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设计了一种适用于40 Ω~100 Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值。片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比较器比较片内和片外电阻转换的电压值,采用自适应控制电路精确调整电阻阵列开关,使得片内电阻的阻值与片外基准电阻的阻值相等。电路基于40 nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,比较器的电压比较阈值最小为2 mV,电路实现40 Ω~100 Ω内电阻阻值可调节,校准误差小于2%。 相似文献
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在高频信号传输过程中,为避免阻抗不匹配所带来的信号完整性问题,设计了一种适用于高频信号传输的阻抗匹配自校准电路。利用二分查找法快速检测需要并联的不同权重的电阻,根据比较器的比较结果决定是否并入,以达到预期修调阻值的目的。增加了电感器件,以减小外界高频信号的干扰,同时屏蔽输入级的寄生电容。校准完成后,对校准电路进行断电,以节省整体电路功耗。相比于传统简单的并串联电阻修调架构,该结构适用于高频信号的传输,校准精度高,信号传输性能好。采用TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺进行设计,电源电压为1.8 V。仿真结果表明,可实现的最大修调电阻值为98.43 Ω,相比预期的100 Ω阻值,偏差仅为1.57%。对增加电感前后的电路整体性能进行对比,增加电感后,有效减小了信号反射能量,保障了信号的完整性传输。 相似文献
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如果你的设计需要一个体积小,并且无需维修的装置来代替保险丝保护电路,你可以选用由导电聚合物制成的正温度系数热敏电阻—PTC电阻。正如其名,当电流过大时,PTC电阻值迅速并大幅度地增加,从而达到了保护电路的目的。当PTC电阻值增加时,PTC电阻将电路中的电流控制在足够低的水平,使被保护的电路免遭损坏。(见图1)当故障被排除或电源被切断后,PTC电阻值又恢复到能使电路正常工作的阻值。与普通保险丝不同,PTC电阻持久耐用,不需要维修和更换(见图2)。聚合物保护:导电聚合物PTC电阻是一种小到可以用于表… 相似文献
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梁颖 《现代表面贴装资讯》2010,(3):59-61
建立了埋入式电阻的有限元分析模型,在ANSYS平台下对其进行了温度场模拟分析。选取埋入式电阻的电阻功率、电阻表面积、电阻到PCB表面的距离作为影响温度分布的三个因素,采用水平正交表L25(56)设计了25种不同结构参数组合的埋入式电阻,对这25种埋入式电阻进行了有限元分析,得到了25种不同埋入电阻的温升数据,针对温升数据进行了方差分析。结果表明:在置信度为95%的情况下,电阻的电阻功率对温升具有显著影响,电阻表面积和电阻到PCB表面的距离对温升无显著影响,对温升影响由大到小依次是电阻的电阻功率、电阻到PCB表面的距离和电阻表面积。 相似文献
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本文叙述了在高输入阻抗运算放大器X56中采用了失调电压的内部修正技术,通过在电路的输入级的负载中串接不同值的小电阻以达到补偿失调电压的目的,将失调电压修正到1mV以下。如果增加修正电阻的数量,并将电阻值减小,则可将失调电压修正到很小以致可以不用外接调零电位器,这将给使用和维修带来很大的方便。 相似文献
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基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过不同方法制备有机半导体层、栅极和漏极,以提高有机薄膜晶体管的器件性能.结果表明,有机半导体层是否图形化以及不同金属电极的制备工艺对器件的接触电阻影响明显.有机半导体层图形化后,器件的开关比有较大的提升.采用lift-off工艺,先在聚合物绝缘层材料上对光刻胶图形化,然后利用真空蒸镀法将金属电极蒸镀到绝缘层材料上,最后将器件浸泡在70℃的NMP溶液中约30 min,接触电阻约为4.8×107 Ω;采用湿刻工艺对蒸镀在绝缘层材料上的金属电极进行处理,接触电阻有明显的下降,约为3.6×106 Ω. 相似文献
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The successful use of embedded resistors in many applications will require that the fabricated resistors be trimmed prior to lamination into printed circuit boards to attain required design tolerances. Depending on the application, the economic value of the board being fabricated, and the process used to create the embedded resistors, it may also be prudent to consider reworking resistors that are incorrectly trimmed or with initial values that are too large (untrimmable resistors). This paper uses a model of the resistor/board yield coupled with a cost model of the trim and rework processes to identify conditions under which applications should neither trim nor rework, trim but not rework, or perform both trimming and rework of embedded resistors, as a function of the design tolerance for the resistors and the accuracy with