用于白光LED的荧光粉Sr3MgSi2O8:Eu2+的发光特性

使用高温固相法制备不同NH4Cl(作为助熔剂)加入量和不同Eu2+浓度的Sr3MgSi2O8:Eu2+,并研究其成相和发光性质.研究结果表明:NH4Cl加入量为24%时,样品为纯相,发光最强.Sr3MgSi2O8:Eu2+样品在近紫外区存在强激发带(250～400 nm),谱峰位于366 nm相应的发射谱带位于蓝光区(420～500nm),为一个不对称宽带,谱峰位于457 nm,该发射带由两个发射峰组成,其位置较接近,因此不能复合出白光,Sr3MgSi2O8:Eu2+仅适合作为紫外LED芯片激发的蓝光荧光粉.     

Eu3+掺杂Sr2CeO4荧光体的制备、发光性能及能量传递

采用柠檬酸-凝胶法成功地制备了Eu3+掺杂的Sr2CeO4荧光体.用X射线粉末衍射、拉曼光谱、紫外可见吸收光谱和荧光光谱等分析手段研究了荧光体的结构、光致发光性能及能量传递.结果表明,Sr2CeO4∶ Eu荧光体的激发光谱由两部分组成一个宽的激发带和属于Eu3+的f - f跃迁的锐线谱(峰位是395nm、466nm、532nm),它的发射光谱中除了出现常见的发射峰如585nm(5D0→7F1) 、616nm(5D0→7F2)、655nm(5D0→7F3)和704nm(5D0→7F4)外,还包含有来自较高能级激发态5D1的跃迁的发射,即509nm(5D1→7F0)、534nm(5D1→7F1)、554nm(5D1→7F2).这些发射峰在其它基质材料中难以观察到.发射主峰位于616nm附近,没有出现5D0→7F0的跃迁发射,这表明Eu3+在Sr2CeO4基质中处于无反演中心或偏离反演中心的格位上.Sr2CeO4∶Eu荧光体中存在着从基质Sr2CeO4到Eu3+的能量传递.     

溶胶-凝胶法制备Y2Zr2O7∶Tm3+及其发光性能研究

以柠檬酸为络合剂采用溶胶-凝胶法制备了（Y1-xTmx）2Zr2O7（x=0.005,0.01,0.03,0.05）荧光粉.采用X-射线衍射分析仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和荧光光谱仪分别检测了Y2Zr2O7∶Tm3+的晶体结构、颗粒形貌以及样品的荧光光谱.XRD图谱表明,所得到的产物Y2Zr2O7∶Tm3+为单一相的萤石结构,而且Tm3+的掺杂并没有改变其晶体结构.荧光光谱的测试表明,在359 nm波长的紫外光激发下,1000℃下烧结的（Y1-xTmx）2Zr2O7（x=0.01）样品的发光性能最好,发射峰对应于Tm3+的1D2→3F4跃迁和1G4→3H6跃迁,并对其发光机理进行了探讨.样品在454 nm处的发光强度随Tm3+离子掺杂浓度的增加先升高后降低,即出现了浓度猝灭的现象,当Tm3+掺杂浓度摩尔百分比为1%时,样品的发光强度达到最大.     

Sr2CeO4的微波合成及其发光性能研究

采用微波辐射法合成了Sr2CeO4粉末,研究了微波辐射功率和加热时间对Sr2CeO4合成的影响,确定了微波法合成Sr2CeO4的最佳反应条件,并用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱等测试手段对Sr2CeO4的性能进行了测试。结果表明,Sr2CeO4属正交晶系,产品颗粒形状比较规则,分散性较好,粒径在0.6μm~1.2μm之间。荧光光谱测试表明,用eλx=270nm激发样品,其发射光谱为一宽带,最大峰位于468nm。以=λ468nm激发样品,得到的Sr2CeO4激发光谱也为一宽带,最大峰位于283nm,这个宽带来源于C e4 -O2-的电荷迁移。Sr2CeO4的荧光强度随辐射功率和时间不同发生变化,其中以功率560W、反应时间60m in时荧光强度最强。     

钠离子对KNa4B2P3O13: Sm荧光粉发光性能的增强作用研究

通过高温固相法在硼磷酸盐KNa₄B₂P₃O₁₃基质中掺杂稀土Sm3+离子获得橘红色发光性能,研究了电荷补偿剂Na+对该荧光粉发光性能的影响,开展了粉末X射线衍射、红外光谱、紫外可见漫反射、荧光光谱、荧光寿命及量子效率等测试对材料的物相、形貌和发光性能进行了表征。研究结果表明,该荧光粉的荧光发射源于Sm3+的4G_5/2→6H_5/2（562 nm）、4G_5/2→6H_7/2（598 nm）和4G_5/2→6H_9/2（645 nm）跃迁,Na+的掺杂没有改变Sm3+特征发射峰的形状和位置,增强了其发光强度。Na+浓度为1%时,可使发光积分强度提高48%。此外,掺杂Na+对荧光粉的寿命和色坐标无明显影响,其色坐标均位于橘红色区域。      

