Ag底层对TbFeCo薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了TbFeCo/Ag非晶垂直磁化膜，研究了Ag底层厚度对TbFeCo薄膜磁性能的影响。原子力显微镜、振动样品磁强计与磁光盘测试仪测量结果表明：薄的银底层具有较高的表面粗糙度可以显著增大TbFeCo薄膜的矫顽力，改善TbFeCo薄膜的磁光温度特性，该薄膜有望用作高密度垂直记录介质与光磁混合记录介质。     

溅射工艺条件对TbFeCo/Pt薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.     

Ce掺杂对TbFeCo材料磁光性能影响的研究

采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜，并在TbFeCo中引入轻稀土元素Ce，测试了薄膜的磁光性能。研究了薄膜成分对其磁光性能的影响。结果表明；在TbFeCo薄膜中掺入少量Ce时，薄膜的磁光克尔角及矫顽力都有所提高，矩形度也增加了。但随Ce掺入量的增加，薄膜的磁光性能发生恶化，较好的掺杂在10.31?左右。     

TbFeCo磁光薄膜飞秒激光感应超快磁化动力学研究

利用时间分辨磁光克尔光谱技术,研究TbFeCo磁光薄膜飞秒激光感应超快磁化动力学过程。观测到亚皮秒的超快退磁过程,符合"三温度"模型中由电子-自旋散射引起的超快退磁机制。磁化动力学的激发功率流密度依赖关系结果表明,随着激发功率流密度的增大,超快退磁程度增加和磁化恢复时间延长,符合"三温度"模型的解释。在衬底厚度不同的TbFeCo样品对比实验中发现,同功率流密度激发下衬底较薄的样品退磁程度更高,磁化恢复速率更快。     

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜，并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明，AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应，同时，AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变。     

溅射气压对TbFeCo磁光薄膜的光学常数的影响

利用直流磁控溅射制备了TbFeCo/Si薄膜，采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪，测量了用磁控溅射法制备的TbFeCo/Si薄膜的光学常数，测量能量范围为1．5～4．5eV。分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的TbFeCo/Si磁光薄膜的光学常数的影响。实验结果表明，在低能区域，样品的所有光学常数均随压强增加而增加，受制备工艺影响较大。但在高能区域，光学常数随压强的变化相对说来不再明显．     

Tb-Fe-Co磁光薄膜溅射条件对Kerr转角的影响

在实际磁光盘生产线上大都使用合金溅射靶溅射记录介质膜,而尚示有直接使用合金靶研究这些关系的报道。我们首先研究了用于磁光油射的系列合金靶,并完善了靶材制造工艺参数,且在此基础上进行了成分以及溅射参数对各种磁光性能影响的研究。首先确定了各种溅射和N2－Ar气流量下Al、Si以及Tb-Fe-Co(Mo）的溅射速率,在此基础上通过改变溅射功率和调整气汉量改变SiN的成分和厚度,在各种功率和气流量下溅射了Mo膜,并测定了这些磁光膜的Kerr线以获得Kerr转角等性能,从而探讨了溅射工艺条件对Kerr的影响。     

电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变     

用射频磁控溅射法在二氧化硅衬底上制备磁光Ce∶YIG薄膜

使用射频磁控溅射法在非晶态的二氧化硅衬底上制备Ce1YIG磁光薄膜。生成的Ce1YIG薄膜为非晶态形式 ,经过后续的热处理过程 ,转变为晶化薄膜 ,在用波长为 6 30nm的激光测量时 ,薄膜的饱和法拉弟旋转系数θF 为 80 0°/mm。晶化薄膜具有很强的平行于膜面的磁化强度 ,用VSM测得晶化薄膜的居里温度为 2 2 0℃。实验结果表明 :所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器。同时 ,这一方法为进一步研究非互易平面光波回路打下了基础     

共溅射沉积的TbFeCo薄膜

本文介绍了利用射频共溅射技术制备垂直膜面单轴各向异性TbFeCo磁光薄膜,并研究了该薄膜的磁、磁光和读写性能。测试结果表明,这种TbFeCo薄膜的磁光盘其载噪比和擦写循环分别达到48dB和1×10~6次以上。该磁光盘可适用于数据存储。