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利用3D有限元法分析了SiO2薄膜对ZnO/IDT/Si结构中瑞利波特性的影响,包括相速度(vp)、机电耦合系数(k2)和频率温度系数(τf)。结果表明,当hZ/λ=0.44时,ZnO/IDT/Si结构激发的瑞利波的机电耦合系数最大值k2max=2.38%,且vp=3 016 m/s,τf= -32.94×10-6 ℃-1。引入底层SiO2薄膜,即ZnO/IDT/SiO2/Si结构,瑞利波的机电耦合系数大幅提高,当hZ/λ=0.44,hsb/λ=0.25时,k2max=3.41%,且vp=2 801 m/s,τf=-11.43×10-6 ℃-1。继续引入顶层SiO2薄膜,即SiO2/ZnO/IDT/SiO2/Si结构,瑞利波相速度得到提高,但机电耦合系数随着SiO2厚度的增加而减小。当hZ/λ=0.44,hsb/λ=0.25,hst/λ=0.25时,k2=2.61%,vp=3 036 m/s,τf=18.44×10-6 ℃-1。双层SiO2薄膜的引入提高了ZnO/IDT/Si结构瑞利波器件的相速度、机电耦合系数,实现了温度补偿,因此,该结构可用于高机电耦合系数、高温度稳定性及低成本SAW器件的研制。 相似文献
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MOCVD生长的InGaN合金的性质 总被引:2,自引:2,他引:0
对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当的生长温度 (75 0℃ )提高了样品中 In的含量和 PL 强度。当 / 族比率大约 5 0 0 0时 ,75 0℃生长的样品背景载流子浓度约为 2 .2 1× 10 1 8cm- 3,In含量约为 11.5 4% .其室温 394nm的带边峰 ,半高宽约为 116 me V,束缚能约为 32 .4m e V,可能与束缚激子发光相关 .该样品禁带宽度随温度变化的温度系数 α (d E/ d T)约为 0 .5 6× 10 - 3e V/ K.较高温度 (80 0℃和 90 0℃ )生长的样品 In含量较低 ,PL 强度较弱 ,且在样 相似文献
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用场发射电子枪作为高分辨率扫描透射电子显微镜的电子源有亮度高、束斑小、能散度低等优点。本文的工作就是研制用于扫描透射电子显微镜的场发射电子枪的第一阳极电源V_i,对此我们做了以下工作。1.电源V_i控制着场发射电子枪的场致发射电子束流的大小。本文根据电子显微镜实际运用要求,从场发射理论出发。计算了电源V_i的各项指标,得出其输出电压为500→5000伏,输出电流为0→200微安,稳定度应优于9×10~(-4)。2.电源V_i为置于第二阳极电源V_0(-50kV)之上的一正高压直流电源。为了能在低压端调节置于高压V_0上的电源V_1的输出电压,并使之达到所需的稳定度,本文对现有资料文献进行了归纳和分析,根据差 相似文献
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聚焦偏转复合系统像差分析及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了以DX-3扫描电镜为基础,利用SDS-2电子束扫描系统改装其偏转系统。并给出了磁聚焦和静电的偏转场相复合情况下竖轴点源的三级几何像差系数和一级色差系数公式。应用中表明,复合系统结构简单紧凑,像差小而可以不用动态校正。 相似文献
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用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ Pt铁电电容和漏电流、剩余极化、疲劳、开关特性和揭电常数等性能。对厚度为 0 .4 μm的薄膜 ,5 V时的剩余极化强度 Pr=2 2 μC/ cm2 ,矫顽场强度 Ec=6 0k V/ cm,相对介电常数约 130 0 ,漏电流 Id=3.2× 10 -8A/ mm2 ,开关特性优良。疲劳测试表明 ,对Vpp=10 V的锯齿信号 ,经 4 .5× 10 11周期后 ,剩余极化强度衰减 2 0 %。上述性能表明 ,该 PL T膜能用于非挥发性铁电存储器的试制 相似文献