which the embedded resistors can be fabricated. Example results are presented for several applications ranging from small boards with a high density of embedded resistors to large boards with a low density of embedded resistors. Distinct regions of trimming and rework applicability that are nearly application independent can be identified as a function of design tolerance, printing/plating/etching variation, and the characteristics of the trimming process. 相似文献
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对多层印制板生产中的电镀锡保护技术进行了详细阐述,对电镀钝锡的工艺过程、工序过程的质量控制、产品质量问题的产生原因及所采取的相应措施进行了简单介绍。 相似文献
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目前来说,通讯用陶瓷粉填充、玻璃短纤维增强的聚四氟乙烯微波多层印制电路板的制造技术越来越显现出其重要性,文中对平面电阻印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍,对聚四氟乙烯埋电阻台阶式多层微波印制板制造所采用的工艺技术进行了较为详细的论述。 相似文献
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对多种型号雷达用多层微波综合背板材料CLTE-XT进行了性能及特点介绍。创新性运用埋置膜电阻技术、金属化孔制造的反钻孔技术,实现了多层微波综合背板的制造。并对其制造过程中所涉及的层间定位、多层化制造、孔金属化实现等关键技术进行了详细阐述,对此类微波多层背板的制造具有指导意义。 相似文献
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Feldbaumer D.W. Babcock J.A. Mercier V.M. Chun C.K.Y. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(4):689-696
The practical application of pulse current trimming of polysilicon resistors has been investigated and successfully implemented in large scale integrated circuit production. In-package pulse current trimming of heavily doped polysilicon resistors allows precise control of the final resistor value and can effectively compensate for process variation in polysilicon sheet resistance. The technique requires no additional process complexity, is layout efficient, remarkably accurate, and is quick and inexpensive from a test perspective. Resistance reduction occurring during the trim process is shown to be reversible to a small, but usable, extent for n-type polysilicon. Thermal modeling of the resistor trim process shows that the peak temperature reached within the polysilicon film must exceed the highest temperature encountered during wafer fabrication before any permanent resistance change occurs. As the resistor is further trimmed, the film temperature approaches the melting point of silicon 相似文献
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本文针对一种陶瓷粉填充、玻璃短纤维增强的聚四氟乙烯高频介质材料,制造通讯用多层微波印制电路板进行了简单的介绍,此外,选用GORE公司生产的SPEEDBOARD C半固化片材料,进行微波多层印制板层压制造的工艺技术进行了较为详细的介绍。 相似文献
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微波多层板层压制造技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
针对一种陶瓷粉填充、玻璃短纤维增强的聚四氟乙烯高频介质材料,制造通讯用多层微波印制电路板的工艺流程,进行了简单的介绍,此外,选用ROGERS公司和ARLON公司半固化片材料,进行微波多层印制板层压制造的工艺技术进行了较为详细的介绍. 相似文献
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本文针对一种陶瓷粉填充、玻璃短纤维增强的聚四氟乙烯高频介质材料,制造通讯用多层微波印制电路板进行了简单的介绍,此外,选用ARLON公司生产的25FR半固化片材料,进行微波多层印制板层压制造的工艺技术进行了较为详细的介绍。 相似文献
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聚四氟乙烯高频多层印制板工艺技术研究 总被引:5,自引:3,他引:2
本文对一种玻璃纤维布增强的聚四氟乙烯高频多层印制电路板的制造工艺流程进行了简单的介绍,对所采用 的制造工艺技术进行了较为详细的论述。 相似文献