蓝光激发锡酸盐红色荧光粉的光谱性能

采用高温固相法合成了Sr2-xSnO4∶Eu3+x系列红色发光粉,该荧光粉属于四方晶系结构。以465 nm的蓝光激发样品,Sr2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉发射红光,以Eu3+的5D0-7F2电偶极跃迁发光最强。该材料能非常好地吸收465 nm波长的光。研究了激活剂Eu3+的浓度对Sr2-xSnO4∶Eu3+x样品发光性能的影响。结果表明,Eu3+的最佳掺杂浓度为5%。     

溶胶-凝胶法制备Ca3Al2O6：Eu3+红色荧光粉及其发光性能

采用溶胶-凝胶法合成Ca3Al2O6：Eu3+红色荧光粉,通过XRD、SEM、荧光光谱分别对样品的结构、形貌以及发光性能进行表征,讨论煅烧温度、Eu3+掺杂浓度以及电荷补偿剂对样品发光性能的影响.结果表明：实验所得样品的结构与Ca3Al2O6相同,Eu3+掺杂并没有改变其晶体结构.合成的荧光粉在394 nm近紫外光激发下发出615 nm明亮的红光.样品的红光强度随着煅烧温度的升高先增加后减弱,最佳烧结温度为1200℃.同样红光强度也随着Eu3+掺杂浓度的增加先增加后减弱,最佳Eu3+掺杂浓度为4%（摩尔分数）.加入电荷补偿剂后样品的发光强度均增强,其中加入K+后发光增强的效果最显著.该铝酸盐红色荧光粉性质稳定,在白光LED近紫外芯片激发中具有潜在的应用.     

白光LED用LaF_3:Eu~(3+)红色荧光粉的制备与表征

采用水热法制备具有单一相六方晶系的LaF_3:Eu~(3+)纳米荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、光致发光光谱(PL)和荧光衰减曲线对LaF_3:Eu~(3+)纳米荧光粉进行表征. LaF_3:Eu~(3+)荧光粉的激发光谱主要由250 nm处的宽带(O2-→Eu3+的电荷转移跃迁)和一些尖峰(Eu3+f-f跃迁)构成,其中位于近紫外区396 nm处有一较强的激发峰.通过发射光谱探测Eu3+在LaF3晶体中的局部晶场环境.在298 K下激发光谱和发射光谱可知,在六方晶系的LaF3纳米晶体中的Eu3+晶格位置从D4h降至到C2v,这是由于晶格变化所造成的.在396 nm激发下,观测到较优掺杂浓度为10%的LaF_3:Eu~(3+)荧光粉在591 nm(5D0→7F1跃迁)处有强烈的红色发射峰.其发光性能表明,LaF_3:Eu~(3+)红色荧光粉在近紫外发光二极管领域具有潜在的应用价值.     

溶胶-凝胶法制备Sr2SiO4:Tb3+绿色荧光粉及其发光性能

采用溶胶-凝胶法合成了一系列适合紫外-近紫外激发的(1-X)Sr₂SiO₄:XTb3+(X=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06)绿色荧光粉,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了样品的结构及发光性能.由XRD的检测结果可知,合成样品属于单斜晶系的β-Sr₂SiO₄相.由SEM图可知,所有样品都呈无规则块状结构.当监测波长为546 nm,样品的激发光谱的主峰位于370 nm处,属于Tb3+的4f-4f特征跃迁吸收.当激发波长分别为285 nm和250 nm,所有样品在488 nm,547 nm,586 nm,623 nm处都出现了1个强发射峰,分别对应Tb3+的5D₄→7F₆、5D₄→7F₅、5D₄→7F₄和5D₄→7F₃电子跃迁.最强发射峰位于547 nm处,呈现特征为绿光发射.随Tb3+掺杂量增大,发射强度呈现出先增大后减小的变化趋势,即存在浓度猝灭效应.当Tb3+掺杂量为X=0.03时,样品的发光强度最大.      

NaGd(WO4)2∶Sm3+荧光粉的制备及光致发光

采用高温固相法制备了NaG,d(WO4)2∶Sm3+红色荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光光谱(PL)对样品的物相、形貌及发光性能进行了表征.结果 表明,合成的NaGd(WO4)2∶Sm3+红色荧光粉为四方晶系,白钨矿结构.激发光谱中,位于405 nm和420 nm的激发峰分别归属...