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利用微波等离子体化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备了碳纳米球薄膜。利用拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜研究了薄膜的结构以及表面形貌,表明碳纳米球薄膜是由约2~3μm长、100nm宽的无定形碳纳米片相互缠绕、交织成球状而构成的。在高真空系统中测量了碳纳米球薄膜的场发射特性,结果表明,碳纳米球薄膜具有良好的场发射特性,阈值电场为3.1V/μm,当电场增加到10V/μm时,薄膜的场发射电流密度可达到60.7mA/cm2。通过三区域电场模型合理地解释了碳纳米球薄膜在低电场、中间电场和高电场区域的场发射特性。 相似文献
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利用LEG法制备掺Fe0.03wt.%的InP晶体。样品观察在JEM-4000EX高分辨电镜上进行,电压为400kV,点分辨率为0.19nm(Cs=1mm),电镜中电子束产生的辐照为2.5×103e/cm2s。InP晶体是立方闪锌矿结构,空间群为F43m,单胞参数为a=0.5868nm。图1是InP扩展螺位错在[110]方向投影的高分辨像。图中亮点对应原子位置。很明显,一层(111)原子被抽去。图中用黑点标出了扩展位错的螺型分量。扩展位错包括两个Burgers矢量为1/6[211]和1/6[121]的Shockley不全位错,其间是内禀层错。扩展位错之间的距离为17.9nm。层错能可根据下式计算[1]:R=μb2(2-3V)/8πd… 相似文献
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本文讨论了复合磁透镜和磁偏转器场中,电子束主轨迹和偏转像差之间的关系。为了改善电子束扫描系统的性能,本文提出了一阶近似的电磁摆动物镜(Swinging Objective Lens)(SOL),给出了摆动物镜的像差系数。本文讨论了建立在摆动物镜基础上的适用于电子束曝光机的实际扫描系统。为了减小系统的总像差,结合电子光学的条件,采用了“权复形”最优化方法,得到了实际的复合结构;在0.005弧度半张角、高压波动0.0001、象距50mm的条件下,在5×5mm~2扫描场的边角处,动态校正前的总像差斑为0.083 μm。 相似文献
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信号谱分析中参数选择对频率分辨率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首先讨论了对基带信号和带通信号的采样问题,说明了二者的联系与区别.在此基础上分析了DFT参数选择对频率分辨率的影响,特别区分了频率分辨率和可视分辨率两个概念,并例证了所得结论. 相似文献
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Toraldo光瞳滤波器对光学系统成像分辨率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究Toraldo光瞳滤波器横向、轴向及三维成像分辨率与滤波器结构参数的关系,推导出各分辨率与两区及三区漏光环型Toraldo光瞳滤波器环型区域的遮挡率和透过率之间的解析表达式,并给出它们的关系曲线图。二区漏光环型光瞳滤波器横向分辨率随中心透过率的减小而增大,一般情况下轴向分辨率随中心透过率的增大而增大。三区漏光环型光瞳滤波器横向超分辨率要求中心透过率低,而轴向超分辨率要求中间的透过率比两边低。可设定不同的透过率和遮挡率来分别实现横向、轴向及三维成像超分辨率。 相似文献
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成像光谱仪是新型多光谱遥感器,它具有获得地面的更丰富光谱信息的特点。无论采用滤光片分光还是色散元件分光,都不同程度地存在光空间的混杂。文中分析成像光谱仪“混光”特性,提出保障系统光谱特征和空间特性的判据。 相似文献
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从模糊函数、距离分辨力、速度分辨力三个角度对均匀脉冲串与重复周期参差脉冲串信号的分辨力问题进行分析,结合仿真图得到两类信号的分辨力特性及差异。结论为,重复周期参差脉冲串信号相对于均匀脉冲串信号较好地改善了测距测速二维模糊,但增大了速度模糊旁瓣的宽度和平均幅度。最后根据信号模糊度图给出了两类信号在实际应用中提高分辨力的相关措施。 相似文献
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图像复原与超分辨率重构基本适用条件及提高空间分辨率上限的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
从离散—离散的成像系统出发,在理论上分析了图像复原与超分辨率重构的基本适用条件及提高图像分辨率的上限,从图像处理的角度给出了基本适用条件的量化指标,最后对理论分析结论进行了实验验证,并对实际应用中不可避免的噪声影响进了研究,实验结果与理论研究结论一致. 相似文献