抛光方法对硅片表面Na、Ca、Fe杂质及有关电性参数的影响

文章简要地介绍了国内外的同行业对抛光硅片表面所作的大量测试分析工作,着重介绍用MOS高频C-V测试、二极管平面结特性测试和离子探针分析器对SiO_2溶胶抛光、Cu离子/SiO_2溶胶抛光、Cu离子抛光和Cr离子抛光等工艺制作的硅片表面进行的测试分析和比     

镁合金抛光机理与CMP工艺研究

将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理,抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响,利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察,通过合理控制工艺参数,能够得到较佳的镁合金抛光表面,远优于单一的机械加工,为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。     

镁合金抛光机理与CMP工艺研究

将化学机械抛光（CMP）技术引入到镁合金片（MB2）的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理,抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响,利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察,通过合理控制工艺参数,能够得到较佳的镁合金抛光表面,远优于单一的机械加工,为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。     

快速抛光与无环氧相结合的光纤连接器组装

玻璃纤维光学系统的一个一直最不引人注意的情况是组装连接器所需的时间与熟练的技术水平。通常,工业上已提供出两种连接器来应付此问题。第一种是具有快速抛光或根本无须抛光的连接器。这些连接器仍然用环氧固定光纤。即使是纤维光学用的固化最快的环氧也需要5—30分钟的调整时间。第二种连接器则用压接技术取代环氧,但这种连接器需要3—5分钟的抛光。 AMP(Harrisburg PA)公司用无环氧组件和快速抛光程序研制出首批细玻璃光纤连接器,定     

碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究

在对硬盘基板CMP机理进行分析后,采用河北工业大学研制的计算机硬盘抛光专用碱性抛光液,选择氧化剂添加量、抛光压力两个重要参数分别进行实验,讨论它们在两步抛光方法中的重要作用。总结实验结果后,得出了上述两个参数在两步抛光方法中的影响规律,提出粗抛光中,应该采用较高氧化剂添加量和抛光压力以得到较高的去除速率和一定的表面质量;精抛光中,应该采用低氧化剂含量、低抛光压力以得到较完美的表面质量。用此方法抛光,较好地解决了当前硬盘基板加工中抛光速率与表面质量之间的矛盾。     

无蜡抛光新工艺

无蜡抛光工艺是天律半导体技术研究所研制成功的新工艺.它是用一种含有玻璃纤维、树脂等多种材料特制抛光片,片上根据欲抛光单晶片的直径、厚度的需要,制成凹槽备用.此片能牢固地粘在抛光的金属载体上,在凹槽处轻轻涂上一层纯水,即可把单晶片吸附,进而抛光.原来国内半导体器件研制和生产单位,大都沿用旧工艺,把蜡加热后用以粘单晶片抛光,即使是条件较好的单位有使用无蜡抛光片的,也是用外汇高价从国外引进.     

GGG晶体抛光技术

抛光大直径钇镓石榴石(GGG)表面的技术是一种机械化学抛光法。这里报导的主要是机械工艺方法,先将大直径的GGG样品,用一种抛光沥青粘着剂,粘着到派勒克斯硬玻璃衬底中心,先消除锯痕,利用100号粗砂砂轮和水研磨除去几百毫米,确定一个起始表面。抛光采取三个步骤。第一步退灰色,用大约7％的3μm金钢砂粉与二醇混合剂和一个滴液     

红外材料硅透镜加工工艺研究

随着红外空空导弹的发展,红外光学材料单晶硅得到了广泛的应用.介绍了单晶硅材料加工透镜的工艺过程,着重研究了硅透镜的抛光技术,通过使用不同的抛光粉及抛光模层材料,找到了加工硅透镜的最佳工艺匹配条件.实验结果表明：使用SiO2胶体配制的抛光液（PH10～11）及用抛光布制成的抛光模,采用机械-化学方法抛光出的零件表面疵病达到Ⅲ级（GB 1185-74）,并能够通过修改抛光模控制光圈及光圈误差,加工出的硅透镜满足导弹光学系统的要求.     

