3—D寄生电阻电容线性元计算的并行实现

ＶＬＳＩ电路中，深亚微米工艺及多层布线技术的广泛应用使互连寄生效应成为制约电路性能的主要因素，直接边界元素法３－Ｄ寄生电阻电容提取的计算量很大，采用并行计算是快速提取的重要途径之一。     

微带SIR带通滤波电路寄生通带的分析

本文分析微带SIR（阶梯阻抗谐振器）带通滤波电路的寄生通带问题。这种滤波器的特点是其寄生响应时以通过阻抗比K进行控制，因而增进了谐波抑制性能。SIR可以采用等电长度或非等电长度。等电长度SIR滤波电路的第三寄生通带的带宽来零，然而，非等电长度SIR滤波电路却增加了设计的灵活性，分析与探讨微带SIR滤波电路的寄生带通问题，对于合理设计与应用这种滤波电路是有益的。     

射频平面螺旋电感的性能分析与设计仿真

在建立集成电感的传输线模型基础上,给出了集成电感模型参数的提取方法,介绍了各寄生参数的含义,并给出了集成电感的寄生参数方程,同时给出了平面螺旋电感电感值的计算及其在电路中的应用方法.     

Raphael-深亚微米集成互连参数仿真优化系统

针对超深亚微米层次下的金属互连设计,使用Raphael(集成布线互连)仿真系统完成了互连寄生效应参数的提取。介绍了Raphael仿真系统的主要功能及基本应用,并分析了常规集成布线互连参数模型。采用二层跨越式互连结构,对寄生电阻、电容参数进行了仿真,并得到电流密度的分布结果。这些参数的提取及验证对电路的布局设计是十分重要的。     

变频器传导发射测试建模及仿真

为提高功率半导体设备的电磁兼容测试认证通过率,根据变频器的工作原理,从滤波参数、寄生参数等方面分析了传导发射的影响因素。利用ANSYS电磁仿真平台,结合变频器传导发射测试组网布局,进行器件建模、寄生参数提取和仿真电路搭建。调整滤波器件参数前后,变频器传导发射的仿真与实测结果同步变化且一致性较好。因此,变频器传导发射测试系统总仿真电路模型可准确预测实测结果,有效降低测试不通过风险。     

一种新型无源EMI滤波器寄生参数消除技术

为提高开关电源的功率密度,提高开关电源的工作频率和减小开关电源的体积,但开关电源中寄生参数对电路的高频特性影响较大,设计了一种新型的同时消除寄生电感和寄生电容的"消除器",以消除电容器的寄生电感和寄生电容的影响,对消除器寄生参数进行分析计算,并用Pspice软件对其电路进行仿真和实验验证,分析结果表明该设计能够减小滤波器电路的无源元件体积,且能较大幅度降低电路的寄生参数,电容器的高频性能得到明显改善。     

管芯S参数的提取技术

介绍了一种新颖的提取管芯S参数的方法。这种方法从电路等效理论出发,把除管芯以外的寄生参数用等效电路表示,用微波仿真软件去除这部分电路的影响,就可得出管芯的S参数。本文使用的微波仿真软件是Microwave Office。此方法简单易行、精确度高,有很好的实用价值。     

电流反馈放大器及其应用

介绍了电流反馈放大器及由它构成的ＲＣ正弦振荡器，滤波器和电感仿真与频变负阻仿真电路。分析了ＣＦＡ的寄生电阻玫电容对ＲＣ振荡器性能的影响，得到了忽略寄生电阻与电容的条件下。提出了ＣＦＡ构成的各类基本运算电路。     

高性能锁相环PE3293及其应用

在无线通信中，降低频率合成器的相位噪声和抑制其相应的寄生输出，一直是设计者追求的目标。PE3293是Peregrine公司生产的高性能1．8GHz／550MHz双模整数分频集成锁相环电路，它具有超低的寄生输出。文中介绍了PE3293的特点功能和组成原理，给出了PE3293在频率综合器设计中的应用电路。     

精确区分器件和互连寄生电阻电容的方法研究

随着器件线宽的不断缩小,在集成电路仿真中互连线延迟所占的比重逐渐变大,而MOSFET延迟所占的比重慢慢减小,这就意味着互连的寄生电阻电容对延迟的影响越来越大.研究了如何区分并计算器件部分和互连部分的寄生电阻电容.其中区分本地互连寄生电阻电容和器件电阻电容是关键.以90 nm器件为例,通过提取不同部分的寄生电阻电容,对环形振荡器进行延迟仿真,得到了它们对延迟的影响.通过不同的测试结构达到精确计算器件寄生电阻电容的目的,最终实现了对电路的精确仿真.     

