弯波导呼吸区结构1.3μmInGaAs／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎ－ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二级管，分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计，在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入光的强度比率仅     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

1．3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射率矢量束传播方法模拟

束传播方法广泛的应用于无源波导器件的模拟与设计．为了能够模拟有源器件，例如金属包层波导和超辐射发光二极管（ＳＬＤ），我们将复折射率引入其中，器件的增益和吸收通过折射率的虚部来描述．用复折射率的有限差分矢量束传播方法，我们对１．３μｍ直条形吸收区ＳＬＤ进行了模拟与设计，并且给出一种新结构．     

1.3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射矢量束传播方法模拟

束传播方法广泛的地无源波导器件的模拟与设计，为了能够模拟有源器件，例如金属包层波导和超射发光二极管（ＳＬＤ），我们将复的射率引入其中，器件的增 吸收通过折射率为描述，用复折射率的有奶差分敌意一束传播方法，我们对１．３μｍ直条形吸收区ＳＬＤ进行了模拟与设计，并且给出一种新结构。     

YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

含La或Sm的BaNd_(2-y)R_yTi_(4+x)O_(12+2x)瓷的结构与性能

ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２系富钛区含Ｌａ或Ｓｍ的陶瓷,ＸＲＤ、ＳＥＭ显微结构分析表明,其主晶相为Ｒ（Ｒ＝Ｌａ或Ｓｍ）取代Ｎｄ固溶体ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４和ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ４Ｏ１２,均属斜方晶系,并存在少量的次晶相Ｒ２Ｔｉ２Ｏ７、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０等。富钛区ＢａＮｄ２Ｔｉ４＋ｘＯ１２＋２ｘ（ｘ＝０～１．４００）组分和含Ｌａ或Ｓｍ的ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４组分所组成的瓷料,介质损耗显著地降低,介电常数和电容温度系数遵从李赫涅德凯对数混合定律。     

用LPE研制的室温连续工作的1．48μm单量子阱激光器

利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长为２００μｍ，ＣＷ，１３℃）。激射波长为１．４８μｍ，最高输出功率达１８．８ｍＷ（Ｌ＝２００μｍ．ＣＷ，１８℃）。脉冲输出峰值功率大于５０ｍＷ（脉冲宽度１μｓ、频率１ｋＨｚ），未见功率饱和。量子阱的阱宽为２０ｎｍ［１］．     

双频/GSM 3.6 V集成功率放大器

Ｍ ｏｔｏｒｏｌａ公司的 ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源（３．６Ｖ）ＲＦ集成功率放大器,设计用于ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于３频ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００装置。３．６Ｖ下的典型特性是：ＧＳＭ：Ｐｏｕｔ＝３５．８ｄＢｍ, ＰＡＥ＝５３％;ＤＣＳ： Ｐｏｕｔ＝３４ｄＢｍ, ＰＡＥ＝４３％。它具有一个宽频带（９００－１８００ＭＨｚ）内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经２级缓冲器放大后的ＲＦ整流（见图１）。这种方法消除了采用ｄｃ／ｄｃ…     

All Optical Wavelength Conversion from 1.3μm to 1.55μm Using Two-segment DFB Lasers

ＡｌＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎｆｒｏｍ１．３μｍｔｏ１．５５μｍＵｓｉｎｇＴｗｏ－ｓｅｇｍｅｎｔＤＦＢＬａｓｅｒｓ①ＬＵＯＢｉｎ，ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ，ＣＨＥＮＪｉａｎｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅ...     

端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响

报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长γｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％￣９０％），Ｉｔｈ可降低３．８￣５．１ｍＡ，γｐ加长４ｎｍ左右；端镜面镀增透膜ＡＲ（反射率Ｒ１＝１０％￣１５％），Ｉｔｈ将增加３ｍＡ，波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。     

高质量的一级光栅1．55μmDFB激光器

本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—ＬＤ）。外延片成品率＞４０％。器件特性：２５℃时阈值电流２０ｍＡ，单面光功率＞１０ｍｗ，主边模抑制比ＳＭＳＲ达４３ｄＢ（λ／４相移光栅），谱线宽度△ν－２０ｄＢ＝０．３ｎｍ，调制速率＞１．８ＧＨｚ。可靠性测试显示：高温监测光谱稳定，２５°Ｃ时阈值退化率△Ｉｔｈ／ｔ＜０．３ｍＡ／ｋｈ，对应器件预估寿命将超过１０万ｈ。     

NEC为1G DRAM开发最小的存储单元

ＮＥＣ为１ＧＤＲＡＭ开发最小的存储单元日本ＮＥＣ公司已为１ＧｂＤＲＡＭ开发了世界上最小的ＤＲＡＭ存储单元─０．３７５μｍ２。这种单元与在ＩＳＳＣＣ９５＇上宣布的用在１ＧｂＤＲＡＭ样品的单元有所不同，这种０．３７５μｍ２的单元技术包括对角开位线结构，相...     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

NEC、日立在ISSCC上发表1GDRAM

ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单...     

低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长

本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．     

世界最小的1G DRAM存贮器单元

世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元日本ＮＥＣ公司采用０．２μｍ电子束曝光技术研制成功世界最小的１ＧＤＲＡＭ存贮器单元。单元面积为０．３７５μｍ２。该公司采用了如下技术：①高密度存贮器单元结构，即ＤＢＬ（对角位线）单元结构；②适用低电压工作的边缘工作晶体...     

Si基Ge0.85Si0.15异质光电二极管

采用低温生长缓冲层,高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层,以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ,峰值波长位于１．０６μｍ,暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ）,在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。     

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ＡＤ５２６软件可编程增益放大器特点·数字化可编程二进制增益１～１６·双片级联可实现二进制增益１～２５６·增益误差最大值０．０１％，Ｇ＝１，２，４（Ｃ级）最大值０．０２％，Ｇ＝８，１６（Ｃ级）温度漂移０．５ｐｐｍ／℃·快速建立时间１０Ｖ信号阶跃；在４．５μｓ内达０．０１％（Ｇ＝１６）增益变化：在５．６μ８内达０．０１％（Ｇ＝１６）·低线性误差；最大±０．００５％ＦＳＲ（Ｊ级）·优良的直流特性失调电压最大值：０．５ｍＶ（Ｃ级）失调电压漂移：３μＶ／℃（Ｃ级）·ＴＴＬ兼容数字输入；可提供ＳＭＤ军品ＡＤ…     

用于1．2μmCMOS70MS／sADC阵列中的一种10位5MS／s逐次逼近ADC单元

用于１．２μｍＣＭＯＳ７０ＭＳ／ｓＡＤＣ阵列中的一种１０位５ＭＳ／ｓ逐次逼近ＡＤＣ单元＝Ａ１０－ｂｉｔ５ＭＳ／ｓｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎＡＤＣｃｅｌｌｕｓｅｄｉｎａ７０ＭＳ／ｓＡＤＣａｒｒａｙｉｎ１．２μｍＣＭＯＳ［刊，英］／Ｙ...