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GaN-第三代半导体的曙光 总被引:2,自引:0,他引:2
在半导体产业的发展中,一般将Si、Ge称为第1代电子材料;而将GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs及其合金等称为第2代电子材料;宽禁带(Eg>2.3eV)半导体材料近年来发展十分迅速,成为第3代电子材料,主要包括SiC、ZnSe、金刚石和GaN等。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和 相似文献
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《新材料产业》2013,(12):7-8
事件:继硅(si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力,因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外,第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点,因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料,而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。 相似文献
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正一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较,Si C具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1]。Si C是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一,Si C在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方 相似文献
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半导体激光器具有亮度高、传输距离远等优点,特别适用于特殊照明领域(如激光车灯、投影显示等)。简述激光照明的实现方式以及目前存在的主要问题,重点综述稀土、半导体、碳点3种荧光材料在激光照明中的研究进展。稀土作为目前最常用的激光照明用荧光材料,主要有稀土荧光粉、荧光陶瓷、荧光玻璃3种形式,具有光热稳定性高等优点,但资源不可再生和价格昂贵等限制了其进一步应用;半导体荧光材料主要有以CdSe和ZnS为代表的第二代半导体量子点材料、以SiC和AlN为代表的第三代半导体材料和钙钛矿材料,第二代半导体量子点材料和第三代半导体材料具有发光效率高、性能稳定等优点,但受限于成本和工艺,钙钛矿材料具有带隙可调、可获得稳定的自发辐射等优点,但含有毒性元素且对环境的高度敏感性导致其稳定性较差;碳点荧光材料具有发光波长可调、低毒性等优点,主要有光转换材料和增益介质2种形式,但目前在激光下的热稳定性欠缺。最后,对未来激光照明用荧光材料的发展前景进行展望。 相似文献
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作为第三代半导体材料的代表,氮化镓基半导体材料是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件,不仅带来了IT行业数字化存储技术的革命,也将推动通讯技术发展,并彻底改变人类传统照明的历史。[编按] 相似文献
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半导体材料是现代科技发展和产业革新的核心,随着高频、高压、高温、高功率等工况的日趋严峻及“双碳”目标的需要,以新型碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料逐步进入工业应用。半导体产业的贯通以及市场规模的快速扩大,导致摩尔定律正逐渐达到极限,先进封装互连将成为半导体行业关注的焦点。第三代半导体封装互连材料有高温焊料、瞬态液相键合材料、导电胶、低温烧结纳米Ag/Cu等几个发展方向,其中纳米Cu因其优异的导电导热性、低温烧结特性和良好的可加工性成为一种封装互连的新型方案,具有低成本、高可靠性和可扩展性,近年来从材料研究向产业链终端应用贯通的趋势非常明显。本文首先介绍了半导体材料的发展概况并总结了第三代半导体封装互连材料类别;然后结合近期研究成果进一步围绕纳米Cu低温烧结在封装互连等电子领域中的应用进行重点阐述,主要包括纳米铜粉的粒度、形貌、表面处理和烧结工艺对纳米铜烧结体导电性能和剪切性能的影响;最后总结了目前纳米铜在应用转化中面临的困境和亟待解决的难点,并展望了未来的发展方向,以期为低温烧结纳米铜领域的研究提供参考。 相似文献
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最近 ,深圳方大集团股份有限公司与中科院半导体研究所、南昌大学和深圳大学分别签署了第三代半导体材料及器件科研成果产业化协议。方大集团首期投资 8千万元 ,形成年产 1 .2亿只蓝光发光二极管的生产能力。中科院副院长严义损、江西省副省长胡振鹏、深圳市副市长郭荣俊和中科院院士潘际銮和郑厚植、中国工程院院士牛憨笨等出席了签字仪式 ,并高度赞扬这一高科技成果产业化举措。第一代和第二代半导体分别以硅和砷化镓为代表 ,而以氮化镓 (GaN)为代表的第三代半导体材料和器件是新兴半导体产业的核心材料和基础器件 ,在国外被誉为IT产… 相似文献
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