用X射线双晶及三晶衍射仪测量晶片的研磨和抛光损伤

介绍了用X射线双晶及三晶衍射仪检验半导体晶片研磨及抛光损伤的原理及方法.利用双晶衍射结合腐蚀剥层方法能够定量测定晶片研磨损伤层深度.提出用双晶及三晶衍射方法可以非破坏性地检验晶片的抛光质量,并能比较不同抛光工艺的效果.采用建议的三晶衍射方法检验多种不同晶片时,可以不必更换参考晶片,因而有迅速、方便的优点.     

金刚石制品在金相制样中的应用

本文重点介绍了湿法制样和用人造金刚石研磨膏抛光金相试样的技术.此外,还介绍了金刚石磨料的优点、选择要求以及国外某些用金刚石制品制备金相试样的专用设备和材料(新型研磨盘和多层抛光布等).     

用金刚石磨削抛光CdTe表面

半导体晶片的制备一般采用湿磨膏机械抛光、腐蚀的方法,或者用化学机械抛光法。本文叙述一种新的干法技术,用以抛光闪锌矿结构的化合物。该方法是用一金刚石棱抛光切出的具有一定取向的半导体表层。这种工艺技术通常用于把大面积红外光学扫描系统中的铝表面抛光到所要求的高光洁度。已经发现,使用这一工艺技术来制备供液相外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜时用的CdTe衬底是非常有益的。     

离子束抛光硅片纳米级微观形貌的原子力显微镜研究

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究多种Ａｒ￣＋离子抛光参数Ｓｉ（ｌｌｌ）表面的微观粗糙度和三维微观形貌特征，发现用离子束抛光方法可以显著地改善硅片表面的微观粗糙度，抛光效果与离子束能量、束流强度、抛光时间和束流入射角度等有关。用４００ｅＶ离子能量、１００ｍＡ束流强度、６０°入射角离子束照射２小时后再改用３５０ｅＶ、８０ｍＡ束流强度以同样入射角照射２小时的样品，在１μｍ×１μｍ范围表面微观粗糙度（ＲＭＳ）值可达到０．３ｎｍ左右。而当小入射角（＜２０°）照射时抛光效果很差，其表面明显地呈现出直径约几十到几百ｎｍ凹坑的蜂巢状形貌特征。     

氧化铝陶瓷的表面处理对爬弧特性的影响

经过系统的研究，我们已经弄懂了高纯多晶氧化铝陶瓷表面光洁度与表面爬弦特性之间的关系，机械加工的样品一般用碳化硅砂轮（６０到６００粒度）和金刚石研磨膏（１５到０．２５μｍ）进行机械抛光，使用碳化硅砂轮抛光的样品显示线性关系，击穿强度随表面粗糙度的下降而增加，然而，经过金刚石研磨膏抛光的样品没有显示出相似的特性，我们发现用金刚石抛光样品所采用的抛光顺序对样品表面的击穿特性有很大的影响，采用习惯的正向顺     

HgCdTe材料的溴-甲醇抛光工艺研究

碲镉汞(HgCdTe)红外探测器制备中的化学-机械抛光工艺会在碲镉汞材料表面形成一定深度的损伤层。用溴-甲醇化学机械抛光取代溴腐蚀工艺,有效地降低了抛光过程所产生的表面损伤。在溴-甲醇抛光工艺中,可变参数有溶液的浓度比、抛光时间、转盘转速等,不同的参数组合对于抛光效果有不同的影响,经过正交试验可以以较少的试验次数高效经济地得到最佳的溴-甲醇抛光工艺参数组合。以该优化参数进行抛光所得到的碲镉汞材料通过XRD测试以及Ar+刻蚀后表面形貌的测试表明,HgCdTe晶片表面剩余损伤大大减小。     

用于SAW器件制造的键合减薄技术

铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500 μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ～2λ(λ为声表面波波长).为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理.用粒径(φ)100 nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响.抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100 nm的SiO2抛光液,转速为120 r/min,压力为3.9N,抛光时间为40 min.经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468 nm,Rq=0.593 nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度).     

