用硫属化合物玻璃作为电流控制层的高对比度、高稳定性的ZnS:Mn薄膜显示器

采用MOCVD技术生长了高亮度的znS∶Mn薄膜。采用电子束蒸发法沉积了硫属化合物玻璃(CG)层。由于这种玻璃的电学开关特性,可将DC激发下ZnS∶Mn薄膜的击穿降至最低限度。用这种器件可获得高对比度和稳定的60ft—L以上的亮度。     

采用绝缘钛酸钡陶瓷片的ZnS:Mn低电压驱动薄膜电致发光器件

在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电压(正弦波,5千赫)为7伏时,以及发射层厚度为400纳米、施加电压为20伏时,所得到的亮度为1尼特。本文达到的最高亮度和发光效率分别为6300尼特及约11流明/瓦。有一个器件在60赫,100伏电压的驱动下,其亮度为200尼特。     

蓝宝石上生长GaN外延层的一种改良技术

斯坦福大学的科学家G.Solomen与美国CBLTechnologies及德国柏林的PaulDrude固体电子学研究所合作,将有机金属化学汽相淀积(MOCVD)和氢化物汽相外延(HVPE)两种方法相结合,在单一外延室中制备出蓝宝石上GaN外延片。这个研究小组称,这种工艺方法提供了一种制备GaN基外延层和GaN基器件的成本实惠且可行的手段,不必每一淀积步骤都要一个单独的反应室。采用这种方法,可通过MOCVD在500°C下生长出一层高品质的GaN缓冲层,接着用HVPE在1025°C下,以高得多的生长速率淀积一层厚的GaN层。这种混合反应室用一个内部衬底加热器(冷壁加热…     

薄膜的离子束辅助淀积及离子轰击后处理工艺研究

本文详述了离子束辅助淀积薄膜及离子轰击后处理薄膜的工艺装置。用新一代的离子源系统作为离子轰击源,e型电子枪为膜料的热蒸发源。首先进行离子辅助淀积工艺研究。用离子辅助淀积和常规淀积方法制备ZnS/MgF_215层(HL)~4(LH)~4单半波窄带滤光片。两种样品镀制后立即进行测试其曲线和放置18天后     

Altatech推出新型CVD、ALD设备

<正>半导体设备商Altatech Semiconductor日前推出化学气相淀积和原子层淀积设备AltaCVD,但未透露其设备售价。AltaCVD设备采用蒸发技术实现黏性非挥发前体淀积。公司介绍,该设备适用于研发及试生产。据Altatech介绍,AltaCVD适合逻辑电路及存储器制造中的等离子体增强MOCVD和ALD技术,其中包括制作高k栅介质、金属电极、高k耦合介质、铁电材料等。     

使用高介电常数多层陶瓷衬底的新型薄膜电致发光器件

已研制成功一种使用多层薄膜和陶瓷衬底的新型复合结构交流电致发光器件.发光薄膜(ZnS:Mn)和ITO电极淀积在一块由高电介质陶瓷绝缘层(e_s～10~4),内部印刷电极和陶瓷基板构成的多层陶瓷衬底上.这种器件具有工作电压低(40-80V),无击穿故障,清晰度高的特点.     

采用新型锰源用MOCVD技术制备ZnS:Mn电致发光层

在用MOCVD技术制备ZnS:Mn多晶薄膜的过程中,用CPM[(C_5H_5)_2Mn:2-π-茂基锰]和BCPM[(CH_3C_5H_4)_2Mn:二甲基茂基锰]作新的掺杂源,并与早些时候使用的TCM[(CH_3C_5H_4)Mn(CO)_3:三碳酰甲基茂基锰]做了与较。与即使在400-500℃也仅有部分分解的TCM相比,CPM和BCPM在ZnS的最佳生长温度即280-350℃就完全分解。在热分解的时候,TCM产生含有锰和碳酰的副产品,它对发光不起作用;而CPM和BCPM则不是这样。由于它的这些优点,用CPM或BCPM制备的器件有更高的亮度。用CPM制备的厚度为500nm的ZnS:Mn层在1kHz正弦波激发下的最大光效(ηmax)为4.81m/W,而饱和亮度(Lsat)为4300cd/m~2。至于BCPM,则得到3150cd/m~2的饱和亮度。而用TCM制备的器件的亮度则低于1000cd/m~2,光效低于1lm/W。当与红色滤光片联用时,采用具有CPM或BCPM的MOCVD制备的ZnS:Mn还能提供有效的红色EL。当使用截止波长为590nm的玻璃滤光片时,在1kHz正弦波激发下,用CPM制备的EL器件产生的Lsat为1420cd/m~2,ηmax为1.6lm/W,色座标值x=0.4626,y=0.373。     

大功率激光器阵列

日本夏普公司已开发比以前大4～5倍大功率半导体激光器阵列,并确立实用化技术。所开发的激光器阵列采用和以前MOCVD不同的液相处延生长法,适合于批量生产。器件需要在GaAs衬底上淀积Al,Ga,As的六层薄膜,每层的厚度为0.05μm必须在稳定反应中进行晶体生长,以往用MOCVD法制造,很费时间。     

可见光双波长用的均匀混合介质增透膜

已制得同时适用于可见光双波长的λ/4～λ/2双层增透膜,它是先淀积一种ZnS～MgF_2均匀混合膜作为内层,然后淀积一层MgF_2作为外层而成。所得结果和理论预计非常一致。     