基于CQFP 64线外壳的封装寄生参数研究

封装寄生效应对高频器件性能的影响越来越明显.为了在高频器件设计中充分考虑寄生参数的影响,需对封装的寄生效应进行模拟,以便保持高频电路封装后信号的完整性.利用Anfost公司的软件Q3D和HFSS,对CQFP 64管壳的引脚和键合线进行电磁仿真分析,提取出三维封装结构的RLC参数和高频下的S参数;分析管壳在封装前后、不同频率、不同封装环境下寄生参数的变化情况;将仿真结果与实验结果进行了对比,为设计人员设计产品提供依据.     

PCB布线设计(之三)

寄生元件危害最大的情况印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括:寄生电阻、寄生电容和寄生电感。例如:PCB的寄生电阻由元件之间的走线形成;电路板上的走线、焊盘和平行走线会产生寄生电容;寄生电感的产生途径包括环路电感、互感和过孔。当将电路原理图转化为实际的PCB时,所有这些寄生元件都可能对电路的有效性产生干扰。本文将对最棘手的电路板寄生元件类型—寄生电容进行量化,并提供一个可清楚看到寄生电容对电路性能影响的示例。寄生电容的危害大多数寄生电容都是靠近放置两条平行走线引起的。可以采用图1所示的公式来计算这种电容值。…     

GaN HEMT开关器件小信号模型

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型.利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻.对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法.最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷(SPDT)开关电路中检验模型的正确性.结果表明,误差因子E11 =E22＜2.96％,E12 =E21 ＜1.27％,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合.所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导.     

深亚微米CMOS混合信号电路衬底噪声耦合宏模型

提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型.该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件模拟基本一致的模拟结果,并可以方便地嵌入SPICE中进行一定规模的电路模拟.     

一种提高1-WIRE寄生供电容量的方法

改进了1-WIRE总线以提高其寄生供电容量,设计了自适应上拉电路,以电压监测和栅压自举开关为关键部件组成了寄生受电电路,从而把1-WIRE的寄生供电容量由5μA提升至平均值大于1mA,峰值10mA。新的总线主设备与目前广泛使用的的1-WIRE从设备可以向下兼容。采用TSMC0.25μm标准数字CMOS工艺设计了原型电路,仿真结果表明,电路性能满足设计要求,系统改进可行。     

Blumlein快放电电路传输线电容和储能电容的研制

为减小Blum lein电路中的寄生电阻与电感,自行设计了传输线电容与储能电容,以平行平板电容器结构代替了原来的无感电容与传输线电容的结构,使得电路中寄生电感下降1倍以上,电路性能得到很大改进,满足了S2激光器产生辉光放电的要求.     

带寄生及匹配约束的CMOS模拟电路模块的STACK生成优化方法

模拟电路的性能紧密依赖于版图的寄生参数和匹配特性 .提出了用以描述分布式的寄生电容和由于工艺梯度变化而产生的寄生参数不匹配以及 STACK内连线的不匹配的模型 .基于该模型 ,一种新的 STACK生成方法用来控制版图的寄生参数和匹配特性 ,优化 STACK的形状和确保为所给出的模拟电路模块生成相映的欧拉图 .一个 OPA电路的例子说明了所提出的版图优化方法可以提高诸如单位增益带宽和相位余量等电路性能     

带寄生及匹配约束的CMOS模拟电路模块的STACK生成优化方法

模拟电路的性能紧密依赖于版图的寄生参数和匹配特性．提出了用以描述分布式的寄生电容和由于工艺梯度变化而产生的寄生参数不匹配以及STACK内连线的不匹配的模型．基于该模型,一种新的STACK生成方法用来控制版图的寄生参数和匹配特性,优化STACK的形状和确保为所给出的模拟电路模块生成相映的欧拉图．一个OPA电路的例子说明了所提出的版图优化方法可以提高诸如单位增益带宽和相位余量等电路性能．     

433 MHz ASK接收机射频前端版图设计

设计了一款433 MHz ASK接收器射频前端电路(包括低噪声放大器和混频器)的版图。射频段电路对寄生效应特别敏感,设计对版图的复杂程度、面积以及由版图造成的寄生进行折中,最大程度地降低寄生对电路的影响。针对低噪声放大器电路对噪声以及混频器电路对于对称性的高要求,着重阐述了设计中对噪声的处理和实现对称性的方法。采用UMC 0.18μm工艺库进行设计和流片。将后仿真及流片测试结果与前仿真结果进行对比,得出该设计能够较好地维持原电路性能,满足系统设计要求。     

一款805单端甲类功放的设计制作

笔者一向追求简单、快乐的生活，这种单纯的生活理念源自于很多年执着的发烧体会。高保真的发烧电路大多是提倡“简洁至上”的原则，过于复杂的电路难免会产生一些寄生干扰和失真，使音乐失去原汁原味。