ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功填补国内空白

据媒体报道,中科院微电子所依靠独立开发的全新技术,近日成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米     

SiO2纳米颗粒复合Bi2Te3纳米线阵列的制备

为结合一维纳米材料和纳米颗粒复合材料的优点,本文尝试进行了在氧化铝模板(AAO)中生长Bi2Te3-Si O2纳米颗粒复合纳米线阵列。通过在电化学溶液中添加Si O2纳米颗粒,制备包含纳米颗粒的Bi-Te纳米线阵列。应用XRD、SEM、TEM等方法对合成的样品进行了分析观察。研究发现Si O2纳米颗粒的加入对纳米线的形貌和结构都有明显的影响。在模板法沉积Bi2Te3纳米线阵列时,添加Si O2纳米颗粒将明显改变纳米线生长方式,Bi2Te3纳米线不再是等径的纳米棒,而是枝晶生长过程,最后形成Z字型的不断反复弯折纳米线,该枝晶状纳米线的直径远小于模板的孔径。这一新颖的现象为制备直径更小,并具备精细界面结构的纳米线热电材料提供了一种新的可能途径。     

Ag(TCNQ)纳米线的制备和电学特性研究

提出了一种新的制备有机金属配合物纳米线的方法,即饱和蒸气反应法,并解释了它的生长机理。用这种方法制备的Ag(TCNQ)[TCNQ,tetracyanoquinodimethane]纳米线(棒)基本垂直于基板。截面近似呈方形,边长<100nm,长度(高度)可控,生长温度低(≤120℃),因而在实际应用过程中容易与其它工艺兼容。在STM针尖和导电AFM针尖电场作用下这种纳米线(棒)具有电双稳特性,预期在纳米电子学方面有广泛的应用前景。     

金属氧化物纳米线和纳米棒的制备及应用

本文综述了金属氧化物纳米线、纳米棒研究的新进展。重点评述了气相热化学合成法、热分解前驱物法、溶胶-凝胶电泳沉积法制备纳米线的过程及各自的生长机制，并对金属氧化物纳米线／棒的潜在应用作了介绍。     

一维V2O5纳米材料的研究进展

一维V2O5是一种非常重要的纳米尺度的材料，可广泛应用于催化剂、电致变色器件、电化学、场效应管、传感器、自旋电子器件以及纳米光刻模板等领域，综述了不同形态的一维V2O5纳米材料（包括纳米线、纳米棒、纳米管、纳米带）的制备方法及其电、磁、电化学和光学性质的最新研究进展。     

化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒

采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的直径在50～200nm之间,纳米棒的直径在200～800nm之间.     

铜纳米棒和纳米线控制生长的条件研究

利用CuSO4·5H2O和NaOH为原料，一种六元脂肪族醇为还原剂，X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）为主要表征手段，研究了不同水热条件下铜的还原。结果表明，水热条件变化时，可以得到形貌各异的氧化亚铜和金属铜。其中，当n（OH）：n（Cu^2＋）=4，加入醇的物质的量等于Cu^2＋的物质的量，水热温度为180℃，反应时间为20h时，得到产物经X射线衍射分析确定为金属铜，扫描电镜照片显示在产物中有纳米棒和纳米线形成，纳米棒的直径在100-500nm不等，长径比在50以上，而纳米线比纳米棒更细，蜿蜒曲折，柔韧性较好。     

纳米生物传感器的研究进展

本文简要概括了纳米材料在生物传感器中的应用，综述了近年来各类纳米生物传感器的研究进展，包括纳米颗粒生物传感器，纳米管生物传感器，纳米线、纳米棒生物传感器、纳米纤维生物传感器。     

二氧化钛有序纳米阵列染料敏化太阳能电池光阳极的研究进展

介绍了染料敏化太阳能电池(DSSC)的结构和基本原理,综述了近年来作为DSSC光阳极的TiO2纳米管、纳米线、纳米棒阵列的制备工艺进展,重点介绍了阳极氧化法制备纳米管和水热法制备纳米线和纳米棒.阐述了通过改进TiO2纳米管提高DSSC效率的几种途径,包括优化纳米管的尺寸、改善纳米管的输运性能、在透明基板上生长纳米管、对纳米管进行表面修饰等.最后展望了TiO2纳米阵列DSSC的研究方向.     

室温水溶液法制备铜纳米线(英文)

本文报道了一种在水溶液中室温下方便地制备铜纳米线的方法。发现反应过程中会先形成小的铜纳米颗粒,在乙二胺的取向诱导作用下这些小的纳米颗粒能生长成纳米线。可以经过离心过程使产物(产物一般是铜纳米线和纳米颗粒的混合物)得到纯化。用透射电子显微镜(TEM)对所得铜纳米线进行了表征,发现这些铜纳米线的直径约85纳米,长度可达几十微米。研究还发现所得铜纳米材料的形状与反应温度密切相关。本文也对可能的铜纳米线形成机理进行了讨论。     

多元醇水热还原所得微纳结构铜的形貌研究

以CuSO4·5H2O和NaOH为主要原料，一种六元脂肪族醇为还原剂，在不同水热条件下，分别得到铜的纳米棒、纳米线、叶状和六角状等形貌，用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）表征，结果说明，几种条件下所得的产物都是不含杂质的金属铜。     

一维碳化硅纳米材料的研究进展

介绍了具有一维纳米结构的碳化硅(SiC)如SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带的制备方法,着重介绍了碳纳米管模板生长法、碳还原法、激光烧蚀法、电弧放电法、流动催化剂法和热解有机前驱体法以及它们的生长机理,并对这几种方法的优缺点进行了分析,指出了目前研究一维纳米SiC中存在的问题和未来发展方向.     

