等离子显示屏制作中的曝光技术

随着等离子显示屏制作技术的逐渐成熟，光刻技术在等离子显示屏的制作中也越来越重要了。本文论述了在等离子显示屏制作中影响曝光质量的相关因素，从曝光的主要影响因素进行分析阐述，并结合实例进行了分析论证。     

PDP制作中的曝光技术

随着等离子显示器(PDP)制作技术的逐渐成熟,光刻技术在PDP的制作中也越来越重要。本文论述了在PDP制作中影响曝光质量的有关因素,从曝光的主要影响因素进行阐述,并结合实例进行了分析论证。     

紫外线在等离子显示屏及其生产中的应用

在等离子显示屏（PDP）的生产过程中,紫外线（UV）技术被广泛应用。紫外线清洗、紫外线曝光、紫外线固化等都是十分重要的技术,同时紫外线技术也是一种有效保障PDP合格率的技术手段,文章介绍了紫外线在等离子显示屏及其生产中的应用。     

贴膜技术在等离子显示屏制作中的应用

在等离子显示屏的制作中,贴膜技术曾经起着重要的作用,为新材料的发展提供了机遇。本文结合等离子显示屏中贴膜技术的具体制作方法进行分析论述,探讨贴膜技术在显示屏制作中的应用及发展趋势。     

等离子显示屏PDP电源的设计

重点论述PDP控制电源的技术特点,详细介绍待机电源、PFC电路、寻址电源、逻辑电源之间的逻辑关系以及设计,同时对EMI、安规等进行设计.     

等离子显示屏用电子浆料砂磨工艺研究

介绍了等离子显示屏(PDP)电子浆料的制作方法及工艺流程,重点介绍了砂磨机在PDP浆料制作中的应用。研究了砂磨机主要工艺条件对PDP浆料分散性能、涂覆性能的影响,给出了相关的曲线图和实验表,提出了一些具有实用价值的参数。     

随意弯曲柔性OLED显示屏原型曝光

自从OLED（有机发光显示器）问世以来，关于OLED可实现的柔性显示（就是可以在不用的时候把它卷起来）甚少被人提及，如果你尝试将SONYXEL-1OLED电视对折．结局绝对是个悲剧。在一年一度的CES上。联合显示（Universal Display）公司终于向人们展示了柔性OLED原型，在此原型上，你可以随意弯曲折叠OLED显示屏．而不会影响显示屏的寿命和效果。     

投影曝光中图形的衍射花样

随着集成电路在几个平方毫米芯片内的集成度规模不断提高,图形的设计尺寸也越来越小.对于传统的投影曝光系统,欲保证曝光图形的保真度也越来越困难.这是因为图形失真的重要因素是光的衍射.     

掩模图形切割方式对曝光时间的影响研究

掩模生产过程中,数据处理为至关重要的一环,利用专用数据处理软件,将客户设计的图形数据进行图形分割后转换成满足不同曝光机台的数据格式。通过调整数据处理软件的相关参数来研究对激光束曝光机、电子束曝光机曝光数据图形切割方式(fracture)的影响。通过实验数据确认图形切割方式的改变对两种曝光机台曝光时间的影响,最后通过合理优化参数值,在保证图形稳定性的同时,缩短曝光机台曝光时间,达到提升生产效率的目的。     

LED显示屏在多画面显示监看系统中应用的可行性

通过分析液晶显示屏、等离子屏在多画面显示监看系统中的缺点,以及LED显示屏的优势,得出LED显示屏在多画面显示监看系统中更加适用。     

伺服图形预刻机亚微米光斑曝光技术

本文讨论利用激光器产生亚微米光斑、在涂有光刻胶的磁盘上曝光的有关技术．给出了伺服图形预（光）刻机的系统结构、光路及刻录头设计，提出了伺服图形微斑记录曝光模型．     

LED显示屏光安全与光污染的若干研究

文章首先对LED显示屏的光安全问题进行简要分析,在此基础上对LED显示屏光污染问题的解决途径进行论述,期望该研究能够对LED显示屏光安全问题的消除和光污染的防治有所帮助。     

基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法

提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。     

发光二极管各性能参数对LED显示屏显示效果的影响

本文分析了LED显示屏的核心器件——发光二极管的各种性能参数对LED显示屏显示效果的影响,针对分析的几点问题结合实际,提出了个人的看法。     

使用环境对LED显示屏寿命的影响

通过分析LED显示屏不同的使用环境来探讨它的可靠性和寿命。     

大幅提高ЭМ-5009Б激光图形发生器的曝光速率

根据ЭМ－５００９Б激光图形发生器的工件台运动方式, 介绍一种大幅度提高该设备曝光速率的方法     

高密度PCB设计给阻焊曝光带来的挑战——新设计和新设备的研究与应用

随着PCB向着高密集线和高精细度的方向发展,高密度设计的生产板也越来越来越多,这就给阻焊工序的生产尤其是阻焊对位曝光工段的生产带来了很大的挑战,现通过优化工具设计、规范工具管控、引入新功能设备、与设备商开发新设备来解决高密度板在阻焊工序所遇到的挑战,最终成功实现了量产应用.     

光刻胶对等离子腐蚀的影响

为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的腐蚀速率要比光刻胶掩蔽的高。推测由于光刻胶腐蚀产生的氯化碳物质是产生这些特性的原因。此外,我们发现,如果采用不受腐蚀的掩膜,那么在用氟化物等离子体腐蚀多晶硅时就有工种负载效应,但是光刻胶存在则抑制这种效应。