降低电镀镍/金印制板的不良率

随着电子工业的快速发展,高密度集成电路和BGA封装器件也广泛用于军用电子产品,新的器件和焊接工艺对印制电路板的表面可焊涂覆层提出了新的要求,其不但要求涂覆层有良好的可焊性,而且要求涂覆层平整,印制板电镀镍/金涂层不但表面平整,可焊性好而且具有较好的三防性能和较长的存放期,因此,电镀镍/金印制板正逐渐被应用于高密度的军用电子产品,本文就印制板电镀镍/金过程中出现的问题进行探讨和交流。     

印制电路板的镀金槽液在线XRF分析应用研究

化学镀镍金(ENIG)是印制电路板(PCB)制作过程中较为常见的表面处理方式,金缸中金浓度的稳定性为关键控制参数和指标,从而能严格控制产品镀金厚度,达到稳定生产品质并降低生产成本的目的.文章介绍X射线荧光光谱分析(X Ray Fluorescence,XRF)在测定PCB化学镀金工序金缸中镍金含量的应用.     

电镀镍／金生产管理实战

本文主要阐述电镀镍/金工艺在PCB生产应用中存在品质缺陷的成因和应对政策等现场管理实战。就工艺流程、 工艺参数、制程要点、质量要求、同时结合本人现场技术服务等方面,浅述了本人对电镀镍/金工艺质量控制技术的现场技 术服务体会。     

化学镀镍钯金电路板金丝键合可靠性分析

在微组装工艺应用领域，为保证印制电路板上裸芯片键合后的产品可靠性，采用化学镀镍钯金工艺（ENEPIG），可在焊接时避免“金脆”问题、金丝键合时避免“黑焊盘”问题。针对化学镀镍钯金电路板的金丝键合（球焊）可靠性进行了研究，从破坏性键合拉力测试、第一键合点剪切力测试以及通过加热条件下的加速材料扩散试验、键合点切片分析、键合点内部元素扫描等多方面分析，与常规应用的镀镍金基板键合强度进行了相关参数对比，最终确认了长期可靠性满足产品生产要求。此外，对镍钯金电路板金丝键合应用过程中需要注意的相关事项进行了总结与说明。     

图形电路化学镍金镀层品质缺陷与分析

采用无氰化学镍金工艺在3种精细图形电路表面化学镀镍金,针对工艺在实验过程中出现的镀层品质缺陷失效进行原因分析,探讨图形电路本身特征引起的漏镀,渗镀,镀层出现针孔,粗糙等品质缺陷原因,采用各种显微分析手段深入了解引发这些品质缺陷的原因,找到合理的工艺解决方案,得出了在生产过程中镀层品质失效的原因和后续的制作工艺改善建议,对于精细图形电路表面处理具有十分重要意义.     

倒装芯片化学镀镍/金凸点技术

本文对倒装芯片化学镀镍/金凸点技术进行了阐述。文中主要讨论了化学镀镍/金凸点的表面形貌、均匀性及其在铝电极上的附着性能等问题。     

PCB电镀铜工艺和常见问题的处理

印制电路板（PCB）电镀主要包括电镀铜、电镀锡、电镀镍和电镀金等。其中电镀铜是PCB制作中的一个重要工艺,文章主要介绍电镀铜的工艺技术、应注意的操作技术问题和一些常见问题的处理方法。     

基于YOLOv5的印制电路板缺陷智能检测

为了检测印制电路板表面的多种缺陷,基于YOLOv5深度学习算法,进行数据集分类、数据增强和神经网络的构建。通过对缺陷图像目标信息的提取,在印制电路板数据集上进行迭代训练,获得最佳检测模型。对测试集中的印制电路板图像进行检测,统计检测精度相关参数,与传统印制电路板检测模型对比分析。建立基于YOLOv5算法的印制电路板缺陷智能检测模型,对印制电路板表面缺失孔、咬伤、开路、短路、杂散和伪铜等六种缺陷检测,结果表明平均准确率达到99.52%。基于YOLOv5算法的印制电路板缺陷检测模型训练速度快,检测准确率高,有助于印制电路板公司进行大批量快速缺陷检测,提高印制电路板生产质量和检测效率。     

