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采用WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿CdGeAs2晶体在320~620 K温度范围内的热膨胀行为, 探索了CdGeAs2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa 和αc 发现, αa >>αc >0, 表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法, 拟合出CdGeAs2晶体的晶格常数(a, c)与温度(T)的函数关系式, 与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2-c/a, Cd-As 键长(lCd-As)和 Ge-As 键长(lGe-As)以及相应的热膨胀系数αCd-As和αGe-As。结果表明, a、c、δ、lCd-As、lGe-As和αCd-As均随着温度的升高而增大, c/a和αGe-As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd-As是αGe-As的6.36倍, 是造成CdGeAs2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。 相似文献
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近年来,我们研制了一种应变片式的小载荷传感器,并经有关单位鉴定,认为结构简单,性能稳定,使用方便。一、原理及构造小载荷传感器由四片弓形弹性元件组成,结构形式见图1(a)。在每个弓形弹性元件上钻有小孔。应变片粘贴在孔边,并接成图1(c)的 相似文献
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在30℃~300℃温度范围内利用二维广角X射线、显微红外光谱(FT-IR)和偏光显微镜原位检测升温过程中脱胶桑蚕丝微观结构的变化。结果表明,升温过程中,晶格的膨胀系数沿a轴和b轴表现出明显的各向异性,具有氢键作用的a轴方向晶格膨胀系数远远小于b轴方向;温度<180℃时,蚕丝结晶度变化不明显,但温度≥180℃,结晶度开始升高,部分分子链由无规线团构象向β-sheet构象转变;由于纤维的炭化,280℃以后蚕丝的结晶度开始显著下降;整个加热过程中,晶体的取向度略微增加。 相似文献
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碳结构材料:高性能结构材料的寻求 总被引:1,自引:1,他引:0
一引言结构用炭材料,一般是以石墨为主构成的晶体材料。正象本特集中许多著者描述的那样,石墨具有sp~2杂化轨道,由σ电子构成的共价键为六角网平面及由π电子构成层面间比较弱的键,而形成极端各向异性的材料。这种极端各向异性的结晶组合极大地左 相似文献
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在如图1(a)、(b)所示的小零件加工中,由于平面在零件内部,加之零件结构小,给平面对内孔垂直度的测最带来一定困难。各加工单位往往采用如图2(a)、(b)所示的方法测量。 相似文献
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Nd:NaBi(WO4)2晶体光谱性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用提拉法生长出了四方晶系白钨矿结构的掺钕钨酸铋钠[分子式Nd:NaBi(WO4)2,简称Nd:NBW]晶体.通过TG-DTA分析得到晶体的熔点为936.2℃,从XRD分析得到晶胞参数a=b=0.5275nm,c=1.1493nm.测试了该晶体的红外光谱和拉曼光谱,讨论了晶体的振动归属.由吸收光谱可以看出,该晶体在802nm有较强的吸收峰,半峰宽约16nm,并计算了晶体中Nd3 的吸收截面积. 相似文献
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运用离子束辅助沉积技术在不同的离子束入射角(0°,15°,30°,45°,60°,75°)下,制备了的FexCr1-x合金薄膜(x=50,67),并对其微结构和磁性进行了研究.在两组不同成分的薄膜中,均发现仅在入射角为45°时,垂直于膜面的方向上出现了(002)择优取向,且伴随着膜面的平面磁各向异性,而在其他角度的情况下,无择优取向及平面磁各向异性获得.根据择优取向的形成机制,斜入射的离子束在沉积过程中起到了混合及沟道效应的作用. 相似文献
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按照K2Se:K2Te2:MnCl2@4H2O:SnCl2 2H2O:Se:乙二胺(en)=3.8:1:2:2:6:270的摩尔比配料,采用溶剂热法使原料混合物在180℃反应7 d,得到黑色块状晶体[Mn(en)3]2@Sn2Se4Te2.属于三斜晶系,空间群为P-1,晶胞参数a=0.91428(7)nm,b=1.02781(7)nm,c=1.15745(8)nm,α=94.632(2)°,β=100.944(2)°,γ=115.918(1)°,V=0.94382(12)nm3,Z=1.晶体由[Mn(en)3]2+和(Sn2Se4Te2)4-堆积而成.具有Zintl结构的特征半导体[Mn(en)3]2@Sn2Se4Te2的光学能隙(Eg)为2.2 eV.当温度低于190℃时,[Mn(en)3]2@Sn2Se4Te2晶体是稳定的.详细讨论了这类化合物的组成对晶体结构和光吸收性能的影响. 相似文献
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撰写本文的目的在于提高测量者的测量素质。一、瞄准精度瞄准精度是指测量者通过肉眼视觉使测微计活动分划板的刻线与正方形压痕对准的程度。据分划板刻线形式的不同,对压痕瞄准的部位不同,图1为常见分划板刻线形式。按分划板刻线形式,瞄准方式有两种: 1.尖端瞄准式[如图1(a)、(b)、(c)、(d)所示]:刻线对压痕的尖端瞄准。 2.棱边瞄准式[见图1(e)、(f)、 相似文献
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压电陶瓷各种振动模的机电耦合系数K,均可用下列近似公式(1)(2)进行计算:式中 fn──最小导纳频率,fm──最大导纳频率, 系数a,b随振动模式而异,对于非刚度模的横向长度伸缩振动模式(k31),a=0.405,b=0.595[1];对于非刚度模的圆片径向扩张模式(kp),a=0.399, b=0.581[3]该近似公式,在大多数情况下,具有误差小于1%的良好精度。 采用传输线路法(4)测得振子的fn和fm后,即可按(1)式来计算相应的k。因为同时要测定fn和fm,该法也称共振──反共振法。 对于高机电耦合系数的压电陶瓷,用传输线路法来测定fn时,由于寄生振动模式的存在,有时往往会发生… 相似文献
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通过采用水热合成法得到了二种具有纳米筛孔的氧簇化合物Na[Fe2(O2H3)Mo2O8](Ⅰ)和(NH4)[Fe(Mo
O4)2](Ⅱ).晶体(Ⅰ)属于单斜晶系,空间群为C2/m,晶胞参数为a=9.5450(17),b=6.4381(9),c=0.76405(12)nm;β=116.128(4),Z=2,R1=0.0219,Rw=0.0756.晶体(Ⅱ)属于正交晶系,空间群为Pnma,晶胞参数为a=1.4782(3),b=0.56774(11),c=0.87653(18)nm;Z=4,R1=0.0212,Rw=0.0513. 相似文献