中美合作成功合成新型超长分等级的氧化钒纳米线

<正>据媒体近日报道,哈佛大学与武汉理工大学的研究人员合作,从单结晶氧化钒纳米棒,通过电纺丝与退火相结合的工艺,釆用低成本的原材料,合成了新型超长分等级的氧化钒(V2O5)纳米线。与用水热方法合成的自聚集的短的纳米棒相比,这种超长分等级的氧化钒(V2O5)纳米线呈现出很高的能力和改进的循     

具有四角状棒-线结构纳米氧化锌的制备和性能

用气相氧化法合成出具有纳米棒-线结构的ZnO纳米材料.扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)观察和X射线衍射谱(XRD)的分析表明:四角状ZnO纳米材料具有六方纤锌矿晶体结构,在棒-线纳米结构中,每个角的长度为1～2 μm,纳米棒的直径为100～200 nm,纳米线的直径约为30 nm.用气-固(VS)生长机制解释了棒-线纳米结构的形成.与ZnO大块材料不同,四角状ZnO纳米棒-纳米线材料在室温下具有～380 nm波长的紫外发射和～520 nm波长的绿光发射,其机理是晶体中杂质与结构缺陷少,以及与其纳米尺度相联系的量子限域效应.     

静电纺丝法制备氧化物纳米纤维及其气敏特性

静电纺丝技术由于简单的装置和制备过程,以及所使用材料的多样和应用领域的广泛,被认为是制备纳米纤维材料最具发展潜力的方法.简述了静电纺丝技术和影响纺丝质量的相关因素;介绍了静电纺丝制备半导体氧化物纳米纤维的方法及纳米纤维在气体传感器领域的应用;比较了几种纳米纤维和纳米线纳米棒等气敏元件的敏感特性;最后分析了纳米纤维具有优...     

ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外，ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来，并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节，有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状，分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。     

纳米单晶α—Fe功能材料的力学性能及破坏机制

基于修正的镶嵌原子势建立了单晶α-Fe一维纳米线、二维纳米超薄膜和三维纳米固体3种纳米功能材料的物理模型，并采用分子动力学方法研究了其力学性能和变形破坏机制,模拟表明自由表面是影响纳米材料力学行为和睦能及破坏机制的重要因素之一。受自由表面断键影响，纳米线和纳米薄膜存在初始应力，系统平均原子能量高于纳米固体；纳米线和纳米薄膜的破坏从表面晶格开始向内部扩展，而纳米固体的拉伸破坏从内部晶格开始。研究得到α-Fe单晶2．87nm×2．87nm纳米线、2．87nm厚的纳米超薄膜和三雏纳米晶固体的屈服强度、拉伸断裂强度和初始拉伸刚度（弹性模量）及可承受变形。纳米金属功能材料的拉伸本构关系与宏观多晶金属相似，存在软化阶段，无明显应力强化过程，与实验结果吻合。     

ZnO纳米线/棒阵列结构制备原理及方法概述

概述了ZnO纳米线/棒阵列结构的用途、制备原理和方法,重点介绍气相合成法和液相合成法中的几种典型制备ZnO阵列结构方法。展望了ZnO纳米线/棒阵列结构的发展方向及应用前景。     

透明Ag纳米线电极的后处理优化及性能

采用优化的多元醇制备工艺,以乙二醇为溶剂和还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂,CuCl_2为控制剂,合成了超长的Ag纳米线。利用旋涂工艺在玻璃基板上制作了透明的Ag纳米线薄膜电极,系统研究了退火温度和模压力对Ag纳米线电极透过率及导电性的影响。结果表明,当退火温度为200℃、压力5 MPa时,Ag纳米线在保持光线透过率损失很小的条件下薄膜阻值由3200Ω/□可优化至17Ω/□。薄膜电极导电能力的提高主要源于在较高退火温度和压力双重作用下纳米线外层包裹的PVP层的去除,实现了纳米线交叉点互焊与互联。研究了未处理和预处理工艺对Ag纳米线电极上沉积的ZnO纳米棒的形貌和场发射特性的影响。结果显示:经预处理的透明电极表面沉积的ZnO呈有序棒状排列,而未处理的样品展现出无序形貌;场发射测量显示纳米线电极预处理方法可有效降低ZnO纳米棒开启场强。     

纳米ZnO的光催化和光致发光性能

纳米ZnO的制备方法、生长机理、性能及应用已被广泛研究并取得很大进展,尤其是纳米ZnO的光催化降解及光致发光因具有广阔的应用前景而引起高度重视.着重介绍了目前国内外ZnO纳米粒子的光催化、降解和纳米线/棒的光致发光性能的研究及成果.