环氧/BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏

概述了环氧/BaTiO3复合物埋入电容膜和电容膏的开发,它们适用于PCB之类的有机基材内制造具有高介质常数和低误差的埋入电容.     

埋入电容基板技术

概述了埋入电容树脂基板的高频特性和埋入电容树脂基板的制造例,可以获得20PF/mm~2的电容密度。与表面安装部件相比,埋入电容具有优良的电性能和安装占有面积小的优越性。     

表面安装去耦电容

论述了什么是去耦,怎样在PWB上实现去耦以及未来的埋入电容。     

有机基板中埋入无源元件概述

介绍了埋入无源元件在减小基板面积和提高基板高频特性的优点,总结了目前正在应用和研究的埋入电阻和埋入电容技术的实现方法.并提出基于埋入平面薄膜电阻和埋入薄芯介质材料形成平面电容技术的混合埋入技术将成为未来埋入无源元件PCB的主流技术.最后阐述了埋入无源元件技术在产业化过程中遇到的困难.     

埋入电容印制板工艺技术

本篇文章讨论的是采用两种基材制作四层埋入电容印制板的方法FR-4基材和FR-406电容材料分别经过单面 图形转移,再经层压到外层制作的路线完成此四层板尺寸变化较小,能够很好地配合高层数多层板的工艺制作。     

新型埋入电容材料

1 前言 20世纪90年代中期以来,3M公司一直致力于埋入电容材料的研制。这次研究工作包括了DARPA程序(Planar Capacitor Layer for Mixed Signal MCMS;Contract No.N66001-96-C-8613)与电源去耦(power supply decoupling)用的埋入电容(NCMS Embedded Distributive Capacitance Project)和埋入无源(NCMS/NIST APT Advanced Passives Technology Consortiam)的合作成员。     

埋入式电容、电阻技术之探讨

就各种埋入式电容和电阻材料特性以及相应制程分别做出比较,并指出设计工具以及测试方法等需要继续改进,但埋入无源元件的应用前景将更加广泛。     

埋入电容式多层印制板的研制

研究埋入电容多层板的制作工艺。通过试验验证电容容值与电容设计方法的关系,多层板生产流程中层压、热风整平工序对电容容值的影响;通过热冲击试验、老化试验等试验验证了埋入电容的容值在环境试验中的稳定性。通过一系列试验验证了埋入电容具有高温稳定性,可以在多层板内实现多个埋置电容层。可靠性试验证明埋置电容具有很好的稳定性和很高的可靠性。     

埋入式电容印制电路板制作工艺

本篇论文主要采用FR406埋入电容材料结合现有的生产设备及条件参数进行工艺兼容性的研究。FR406材料相当于一张超薄的FR-4基材,因而采用标准薄板的图形转移工艺进行电容内层图形的制作。电容材料铜箔表面与半固化片层压的抗剥强度满足IPC接受标准,去钻污及电镀后孔壁质量也比较满意。小面积电容误差分布说明了工艺过程对容值的影响不是很大。因此,采用FR406BC材料进行埋入电容制作是可行的。     

埋入电容和电感的LTCC低温烧结基板

概述了环境友好的(不含Pb和Cd)的埋入电容和电感用的LTCC低温烧结基板。介质常数为50～250,导磁率为50～100以上,适用于低成本的埋入微型无源元件。     

平面埋入电容的印制电路板研究

文章介绍以有机/无机复合薄膜作为电介质层的埋入式平面电容,其结构为金属-介质-金属,其具有与印制电路板制造工艺的良好兼容性,采用层压法进行平面埋入式电容的制作,其工艺简单,制作成本较低,可实现大规模量产。     

从日本专利看PCB基板材料制造技术的新发展之六——埋入电容基板用高ε覆铜板的技术进展

本连载文章,以近一两年发表的日本专利为对象,研究、综述了日本PCB基板材料业在制造技术上的新发展。本篇主要围绕着有关埋入电容基板用高ε覆铜板技术开发的主题。     

一种新型的单面蚀刻技术制备埋容电路板

介绍了一种新型的埋入电容电路板的单面蚀刻工艺。本工艺主要针对介质层厚度≤50μm的埋入电容材料,在制作单面图形时,不去掉未曝光一面的干膜及干膜保护膜,棕化后再过显影线将干膜去掉。对该工艺可行性进行了评估,并验证了其可靠性。实验结果表明,采用此工艺可以减少工艺难度,加工成本降低了3%,且产品合格率达86%以上。     

埋入无源元件集成的高密度印制板

概述了Motorola的埋入PTF电阻、CFP电容和螺旋电感等无源集成的高密度印制板和埋入无源集成技术。     

关于线性电容之静态电容和动态电容作用的研究

在对由两个初始电压不为零的电容及一个电阻串联构成的一阶电路分析时,发现研究动态电路的过渡过程时要区分静态电容和动态电容,否则有可能会导致分析计算的错误。计算线性电容储存能量公式中的电容是电容元件的静态电容,初始电荷不等的两个电容元件串联时,其等效静态电容无法确定。一阶RC电路的时间常数中的电容是电容元件的动态电容或电容元件串联、并联的等效动态电容。在分析一阶电路的动态过程时要特别注意这些问题,希望引起从事电路教学工作的同行注意。     

油水两相流电容层析成像系统电容测量电路的设计

微小电容检测是电容层析成像技术的一个关键和难点。针对油水两相流电容层析成像系统的具体要求，本文研制一种微小电容交流测量电路。电容测量电路的静态测量误差小于0.2％，漂移为0.05％/小时。实验结果表明满足使用要求。     

适合集成开关电容DC-DC变换器的浮地电容倍增器

针对在集成电路中制作大容量电容器的困难，提出了一种利用电流传输器提高集成电容器容量的方法，称之为连续可变浮地电容倍增器。分析了电容倍增的机理，建立了相应的关系式，在此基础上对用此浮地电容构成的一阶滤波器和开关电容DC-DC变换器进行了理论分析和PSPICE仿真。结果表明，利用电流传输器的阻抗变换作用，可使小容量的电容等效变换为较大容量的浮地电容，从而便于开关电容DC-DC变换器实现全单片集成。     

1μF硅电容：硅电容

IPDIA公司推出一种新的高温硅电容,可在1206封装尺寸里达到高电容值。     

集成元件印制板技术

集成元件印制板是把无源元件(如电阻、电容和电感)分别或综合集成到PCB(印制板)内层而形成的,它是新一代HDI/BUM板发展的一个重要方面,并且随着集成电路(IC)的高集成化、高频信号和高速数字信号传输的发展,要求印制板有更好的特性阻抗和更小的电磁干扰,采用集成元件印制板既能提高印制板的高密性又能达到更好的特性阻抗匹配和更小的电磁干扰.介绍了集成电容印制板和集成电阻印制板的材料及工艺过程.     

电容电路分析拾遗

本文讨论了电容C在电压跃变时的能量转移和无限电容网络两点间电容值的求解问题。