基于有机基板的化学镍钯浸金工艺应用与测评

有机基板被广泛应用于电子封装领域,常见的表面处理工艺包括电镀镍金、化学镍金、浸锡、浸银等工艺。在众多表面处理工艺中,化学镍钯浸金工艺因其具有较好的综合性能展现出显著优势。化学镍钯浸金工艺是在化学镍金工艺的基础上增加化镀钯处理,采用该工艺先对基板表面进行化镀镍处理,再进行化镀钯处理,最后完成化学浸金处理。钯镀层可以防止金在沉积过程中腐蚀镍镀层以及阻挡镍向金属间化合物（IMC）层扩散。利用X-Ray、电子扫描显微镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）等图像分析方法,对比了不同厂商的化学镍钯浸金镀层的厚度、微观形貌及质量,结果表明,平整且致密的钯镀层可以有效避免镍腐蚀现象。     

IC封装载板的新型表面涂饰层——ENEPIG

文章介绍一种新型的化学镀镍化学镀钯与浸金表面涂饰层,克服了化学镀镍浸金涂层的缺点,更加适合于IC封装载板上应用。     

镍氧化对镀金板可焊性影响的深入探讨

镀金板的可焊性问题,也是业界经常面临的难题。业内普遍认为是镍层有机污染严重、阻焊残留导致,而系统深入地研究很少。本文由生产实际出发并结合相关试验测试,从镍氧化的角度,对镀金板可焊性不良的机理进行了深入分析,找到关键影响因素,为改善提供切实有效的理论依据。     

取代化学镍金用于线宽线距小于30μm高密度印制板的新技术

化学镀镰/金具有优良的性能,已在印制电路板上获得广泛应用。但随着线路的线宽线距越来越小耙催化剂会夹杂在线路之间造成化学镀镖经常出现超镀现象,使化学镀腺/金工艺无法应用。为了解决此问题,我们发现用0.2μm厚的微碱性化学镀银层具有化学镀镖/金层相同的可焊性和打线功能,证明微碱性化学镀银工艺可以取代超高密度PCB的化学镀牒/金工艺。     

PCB镀镍金孔隙率探讨

SMT技术的兴起使有机可焊性保护涂层、化学沉镍金及电镀镍金表面处理在工业化生产中得到广泛的应用。但是这三种工艺形成的保护层较薄,不可避免的出现微孔,微孔,对表面品质有至关重要的影响,孔隙率是评价其镀层连续性的重要参数之一。本文通过试验验证的方式探讨电镀时影响镀层致密度的相关因素,总结分析出一套避免孔隙率产生的最优生产参数,为生产实际提供了理论依据。     

应用丙尔金镀金新材料、加快推进镀金清洁生产进程

丙尔金镀金新材料主要是由三氯化金、丙二腈和柠檬酸在特定条件下发生络合反应获得,产品本身不含氰,但在产品溶液中确能检测出微量的氰化物,这是我国在产品分析检验方法上,要把被检测出的残留丙二腈含量全部计入到氰化物总量分析结果中所致,且检测值很低,可忽略不计.另外,据国家权威机构鉴定,丙尔金不属危险化学品,属实际无毒产品.同时,排放废水中的氰化物含量都低于0.3mg/L,甚至可低到0.01mg/L.因此,丙尔金镀金新材料不存在环保问题.正因为此,丙尔金镀金新材料不仅是无毒的、清洁的、环保的,应大力推广应用.     