用金属有机化学气相沉积在Si上外延生长ZnS

一、引言ZnS 是一种极吸引人的制作光发射器件的材料,它可覆盖从可见到紫外区的波段。然而,就器件的应用而言,材料的高质量外延层是不可缺少的。关于用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长 ZnS 的研究,指出该技术的潜力是生长温度低于其它传统气相外延生长技术,而获得优质外延层。已经采用 GaAs 和 GaP 作 ZnS 外延生长的衬底。     

卤素输运CVD法形成的ZnS:Mn薄膜EL显示技术

前言薄膜EL显示器件的显示质量高、性能可靠,在平板显示应用中正引人注目。目前ZnS:Mn橙黄色显示业已付诸实际应用。ZnS:Mn发光层的制作技术有三种:(1)电子束蒸发法(含溅射法)。把ZnS与Mn制成混合块,通过电子束使其加热蒸发,以物理沉积的方式蒸发到基板上。(2)原子层外延法(ALE)。把原料气体交互地向基板上供给,通过生长表面上的化学反应一层一层地形成原子层。尽管这种ALE法的成膜速度慢,在生产上有问题,但可形成高质量的ZnS薄膜,从而可以获得     

基于工业控制计算机的MOCVD控制系统设计

金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术是当前研制和生产先进化合物半导体材料的最主要技术。本文结合GaN材料生长的MOCVD系统研制，给出了MOCVD计算机控制系统，该系统采用工业控制计算机实现了整个系统的控制和管理，取得了满意的研究结果。     

多层集成结构

在器件单元的第1层上生长1层或更多层,可以提高集成电路的密度。 这种用Si作衬底的多层集成电路结构,可按下列步骤制得: (A)制得第1层集成电路结构(图1)后,用低温淀积法在其表面覆盖一层2000—3000A的氧化层或氮化层2。此层作绝缘用。 (B)用低温化学汽相淀积法或真空电子束蒸发法,在氧化层/氮化层上淀积1—2μm厚的无定形硅(a—Si)或多晶硅(Poly—Si)层3。     

用有机金属化学汽相淀积法制成半导体激光器

日本古河电工借助于有机金属化学汽相淀积(MOCVD)法最近研制成日本首批砷化镓埋入式半导体激光器。用MOCVD法制作半导体激光器，与一般使用的液相生长法相比，具有优越的膜厚控制性能，可制成均质、表面缺陷少的结晶薄膜，此外，可使用面积较以往大得多的薄膜，能大幅度降低成本。     

MOCVD生长低阈值AlGaAs可见光激光器

尽管金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术已经成功地用于生长各种各样的光电子学器件,例如太阳电池,双异质结激光器和量子阱激光器,但用一般的MOCVD生长AlGaAs DH激光器有时也出现光致发光效率较低的问题。MOCVD生长AlGaAs DH激光器的初始结果表明能够得到低的阈值电流密度,尽管这个值与LPE获得的最好结果相比仍然很高。在本文中,我们说明只要用心控制好常规的MOCVD的生长条件,就     

二氯硅烷外延工艺的进展

本文讨论了关于采用二氯硅烷淀积外延硅的新近研究。另外,介绍了应用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的情况。当淀积温度变化时,用二氯硅烷淀积硅膜的淀积速率变化很小。在高淀积速率以及比四氯化硅低100℃的温度下能生长结晶质量优良的均匀外延层。讨论了与其它硅烷相比二氯硅烷的经济优点。同时列出了有关物理性质和操作技术的内容。     

采用绝缘介电陶瓷片的低压驱动ZnS:Mn薄膜电致发光器件

采用BaTiO_3陶瓷片作为绝缘层,制备出具有金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的ZnS:Mn交流薄膜电致发光(EL)器件。我们发现EL特性与介电常数、绝缘陶瓷片的损耗及ZnS:Mn发光层的结晶性能有很密切的关系。制备了具有用金属有机化学气相沉积技术沉积的发光层的EL器件,得到最大亮度为6300cdm~(-1),发光效率为11lmW~(-1)。     

900nm窄发散角量子阱激光器

使用传输矩阵方法模拟光场特性,设计了带有模式扩展层的900 nm窄发散角量子阱激光器(LD),利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了器件.垂直方向远场发散角由常规结构LD的35°减小为20°,且阈值电流和光限制因子都没有明显变化.     

化学束外延介绍

化学束外廷(Chemical Beam Epitaxy,简称CBE)是一种由分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)发展而来的新技术,它结合了MBE的束的属性和MOCVD的控制和采用全汽相源的特点,它综合了两者的优点而使各自的缺点得到弥补。最近用化学束外延得到的结果表明CBE具有超过MBE和MOCVD的潜力而成为一种非常重要的新的外延技术。本文主要通过与MBE和MOCVD的对比,对CBE作了简单的介绍。     

激光束外延促进超导薄膜生长

激光束外延促进超导薄膜生长大贩大学已发展一种用激光分子束外延生长１５０～１７０Ｋ氧化钙银铜（ＣａｏｓＳｒｏ，ＣｕＯ；。）高温超导薄膜的技术。该技术具有产生不连续界面，可进行原子水平的单层淀积控制。用激光烧蚀和计算机控制的分子束外延装置淀积（Ｃｈ，Ｓｒ...