用椭圆光测量锑化铟表面光学常数

我们使用TP-77型椭圆偏振仪测量Insb表面的光学常数,并探讨了不同抛光方法对Insb折射率的影响。我们选定的入射角为70°。首先测量的样品是用绒布抛光的Insb。其表面有鱼鳞状斑纹。在读数显微镜下观察,其表面布满了黑洞。用椭偏仪测量了10个样品,其平均折射率为n=3.87_(-0.15)~( 0.1)消光系数为k=2.08_(-0.08)~( 0.01)。然后,又将样品用沥青盘抛光。抛光液为二氧化二铬,抛亮后的表面没有鱼鳞纹,其光洁度比用绒布抛光大大地提高。但若在光亮处仔细观察,表面上却布满了极细的亮划痕,可能与作为抛光液的三氧化二铬有关。若改用氧化镁作抛光液,其效果可能会更好。经过酒     

300mm硅片精密化学机械抛光机几何参数优化(英文)

对于评价用于极大规模集成电路(ULSI)生产的300 mm硅抛光片的表面质量,需要关注两个关键参数即:SFQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光机的验证过程中,我们发现为了提高硅片表面的几何参数,必须监控抛光前硅片的形貌,并根据不同的硅片表面形貌来改变抛光头的区域压力。通过深入分析抛光前硅片的表面形貌,我们发现当硅片形貌为凹陷形状时,抛光后的硅片表面将严重恶化。由此,根据每个硅片不同的形貌,我们用特殊设计的抛光头来调整背压的区域分布,然后再进行抛光。最终,经过抛光头区域压力调整后的硅片几何参数比调整前得到了大幅提升,并已经能够满足我们的产品指标并可以用于生产。     

大型光学玻璃超光滑表面加工技术

众所周知,影响抛光面反射系数的主要原因之一就是其表面的粗糙度。根据瑞利原理,抛光玻璃的分光散射度取决于入射光的波长及其入射角。 抛光表面的粗糙度受诸多因素的制约,这些因素包括:尺寸、形状、硬度、抛光粉的粒度吸附性、抛光玻璃的硬度、抛光机的机械性能、所用抛光液的性能及其与玻璃表面进行化学作用的能力以及抛光工艺因素等。 玻璃抛光工艺的种类,现主要有三种:细微研磨加工工艺,塑性流动加工工艺和理化作用加工工艺。每一种机械加工工艺基本概念是不同的,即实际抛光过程的作用原理及其影响到粗糙度大小是不一样的。 国内外科学家用多光束干涉法研究了对抛光玻璃表面,根据所供数据看,分辨能力达到0.3～0.5 nm,大小不规则程度约为2～6 nm之间。另外还有其他一些数据:例如,运用X光反射法得出了细微粗糙度为1nm的结论;运用FIZEAU干涉缟纹对抛光表面结构进行研究后得出了细微粗     

化学抛光InSb晶片的扫描电镜观测

本文选取5种腐蚀液对 InSb 晶片进行化学抛光。用扫描电镜(SEM)对抛光前后的 InSb 晶片进行了表面形貌、电子束通道图案、表面组分和杂质的对比观测,并对观测结果进行了讨论。实验结果表明:用乳酸液抛光可获得光滑平坦、In/Sb 原子比接近1的表面。     

兆声清洗法和离心喷射清洗法的比较

用基于改进的RCA清洗液结合兆声清洗法和离心喷射法清洗抛光的硅片,干燥后用激光扫描法测试抛光硅片表面颗粒.结果表明,改进的RCA清洗液结合兆声的清洗方法对于去除硅片表面的微小颗粒具有更高的效率.