CMOS工艺兼容多晶硅压力敏感膜的设计与加工

在MEMS表面加工工艺中，多晶硅薄膜是微结构的重要组成部分。本文考虑加工工艺中残余应力的影响和多晶硅材料的强度范围，建立多晶硅膜的大变形模型，设计可用于压力传感器应用的多晶硅薄膜几何尺寸。采用有限元方法对多晶硅薄膜进行力学分析和设计验证，提出了CMOS工艺兼容的多晶硅压力敏感膜的加工方法，并且根据所设计的工艺进行了电容式压力传感器微结构的加工，加工结果说明了多晶硅薄膜设计的合理性和CMOS兼容工艺的可行性。     

政策解读

多晶硅行业过滤中小企业 《多晶硅行业准入条件》近期推出，在争论了近一年之后，此番《准入条件》并未超出大多数业界人士的预期，如在规模方面，规定太阳能级多晶硅项目规模要大于3000吨／年，半导体级多晶硅项目规模大于1000吨／年；在能耗方面则提出，到2011年年底前要淘汰综合电耗大于200千瓦时／千克的太阳能级多晶硅生产线，     

多晶硅TFTAMLCD的现状与前景

多晶硅有源矩阵液晶显示技术，特别是一体化多晶硅有源矩阵液晶显示技术以它独特的优点，越来越受到重视，并将在液晶显示领域中占有重要地位，但是，多晶硅有源矩阵液晶显示技术还存在一些问题，这也正是目前研究的主要内容，本文对低温下淀积高质量多晶硅薄膜技术；通过退火使非晶硅结晶为多晶硅技术；器件层转移技术；钝化技术；一体化技术以及多晶硅有源矩阵液晶显示的前景等进行了分析和讨论。     

国内外多晶硅发展现状

叙述了国内外多晶硅的发展概况，讨论了多晶硅生产过程中改良西门子法的几项关键技术，并对我国多晶硅材料的研究提出了几点建议。     

中国出台多晶硅准入门槛抑制光伏产业重复建设

中国24日发布了一项多晶硅行业的准入门槛，要求太阳能多晶硅项目每期规模要大于3000吨／年，半导体级多晶硅项目规模大于1000吨／年。     

我国首条微电子级多晶硅生产线在咸阳成功试车

我国第一条微电子级多晶硅生产线——陕西天宏硅材料有限责任公司年产1250吨微电子级多晶硅生产线日前成功生产出首炉多晶硅。近日，天宏公司在咸阳举行庆祝仪式，省长袁纯清出席并代表省委、省政府对项目成功试车表示祝贺，并宣布年产2500吨微电子级多晶硅生产线项目开工。副省长吴登昌致辞。     

Poly—Si TFT制备工艺

在有源矩阵液晶显示中，目前倍受重视的应数多晶硅有源矩阵液晶显示技术，本文较详细地给出了高温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺及其特性，并分析讨论了制备条件对多晶硅薄膜晶体管各种参数的影响。     

多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。     

掺杂多晶硅发射极技术研究

本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技术支撑。     

四川多晶硅项目火热 通威集团200t生产线试产成功

在一片火热的四川多晶硅项目上马气氛中，继峨眉半导体和新光硅业之后第三家能实质性产出多晶硅的厂家诞生。而投资方通威集团，正试图将该项目运作成世界级多晶硅生产基地。     

多晶硅间粒间界的线性陷阱模型

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测试多晶硅ｎ＾＋ｐ二极管势垒区深能级谱。利用ＤＬＴＳ实验结果，对Ｇ．Ｂａｃｃａｒｉｎａ等提出的均匀陷阱模型进行修正，提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型，运用该修正模型，可采用迭代法求得多晶硅电学参数－势垒高度Ｅｂ、电导率激活能Ｅａ与多晶硅掺杂浓度Ｎｃ间关系。计算结果表明，多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。     

多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟

在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上，根据国内现有的双极工艺水平，设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程，并给出了一个最小尺寸晶体管的版图，最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。     

多晶硅膜及其薄发射极退火特性的研究

本文详细研究了退火方式和条件对多晶硅膜结构、电性能以及多晶硅接触薄发射极的发射极电阻的影响。结果表明，１０００℃以上热退火对于减小发射极电阻、降低多晶硅膜的电阻率有利；激光退火不但能减小发射极电阻，导致更低的多晶硅膜电阻率，而且还能获得极浅的单晶发射结，在改善薄发射极晶闸管特性方面显示出较大优势。     

夏普将在美建加工太阳能电池用晶圆厂

夏普宣布计划在美国建设将多晶硅材料加工成太阳能电池时需要的晶圆工厂。作为多晶硅材料，将通过与美国多晶硅材料厂商签订长期合同，以确保从2010年开始的稳定采购。将多晶硅材料加工成硅锭之后，在切割晶圆时，会造成切损。为了减少物流成本的浪费，该公司将建立切割成晶圆后再进口的体制。此外，夏普还宣布，将在太阳能电池的消费地建立从结晶硅型太阳能电池单元到模块的一条龙生产体制。     

镍表面微机械加工

描述了单层掩膜表面的微机械加工工艺。该工艺用镍作为结构层材料，多晶硅作为牺牲层，用高长宽比光刻技术（厚达２０μｍ）制作电镀图形，在多晶硅上化学镀镍。用低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）工艺淀积厚度为１～５μｍ的多晶硅。化学镀之前对多晶硅进行短时腐蚀预处理可使多晶硅表面变成多孔状，为生成良好的镍粘附提供了适合的力学键合点。用ＫＯＨ腐蚀多晶硅牺牲层以便释放镍可动部分。采用该工艺已制出厚度为５～２０μｍ的静电镍微驱动器     

改变我国多晶硅严重短缺局面迫在眉睫

目前，国内多晶硅仅有峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅有限公司能少量供应，2004年两家企业多晶硅的产量不到60t。洛阳中硅高科技有限公司300t多晶硅项目将于2005年9月投产。而国内仅无锡尚德太阳能电力有限公司和保定英利新能源有限公司两家生产太阳能电池的大厂，在2005年多晶硅需求量就己达到1000t左右。     

TiSi2的形成及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用

采用蒸发淀积、快速热退火等技术，通过Ｔｉ／Ｓｉ，Ｔｉ多晶硅固相反应，形成高电导均匀的ＴｉＳｉ２薄膜，并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中，自对准形成钛硅化物薄膜，以形成良好的欧姆接触减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。     

国内外多晶硅发展近况

介绍了目前国外多晶硅的几大生产特点，指出了国内多晶硅生产及市场存在的主要问题，提出了一些解决办法。     

对低温多晶硅液晶显示器市场的评估

低成本高性能显示器是一项长期的技术挑战。由于低温多晶硅技术有很多优点，可制造高性能的薄膜晶体管，从而能得到高清晰度高亮度和低功耗的显示器。本文通过对液晶显示器市场的分析，展望低温多晶硅技术的应用前景。同时对低温多晶硅与非晶硅作了成本对比。     

一种高速高压NPN管的研制

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆｒ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２０ｎｍ。