化学镍金工艺中金剥落问题的探讨

化学镍金工艺能够有效的保护导电和焊接表面而被广泛的应用于PCB行业.然而,针对该工艺的品质保证绝非易事.化学镍金工艺受药水等因素的影响,在品质上容易会出现甩金、渗镀等不良问题.本文利用SEM、EDS分析手段对化学镍金工艺中的甩金问题进行了分析探讨.结果发现:甩金处镍层被腐蚀而形成空洞,EDS分析发现镍层中含有铜元素.这很有可能是金缸受到污染,镀液中存在一定含量的Cu2+,镍层与Cu2+发生自发的置换反应置换出铜而沉积在镍层上面,从而腐蚀镍层形成大量孔洞,使之与金层的结合力下降,导致化学镍金后甩金.     

PCB镀金层耐腐蚀性和失效机理浅析

文章通过对电镀软金过程采用不同的电镀时间,电流密度,电镀次数形成不同的金、镍层厚度的板件,用盐雾和酸雾实验研究不同工艺加工的金面耐腐蚀性差异,结果发现金厚是影响金面耐腐蚀性的关键因素,文章还对金面的耐腐蚀性机理进行了探讨。     

电镀镍金工艺渗金原因分析及改善

通过对采用贴干膜板进行电镀镍金工艺渗金造成批量报废的原因进行分析,采取多种试验方案寻找问题根源,使问题得到彻底解决。     

无氰化学镀厚金工艺

概述了无氰型化学镀厚金工艺的开发,以及从开发镀Au液中获得的镀Au层的性能评估和用途。     

Interconnecting to aluminum- and copper-based semiconductors (electroless-nickel/gold for solder bumping and wire bonding)

Electroless nickel and immersion gold plating technologies (e-Ni/Au) have traditionally been used almost exclusively within the electronics industry to create a solderable surface on substrate materials, e.g. laminate boards. Recent advances in these plating technologies, along with the inherent low costs associated with electroless plating processes, have enabled the extension of their utilization into a variety of semiconductor applications, e.g. wafer level pad metallization. This paper describes the electroless nickel and immersion gold processes for both aluminum- and copper-based semiconductors. The nickel plating bath is a hypophosphite-based solution and the gold bath is a cyanide-free sulfate-based solution. For aluminum-based integrated circuits a zincation process is used to initiate nickel growth, and for copper, palladium is used to catalyze the surface. Tight control of the chemistries, equipment, and run-time process variables are required to ensure repeatability. Thin film Auger analysis of the as-plated films shows well-defined layers of high purity gold and nickel/phosphorous. Adhesion of the e-Ni/Au layers was evaluated by measuring the load required to shear I/O pads plated with tall nickel bumps. Integrity of the nickel was further evaluated by subjecting the structures to multiple temperature cycles and test for pad shear strength. Results show no degradation in shear load or failure mode.The deposition of nickel and gold onto the I/O pad surfaces enables the subsequent use of both wire bond and flip chip (lead-based and lead-free alloys) interconnect methods. The integrity of gold wire bonds to the e-Ni/Au plated I/O pad was evaluated using ball shear, wire pull, and the corresponding failure analysis of each. Results show values well above product specifications, with wire pull failure modes in the wire and intermetallic failure in the ball shear studies. For flip chip applications, the e-Ni/Au layer was evaluated using stencil-printing technology to deposit several different solder alloys. In the current investigation, two test vehicles were successfully bumped with both 63Sn/37Pb and 90Pb/10Sn lead-based solder alloys, as well as the 95.5Sn/3.8Ag/0.7Cu lead-free alloy. In order to evaluate the compatibility of these alloys with the electroless nickel layer, solder bump shear tests were performed as a function of number of reflow cycles. Results show no degradation in shear load or failure mode among all three of the alloys tested, indicating no critical nickel consumption (i.e., excessive intermetallic growth) during reflow. Additional tests were performed comparing nickel under-bump-metallurgy (UBM) thicknesses of 1, 2 and 5 μm. Again, no critical nickel consumption was detected.