光阀的吸收层的理想方法。     

一种基于TN型液晶的自控光阀

对TN(扭曲向列)型液晶的透光率测量实验表明,在外加电压的作用下TN型液晶可以吸收入射光线,并且在外加电压连续改变时,对入射光的透光率将呈现连续非线性变化。根据此特性,利用数字电路来控制加到液晶电极上的电压,就得到了一种空间光调制器──自控光阀。自控光阀能控制通过光阀的光强,使之趋于设定值。     

液晶光阀中的α-Si:H光导膜研究

本文对在光学信息处理中应用的液晶光阀的关键性膜层——光电导膜采用新近开发的非晶硅材料作了一些探索。研究表明,响应快速的α-Si:H薄膜用于液晶光阀是很有前途的。     

BPxN1-x薄膜的制备及磷元素对其光学能隙的影响

本文从应用出发，选择光学石英为衬底，采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜，对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态，表面形貌随时间变化，最终为胞状；紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此，该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外，BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。